一种通用电路板板上器件故障检测方法及系统

    公开(公告)号:CN107179494A

    公开(公告)日:2017-09-19

    申请号:CN201710393582.8

    申请日:2017-05-27

    发明人: 吕昂 陈怡 方晋甬

    摘要: 本发明公开了一种通用电路板板上器件故障检测方法及系统,通过采集被测电路板可见光图像和被测电路板红外热图像,首先采用图像配准算法以可见光图像为基准校准红外热图像坐标系统,然后以功率器件的封装形式数据库为模板图,搜索被测电路板可见光图像,确定被测电路板上功率器件的位置坐标和区域大小,再以黑体为背景处理被测电路板校准红外热图像,提取红外热图像中的发热点温度、位置坐标和区域大小;最后通过分析匹配来判断和定位故障器件。本发明无需事先采集同种类型、同种型号工作正常电路板的红外热图像,不但可用于工厂批量化生产,也可用于设备维修等各种应用场合。

    低照度CMOS芯片性能测试系统

    公开(公告)号:CN106405382A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201610700230.8

    申请日:2016-08-22

    IPC分类号: G01R31/308 G01R31/28

    CPC分类号: G01R31/308 G01R31/2825

    摘要: 本发明公开了一种低照度CMOS芯片性能测试系统,包括卤钨灯光源、电动狭缝、第一积分球、可变孔径光阑、第二积分球、暗箱、待测低照度CMOS芯片、光照度计和计算机;将低照度CMOS芯片置于暗箱中,卤钨灯产生的均匀光入射到低照度CMOS芯片的光敏面,经过计算机调节电动狭缝和可变孔径光阑改变光照度,设置芯片曝光时间,采集低照度CMOS芯片产生的图像信号,并将它转换成对应的电压信号,通过数据处理得到相应的参数值。本发明可以科学地评价低照度CMOS芯片的性能,为低照度CMOS的研制和生产提供依据。

    一种用于检测电路板及其板上器件的设备及其方法

    公开(公告)号:CN105445649A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201511026596.3

    申请日:2015-12-30

    IPC分类号: G01R31/28 G01R31/308 G01J5/00

    摘要: 本发明公开了一种用于检测电路板及其板上器件的设备及其方法,设备包括:可调节机架,设于可调节机架上的用于放置被检测电路板的载物台,红外相机,安装于红外相机上的红外镜头,以及具有视觉分析功能的主控电脑平台,主控电脑平台控制载物台移动,并获取红外相机的红外图像进行智能识别及分析。本发明的用于检测电路板及其板上器件的设备及其方法,利用电路板带电运行后的红外辐射,通过红外相机在设定的测试时长内间续采集动态红外图像,带有机器视觉功能的检测软件可以跟踪电路板及板上各器件的温度变化情况。通过和标准样本值比较,判断板上器件的品质和稳定性,从而为元器件的采购或电路板的散热设计提供支持信息,改善电子产品的品质。

    使用前侧照射增强显示面板的缺陷检测

    公开(公告)号:CN102037371A

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN200980118535.6

    申请日:2009-05-20

    IPC分类号: G01R31/308

    CPC分类号: G01R31/308 G09G3/006

    摘要: 提供了前侧照射装置及方法,一般而言使得在单元组装步骤之前在阵列测试步骤中能够检测a-Si残留物的缺陷。在未暴露给光的情况下,a-Si具有高电阻率,使得在常规TFT阵列测试过程中难以检测。另一方面,当以光照射a-Si残留物时,其电阻率减小,这继而改变TFT阵列单元的电特性,这可利用电压成像光学系统(VIOS)进行检测。在一实施方案中,使得TFT阵列单元暴露在光脉冲的照射下,以在利用VIOS进行的测试期间,影响TFT面板的顶侧。在一实施方案中,前侧照射沿着与VIOS中用于电压成像之照射相同的路径行进。在另一实施方案中,用于前侧照射的(多个)光源位于紧靠VIOS的调制器附近的位置。

    采用红外热成像法进行缺陷检测和分析

    公开(公告)号:CN100480693C

    公开(公告)日:2009-04-22

    申请号:CN03802593.0

    申请日:2003-01-22

    CPC分类号: G01R31/308

    摘要: 描述了用于提供改善的使用红外热成像法的缺陷检测和分析的方法和系统(310)。来自信号发生器(330)的测试向量对一被测器件(305)特征加热,以便产生对识别缺陷有用的热特性。所述测试矢量被持续一段时间,以增强缺陷之间以及围绕特征的热对比,使得红外(IR)成像设备(315)能够获取改善的热图像。在某些实施例中,交流和直流测试矢量的组合将功率传输最大化以加快加热,并从而加快测试。对所述改善的图像应用的数学变换进一步增强了缺陷检测和分析。某些缺陷产生图像膺象,或称“缺陷膺象”,这模糊了缺陷,使得缺陷定位的工作变得困难。某些实施例采用缺陷定位算法,其分析缺陷膺象以精确地定位相应的缺陷。

    故障分析方法及系统
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100418195C

    公开(公告)日:2008-09-10

    申请号:CN200480022971.0

    申请日:2004-07-15

    发明人: G·B·安德森

    IPC分类号: H01L21/302 H01L21/461

    摘要: 一种方法和系统,用于暴露被封装在模制混合物中的装置的精密结构,例如集成电路(IC)。使用激光烧蚀所述模制混合物而将其除去,从而暴露下面的结构。可以在装置表面上以希望的光栅图形引导激光束,或者可以相对于激光束以希望的图形移动装置。可以对由烧蚀工艺发出的激光羽进行光谱分析,以便确定烧蚀的材料的组成。因此,除了暴露下面的结构中的缺陷,该系统还可以用于分析封装材料,以便确定其是否包含任何缺陷或异常。还描述了一种用于以用户选择的图形精确切割电路板或IC的系统。该系统沿由用户通过利用图形界面而指定的路径来引导激光。

    测试或测量电气元件的方法及系统

    公开(公告)号:CN101116000A

    公开(公告)日:2008-01-30

    申请号:CN200680003804.0

    申请日:2006-01-24

    IPC分类号: G01R31/305 G01R31/308

    摘要: 本发明涉及一种为以测试或测量电气元件的方法,其中将一粒子束(6)经施加于电气元件(2、3)的位置;在施加上述这些粒子束(6)的效应下释放出电荷;由一收集器(9)收集所释放的电荷;测量所收集的电荷值;并且自所收集电荷值的测量结果推导出该电气元件的电气特性。本发明特别是适用于印刷电路的电阻及/或电容测量作业,并且适用于任何型态之基体,像是平面屏幕、配备以各构件之电路,以及半导体芯片。

    具有输电用的电导体的装置及用于确定电导体负荷的方法

    公开(公告)号:CN101115997A

    公开(公告)日:2008-01-30

    申请号:CN200680004548.7

    申请日:2006-02-10

    申请人: 西门子公司

    发明人: 冈瑟·肖夫纳

    IPC分类号: G01R15/14 G01R31/308

    摘要: 按照本发明,电导体(2,2a,2c,2d,2e,2f)被包封外壳(1,1a,1c,1d,1e)环绕。从电导体(2,2a,2c,2d,2f)发射的电磁辐射由红外线传感器(5,5a,5c,5d,5e,8f,8g,8h)检测。另外,包封外壳(1f)的温度由其他的温度传感器(7d,7e,7f,7g,7h)确定,并且在考虑由温度传感器(7d,7e,7f,7g,7h)和红外线传感器(5,5a,5c,5d,5e)所测定的信息情况下确定所述电导体(2,2a,2c,2d,2e,2f)的负荷能力。