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公开(公告)号：CN102841444B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210211366.4
申请日：2012-06-21
申请人： 皮克斯特隆尼斯有限公司
CPC分类号： G02B26/0841 , B81B7/007 , B81B2201/045 , B81C2201/0132 , B81C2201/016
摘要： 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，其不需要专用装置、不会使制造吞吐量降低而除去端子上的钝化膜。本发明的显示装置，包括在基板上以矩阵状配置的具有开关元件和用开关元件驱动的MEMS快门的多个像素，和在基板上配置的与外部端子连接的多个端子。MEMS快门包括：具有开口部的快门、与快门连接的第一弹簧、与第一弹簧连接的第一锚定部、第二弹簧、和与第二弹簧连接的第二锚定部，在快门、第一弹簧、第二弹簧、第一锚定部和第二锚定部的表面中的与基板的表面垂直的方向上的面具有绝缘膜，在多个端子的表面、以及快门、第一弹簧、第二弹簧、第一锚定部和第二锚定部的表面中的相对于基板的表面为平行方向且与基板相对的一侧的相反侧的面，不存在该绝缘膜。
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公开(公告)号：CN107121461A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710105978.8
申请日：2017-02-24
申请人： 恩智浦美国有限公司
发明人： 张青 , 穆罕默德·马赫布卜·乔杜里 , 古尔·泽布
IPC分类号： G01N27/22 , H01L21/8238
CPC分类号： B81B7/008 , B81B2201/0214 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C1/00246 , B81C2201/0159 , B81C2201/016 , B81C2201/019 , G01N27/223 , G01N27/225 , G01N27/227 , H01L21/8238
摘要： 本公开提供了由电容式湿度传感器组成的半导体装置、由密封的装置组成的封装和在半导体装置内形成电容式湿度传感器的方法，该电容式湿度传感器由潮湿敏感聚合物层组成，该潮湿敏感聚合物层电接枝到定位于CMOS衬底或组合的MEMS和CMOS衬底上的导电金属层且暴露于通过钝化层的开口内。
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公开(公告)号：CN102841444A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210211366.4
申请日：2012-06-21
申请人： 株式会社日立显示器 , 皮克斯特罗尼克斯公司
CPC分类号： G02B26/0841 , B81B7/007 , B81B2201/045 , B81C2201/0132 , B81C2201/016
摘要： 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，其不需要专用装置、不会使制造吞吐量降低而除去端子上的钝化膜。本发明的显示装置，包括在基板上以矩阵状配置的具有开关元件和用开关元件驱动的MEMS快门的多个像素，和在基板上配置的与外部端子连接的多个端子。MEMS快门包括：具有开口部的快门、与快门连接的第一弹簧、与第一弹簧连接的第一锚定部、第二弹簧、和与第二弹簧连接的第二锚定部，在快门、第一弹簧、第二弹簧、第一锚定部和第二锚定部的表面中的与基板的表面垂直的方向上的面具有绝缘膜，在多个端子的表面、以及快门、第一弹簧、第二弹簧、第一锚定部和第二锚定部的表面中的相对于基板的表面为平行方向且与基板相对的一侧的相反侧的面，不存在该绝缘膜。
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公开(公告)号：CN100423178C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN03818030.8
申请日：2003-05-14
申请人： 硅光机器公司
发明人： J·A·亨特
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/82 , H01L21/302
CPC分类号： G02B26/0808 , B81B2201/045 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C1/00246 , B81C2201/016 , B81C2203/0735 , B81C2203/0778 , H01L27/0611
摘要： 一种集成器件包括：一个或多个器件驱动器和单片地耦合到所述一个或多个驱动器电路的衍射光调制器。所述一个或多个驱动器电路被配置成用于处理接收的控制信号和将处理的控制信号传送给所述衍射光调制器。一种制造所述集成器件的方法优选地包括制造多个晶体管的每一个的前端部分；绝缘所述多个晶体管的前端部分；制造一个衍射光调制器的一前端部分；绝缘所述衍射光调制器的所述前端部分；为所述多个晶体管制造内部连线；应用一敞口阵列掩模和湿式蚀刻以达到所述衍射光调制器；和制造所述衍射光调制器的一后端部分，从而单片地耦合所述衍射光调制器和所述多个晶体管。
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公开(公告)号：CN102134054A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010172538.2
申请日：2010-05-07
申请人： 鑫创科技股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2203/0315 , B81B2207/015 , B81C2201/016 , B81C2203/0714 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
