一种提升耐久度的充气轮胎

    公开(公告)号:CN108099501A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201711370536.2

    申请日:2017-12-18

    IPC分类号: B60C9/18 B60C15/06

    CPC分类号: B60C9/18 B60C15/06

    摘要: 本发明提供一种升耐久度的充气轮胎,其胎体包括第一胎体帘布层和第二胎体帘布层,第一胎体帘布层围绕所述胎圈芯和三角胶从轮胎轴向方向上的内侧朝向轮胎轴向方向上的外侧反包,第二胎体帘布层沿着所述胎圈芯和三角胶从轮胎轴向方向上的外侧向下延伸正包,所述第一胎体帘布层的反包端点高度为(0.45~0.55)SH,第二胎体帘布层的正包端点位于胎趾位置的上下3mm内,其中SH为轮胎断面高度;第二胎体帘布层与子口护胶之间设置有沿轮胎径向延伸的补强胶片,所述补强胶片的下端点到胎趾的垂直高度为5‑11mm,补强胶片沿轮胎径向的宽度为42‑48mm。本发明通过双层帘布和带有复合补强胶片的子口结构,可以提升轮胎的耐久性能。

    充气轮胎
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108058545A

    公开(公告)日:2018-05-22

    申请号:CN201711070061.5

    申请日:2017-11-03

    发明人: 棚田健一郎

    IPC分类号: B60C15/00 B60C15/04

    摘要: 本发明提供一种实现良好的外观、较低的滚动阻力以及PTL的抑制的轮胎。在该轮胎(2)中,胎圈包布(8)从胎圈(10)的轴向外侧延伸至半径方向内侧。侧壁(6)延伸至胎圈(10)与胎圈包布(8)之间。在半径方向上,胎圈包布(8)延伸至胎体帘布层(40)的折返部(44)的端部(38)的外侧。在上述胎圈包布(8)的外表面中的、与轮辋的凸缘接触的部分成为侧面(50)时,该侧面(50)的轮廓具备从上述胎圈(10)的部分的跟部延伸的朝内侧方向上突起的圆弧C。上述侧壁(6)的复数弾性率Es低于上述胎圈包布(8)的复数模量Ec。上述侧壁(6)的损耗角正切LTs低于上述胎圈包布(8)的损耗角正切LTc。

    缺气保用轮胎
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106739842A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710019160.4

    申请日:2017-01-11

    IPC分类号: B60C13/00 B60C15/04 B60C15/06

    CPC分类号: B60C13/00 B60C15/04 B60C15/06

    摘要: 本发明涉及轮胎领域,特别是一种缺气保用轮胎,包括胎圈,胎圈的内部填充三角胶,三角胶的底端设置钢丝圈,胎圈的周围设置胎体层,胎体层从轮胎内侧向外侧折回,胎体层的半径方向外侧且胎面部的内部设置带束层,胎侧处的胎体层与内衬层之间设置有胎侧支撑橡胶层,胎圈的侧面设置胎圈补强层。本发明公开的缺气保用轮胎,与普通的缺气保用轮胎相比,胎侧支撑橡胶硬度相对降低,从而在一定程度上优化驾乘舒适性;在相同刚性的情况下,侧支撑橡胶的厚度减小,有利于轮胎的轻量化;由于补强材料对子口部位的加强,在缺气状态下子口部位曲挠变形相对较小,加之支撑胶厚度的减小,胎侧部位生热减少并利于散热,有利于提高轮胎的耐久性能。

    具有改进胎圈和安装轮辋的轮胎组件

    公开(公告)号:CN104136239B

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201380011141.7

    申请日:2013-02-21

    发明人: F·布儒瓦

    IPC分类号: B60C9/28 B60C15/06

    摘要: 一种组件,组件包括轮胎(10)和安装轮辋(5),轮胎包括:两个胎圈(20),每个胎圈包括至少一个环形增强结构(70),和胎体增强件(60),胎体增强件(60)通过卷边而锚固在两个胎圈中,其中每个胎圈包括由橡胶组合物形成的填料(110),填料沿径向延伸直至离胎圈的环形增强结构的径向最内点的径向距离DBE,径向距离DBE小于或等于轮胎的径向高度H的10%,轮胎的至少一个胎侧进一步包括加硬增强件(140),加硬增强件(140)由多个金属增强元件(145、146、147)形成,金属增强元件(145、146、147)以相对于周向方向的小于或等于10度的角度定向,加硬增强件以这样的方式设置使得在环形增强结构的径向最内点(71)和加硬增强件的径向最外端(142)之间的距离DAE大于或等于高度H的20%且小于或等于高度H的40%,并且在环形增强结构的径向最内点(71)和加硬增强件的径向最内端(141)之间的距离DAI小于或等于高度H的20%。