公开(公告)号：CN103339458A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280007702.1

申请日：2012-01-30

申请人： MEMC电子材料有限公司

发明人： G·帕扎利亚 ,  M·富马加利 ,  R·博沃

IPC分类号： F28D7/16 ,  F28F9/22

CPC分类号： F28F9/00 ,  B01J8/1836 ,  B01J12/00 ,  B01J19/24 ,  B01J2219/00081 ,  C01B33/033 ,  C01B33/1071 ,  F28D7/16 ,  F28F9/22 ,  F28F2275/205

摘要： 本发明公开了一种壳管式热交换器，其包括改善通过交换器的温度分布和流动模式的折流板布置和/或与反应容器成一体。本发明还公开了使用所述壳管式热交换器的方法，其包括涉及使用所述壳管式热交换器和反应容器以生成含有三氯甲硅烷的反应产物气体的方法。

公开(公告)号：CN102933493A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180016641.0

申请日：2011-01-31

申请人： 美国太阳能技术有限公司

发明人： M.阿斯拉米 ,  武韬 ,  C.德卢卡 ,  P.汉森 ,  E.丹尼洛夫

IPC分类号： C01B33/033 ,  H05H1/30 ,  C30B35/00 ,  C30B29/06 ,  B01J19/08

CPC分类号： C01B33/027 ,  C01B33/03 ,  C01B33/033 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10773 ,  C30B29/06 ,  C30B35/007 ,  H05H1/30

摘要： 本发明提供用于制造高纯硅的等离子体沉积装置，其包括用于沉积所述高纯硅的腔室，所述腔室包括基本限定模腔的上端的顶部；具有上端和下端的一个或多个侧面，所述顶部基本密封连接所述一个或多个侧面的上端；基本限定所述腔室的下端的基底，所述基底基本密封连接所述一个或多个侧面的下端；和布置在所述顶部的至少一个感应耦合的等离子体焰炬，在基本垂直的位置取向的所述至少一个电感耦合的等离子体焰炬产生自所述顶部向下朝向所述基底的等离子体火焰，所述等离子体火焰限定使一种或多种反应物反应以产生高纯硅的反应区。另外，还提供了收集熔融硅的方法。

公开(公告)号：CN101679043A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880015536.3

申请日：2008-03-14

申请人： 诺尔斯海德公司

发明人： C·罗森科尔德

IPC分类号： C01B33/033

CPC分类号： C01B33/033 ,  C01G9/04 ,  C25C3/34

摘要： 本发明涉及通过用熔融的Zn金属还原SiCl 4 生产高纯硅的方法和设备。该方法的特征在于与溶解ZnCl 2 的熔融盐接触发生所述还原反应。所述还原反应过程中产生的ZnCl 2 然后溶解在所述熔融盐中而不是蒸发。其优势在于在所述还原反应过程中的气体逸出最小化，导致更高的SiCl 4 和Zn利用率，并且从而导致更高的Si收率。另一个优势在于所述熔融盐有效地保护了空气敏感物料Zn、SiCl 4 和Si在还原反应过程中免于氧化。得到的含有ZnCl 2 的熔融盐可以用于ZnCl 2 的电解以再次产生所述Zn金属。所述电解过程中释放的氯气可以用来产生SiCl 4 。

公开(公告)号：CN101547859A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200780035165.0

申请日：2007-09-18

申请人： 尤米科尔公司

发明人： 埃里克·罗伯特 ,  蒂亚科·宰莱马

IPC分类号： C01B33/033 ,  C30B29/06 ,  C01B33/037 ,  C30B15/00

CPC分类号： C01B33/033 ,  C01B33/037

摘要： 本发明涉及制造高纯度硅作为生产例如结晶硅太阳能电池的原材料。通过气态SiHCl3与液态Zn接触，将SiHCl3转化为Si，由此获得分离的含Si合金、H2与ZnCl2。随后在高于Zn沸点的温度下提纯该含Si合金。该方法不需要复杂的技术，并保持朝向最终产品的SiHCl3的高纯度。仅有的其它反应物是Zn，其可以以非常高的纯度等级获得，并可以在电解Zn氯化物后再循环。

公开(公告)号：CN101208267A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680023138.7

申请日：2006-06-28

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 三枝邦夫 ,  山林稔治

IPC分类号： C01B33/033

CPC分类号： C01B33/033

摘要： 本发明提供一种高纯度硅的制造方法。高纯度的硅的制造方法是将下式(1)所示的卤化硅用铝还原制造硅的方法，作为还原剂使用的铝的纯度为99.9重量％以上。SiHnX4－n(1)(式中，n是0～3的整数，X是选自F、Cl、Br、I的1种或2种以上的卤原子。这里，铝的纯度是由100重量％减去铝中含有的铁、铜、镓、钛、镍、钠、镁和锌的总重量％得到的)。

公开(公告)号：CN107235499A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710324796.X

申请日：2017-05-10

申请人： 东北大学

发明人： 张廷安 ,  豆志河 ,  吕国志 ,  刘燕 ,  王龙 ,  赵秋月 ,  牛丽萍 ,  傅大学 ,  张伟光

IPC分类号： C01F7/02 ,  C01B33/033 ,  C01G9/04 ,  C01G49/06 ,  C01G15/00 ,  C01F17/00 ,  C22B34/12 ,  C22B58/00 ,  C22B59/00 ,  C25B1/26 ,  C30B35/00

CPC分类号： Y02P10/212 ,  C01F7/02 ,  C01B33/033 ,  C01F17/0068 ,  C01G9/04 ,  C01G15/00 ,  C01G49/06 ,  C22B34/1245 ,  C22B58/00 ,  C22B59/00 ,  C25B1/26 ,  C30B35/007