摘要： 一种用于制造MEMS装置的方法，其包含：提供单晶体衬底，其具有第一表面和第二表面且具有MEMS区和IC区；在第一表面上在MEMS区中形成SCS质量块；在衬底的第一表面上形成结构介电层，其中结构介电层的介电部件填充于围绕MEMS区中的SCS质量块的空间中，IC区具有电路结构，所述电路结构具有形成于结构介电层中的互连结构；通过蚀刻工艺在第二表面上将单晶体衬底图案化以暴露填充于围绕SCS质量块的空间中的介电部件的一部分；至少对填充于围绕SCS质量块的空间中的介电部分执行各向同性蚀刻工艺。暴露SCS质量块以释放MEMS结构。
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公开(公告)号：CN1436150A
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN01811127.0
申请日：2001-06-13
申请人： 阿姆泰克有限公司
CPC分类号： B81B3/0086 , B81B2203/033 , B81C2201/016
摘要： 本发明涉及一种在最好是导电基片(1)、特别是由单晶掺杂的硅构成的基片中的微型结构，它具有至少一个功能元件(2.1，2.2)，本发明还涉及这种微型结构的制造方法。按照本发明，功能元件(2.1，2.2)通过隔离间隙(5，5a)机械上和电气上在所有侧面从基片(1)分离，并且在至少一个位置上与一个导电的、且通过隔离层(3)与基片(1)电气绝缘的层(S)的第一结构(4a)相连接，并通过此连接相对定位在基片(1)上。为此功能元件(2.1，2.2)如此由基片(1)分离出来；对基片(1)在所有侧面上设置隔离间隙(5，5a)。导电层(S)如此被涂覆：它通过例如连接指(4a)与功能元件(2.1，2.2)相连接，并且将功能元件可靠地定位。采用本发明的方法，制造过程被明显简化了，并且制造出仅有很小的寄生电容的微型结构。
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公开(公告)号：CN102134054B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010172538.2
申请日：2010-05-07
申请人： 鑫创科技股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2203/0315 , B81B2207/015 , B81C2201/016 , B81C2203/0714 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
摘要： 一种用于制造MEMS装置的方法，其包含：提供单晶体衬底，其具有第一表面和第二表面且具有MEMS区和IC区；在第一表面上在MEMS区中形成SCS质量块；在衬底的第一表面上形成结构介电层，其中结构介电层的介电部件填充于围绕MEMS区中的SCS质量块的空间中，IC区具有电路结构，所述电路结构具有形成于结构介电层中的互连结构；通过蚀刻工艺在第二表面上将单晶体衬底图案化以暴露填充于围绕SCS质量块的空间中的介电部件的一部分；至少对填充于围绕SCS质量块的空间中的介电部分执行各向同性蚀刻工艺。暴露SCS质量块以释放MEMS结构。
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公开(公告)号：CN1672241A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03818030.8
申请日：2003-05-14
申请人： 硅光机器公司
发明人： J·A·亨特
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/82 , H01L21/302
CPC分类号： G02B26/0808 , B81B2201/045 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C1/00246 , B81C2201/016 , B81C2203/0735 , B81C2203/0778 , H01L27/0611
摘要： 一种集成器件包括：一个或多个器件驱动器和单片地耦合到所述一个或多个驱动器电路的衍射光调制器。所述一个或多个驱动器电路被配置成用于处理接收的控制信号和将处理的控制信号传送给所述衍射光调制器。一种制造所述集成器件的方法优选地包括制造多个晶体管的每一个的前端部分；绝缘所述多个晶体管的前端部分；制造一个衍射光调制器的一前端部分；绝缘所述衍射光调制器的所述前端部分；为所述多个晶体管制造内部连线；应用一敞口阵列掩模和湿式蚀刻以达到所述衍射光调制器；和制造所述衍射光调制器的一后端部分，从而单片地耦合所述衍射光调制器和所述多个晶体管。
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公开(公告)号：CN1198756C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01811127.0
申请日：2001-06-13
申请人： 麦斯法博有限公司
CPC分类号： B81B3/0086 , B81B2203/033 , B81C2201/016
摘要： 本发明涉及一种在最好是导电基片(1)、特别是由单晶掺杂的硅构成的基片中的微型结构，它具有至少一个功能元件(2.1，2.2)，本发明还涉及这种微型结构的制造方法。按照本发明，功能元件(2.1，2.2)通过隔离间隙(5，5a)机械上和电气上在所有侧面从基片(1)分离，并且在至少一个位置上与一个导电的、且通过隔离层(3)与基片(1)电气绝缘的层(S)的第一结构(4a)相连接，并通过此连接相对定位在基片(1)上。为此功能元件(2.1，2.2)如此由基片(1)分离出来；对基片(1)在所有侧面上设置隔离间隙(5，5a)。导电层(S)如此被涂覆：它通过例如连接指(4a)与功能元件(2.1，2.2)相连接，并且将功能元件可靠地定位。采用本发明的方法，制造过程被明显简化了，并且制造出仅有很小的寄生电容的微型结构。
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