摘要： 一种铝土矿造球氯化电解制备氧化铝及综合利用的方法，步骤如下：将铝土矿、碳源和高岭土按配比配料，添加粘结剂和水，造球风干，经氯化、分离与提纯，得到无水氯化铝、无水氯化铁、四氯化硅、四氯化钛、氯化钪和氯化镓；将无水氯化铝和无水氯化铁转化成相应氯化物溶液，控制电压及电流密度进行电解得到氢氧化铝、氢氧化铁、氢气和氯气，氯气返回氯化段；氢氧化铝经焙烧获得冶金级/化学品氧化铝；氢氧化铁煅烧得到铁红或其他含铁制品；四氯化硅进行提纯；四氯化钛精制作海绵钛原料；氯化钪富集作提钪原料。本发明方法成本低，原料廉价易得，通过造球氯化使氯化反应完全，操作过程简单，自动化程度高，产物纯度高，氯气和锌等原料能够循环利用。

公开(公告)号：CN107200342A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710324925.5

申请日：2017-05-10

申请人： 东北大学

发明人： 张廷安 ,  吕国志 ,  豆志河 ,  刘燕 ,  王龙 ,  牛丽萍 ,  赵秋月 ,  傅大学 ,  张伟光

IPC分类号： C01F7/46 ,  C01B33/033 ,  C01G15/00 ,  C25B1/26 ,  C25B1/02 ,  C25C1/16

CPC分类号： C01F7/46 ,  C01B33/033 ,  C01G15/00 ,  C25B1/02 ,  C25B1/26 ,  C25C1/16

摘要： 一种粉煤灰氯化电解制备氧化铝及综合利用的方法，包括以下步骤：将粉煤灰经氯化与分离，分别得到无水氯化铝、四氯化硅和氯化镓；将无水氯化铝转化成氯化铝水溶液；控制电压和电流密度，电解氯化铝溶液，得到氢氧化铝、氢气和氯气；将电解产生的氯气返回氯化段；将氢氧化铝经焙烧获得冶金级/化学品氧化铝；四氯化硅精馏提纯，生成多晶硅与氯化锌。本发明的方法成本低，原料廉价易得，操作过程简单，自动化程度高，产物纯度高，采用的锌和氯气等原料能够循环利用。

公开(公告)号：CN103153856A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180046821.3

申请日：2011-09-21

申请人： 捷恩智株式会社 ,  JX日鉱日石金属株式会社 ,  东邦钛株式会社

发明人： 大久保秀一 ,  山口雅嗣

IPC分类号： C01B33/033

CPC分类号： H01L21/67011 ,  C01B33/033 ,  H01L21/02532

摘要： [课题]一种多晶硅的制造装置以及制造方法，将锌还原法中的反应器的休止时间抑制为最小限度，藉此可使多晶硅的生产效率提高，从而可比较廉价且大量地制造多晶硅，上述锌还原法是以固体状态来将产生的硅回收。[解决手段]通过锌来对四氯化硅进行还原而制造多晶硅的硅制造装置的特征在于：纵型反应器1包括可上下地分离的反应器上侧本体2与反应器下侧本体3，反应器下侧本体3可沿着上下左右方向移动。

公开(公告)号：CN101311113B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200810084016.X

申请日：2008-03-18

申请人： JNC株式会社

发明人： 并木伸明

IPC分类号： B01J12/02 ,  C01B33/033 ,  C30B29/06 ,  C30B28/14

CPC分类号： C01B33/033

摘要： 一种高纯度多晶硅的制造装置，包括：氯化硅的气化装置；锌熔融蒸发装置；外周面具备加热机构的立式反应器；连接在氯化硅的气化装置和立式反应器间的氯化硅气体供给喷嘴，将氯化硅的气化装置提供的氯化硅气体供应到立式反应器；连接在锌熔融蒸发装置和立式反应器间的锌气体供给喷嘴，将锌熔融蒸发装置提供的锌气体供应到立式反应器；及与立式反应器相连的排气抽出管。锌熔融蒸发装置包括蒸发器；与蒸发器上部相连的主纵筒部；插入主纵筒部内部的固态物分离管；与固态物分离管倾斜相连的锌导入用管；围绕固态物分离管的下端开口部且构成其底面的密封罐；安装在主纵筒部外周面且可调节温度的感应加热装置；及与蒸发器的侧壁相连的气体排放用管。

公开(公告)号：CN102741166A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201080062049.X

申请日：2010-12-07

申请人： 克斯莫石油株式会社

发明人： 大盐敦保 ,  大塚宏明 ,  千代田修 ,  沟口隆

IPC分类号： C01B33/033 ,  C01B33/107

CPC分类号： C01B33/033 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10778

摘要： 本发明涉及一种多晶硅的制造方法，其特征在于，其包括：获得低纯度四氯化硅的四氯化硅制造工序；四氯化硅蒸馏工序；获得多晶硅的多晶硅制造工序；将该排气中的成分分离为氯化锌和未反应锌的混合物、未反应四氯化硅的第1分离工序；以及，将该氯化锌和未反应锌的混合物电解，获得锌和氯气的电解工序，将该第一分离工序中分离的该未反应四氯化硅输送到该四氯化硅蒸馏工序，与该低纯度四氯化硅一起蒸馏，将该电解工序中获得的氯气用作在该四氯化硅制造工序中反应的氯气，将该电解工序中获得的锌用作在该多晶硅制造工序中反应的锌。根据本发明，可以提供制造成本低、运转管理和装置管理简便的多晶硅的制造方法。