公开(公告)号：CN103620434A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280020085.9

申请日：2012-05-15

申请人： 日立金属株式会社

发明人： 枣田充俊

IPC分类号： G01R33/12 ,  H01F41/00 ,  H01F41/02

CPC分类号： G01R33/16 ,  G01R33/0064 ,  G01R33/0385 ,  H01F41/0293

摘要： 使用预先存储的表示δ（深度）与△HcJ（矫顽力增加量）之间对应关系的数据库以及表示Dy扩散条件（Dy扩散时的扩散系数、扩散通量和处理时间）的信息的数据库，根据磁体的形状信息和Dy导入面信息计算磁体内的导入量分布，根据Dy导入量分布计算磁体内的△HcJ的分布。对于不具有均匀矫顽力分布的磁体，使用计算出的△HcJ的分布计算J－H曲线，使用温度系数计算预定温度下的去磁因数。

公开(公告)号：CN102298127B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010207498.0

申请日：2010-06-22

申请人： 宝山钢铁股份有限公司

发明人： 吴美洪 ,  靳伟忠 ,  孙焕德 ,  杨国华 ,  沈侃毅 ,  黄杰 ,  李国保

IPC分类号： G01R33/12

CPC分类号： G06F17/13 ,  G01N27/72 ,  G01R33/0064

摘要： 一种取向硅钢电磁性能的检测方法，通过金相蚀坑法测得试样中每个晶粒的欧拉角，并计算出该晶粒的取向偏差角θi(度)，结合该晶粒的面积Si(mm2)及Si元素的修正系数X，X＝0.1～10T/度)，利用这些参数(θi、Si、X)在单晶材料磁性能B0(饱和磁感应强度，T)的基础上进行修正，修正的公式为： 通过上述推算，得到该取向硅钢的电磁性能B8。本发明解决了没有磁测设备的情况下，或者由于试样重量和尺寸过小或表面质量不良等原因而无法采用磁测设备的情况下，完成试样的磁性检测的难题。

公开(公告)号：CN101308198A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810129027.5

申请日：2002-11-29

申请人： 雅马哈株式会社

发明人： 佐藤秀树

IPC分类号： G01R33/09 ,  H01L27/22 ,  H01L23/522

CPC分类号： G01R33/02 ,  B82Y25/00 ,  G01C17/38 ,  G01R33/0005 ,  G01R33/0064 ,  G01R33/0206 ,  G01R33/09 ,  G01R33/091 ,  G01R33/093 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： 磁传感器(10)包括GMR元件(11－18)，以及用作发热元件的加热线圈(21－24)。元件(11－14)和(15－18)通过桥连接构成X轴传感器和Y轴传感器。加热线圈(21)设置于元件(11，12)附近，并且加热线圈(22)设置于元件(13，14)附近，并且加热线圈(23)设置于元件(15，16)附近，并且加热线圈(24)设置于元件(17，18)附近。加热线圈(21－24)通电时主要加热其邻近元件。因此，可以在地磁可确保不变的很短时间内对这些元件进行加热和冷却。基于在加热之前和之后的这些元件的温度以及各自磁传感器的输出，得到温度相关特性补偿数据(传感器输出值改变量对元件温度改变量的比值)并根据该数据对这些元件的温度特性进行补偿。

公开(公告)号：CN107356269A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710325735.5

申请日：2017-05-10

申请人： 迈来芯电子科技有限公司

发明人： S·休伯 ,  林登贝格尔 ,  S·法兰西斯

IPC分类号： G01D5/14

CPC分类号： G01R33/0082 ,  G01R33/0023 ,  G01R33/0064 ,  G01R33/07 ,  G01D5/142

摘要： 一种用于测量磁场强度的集成半导体设备(100、200、1500)，包括：霍尔传感器(11)、具有第一应力灵敏度(SS1)和第一温度灵敏度(TS1)的第一侧向各向同性传感器(21)、具有第二应力灵敏度(SS2)和第二温度灵敏度(TS2)的第二侧向各向同性传感器(31)、任选的放大装置(13)、数字化装置(14)；以及计算装置，其被配置成基于可被表示成仅含两个参数(Δσiso、ΔT或V1、V2)的n阶多项式的预定义的公式来在数字域中计算经应力和温度补偿的霍尔值(VHcomp)。这些参数(V1、V2)可直接从传感器元件被获得，或者它们(Δσiso、ΔT)可根据两个联立方程的组被计算出。一种获得霍尔电压信号并且针对应力和温度漂移补偿所述信号的方法。

公开(公告)号：CN102981140A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210320349.4

申请日：2012-08-31

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金应善 ,  朴度炯 ,  金勇

IPC分类号： G01S5/00

CPC分类号： G01R33/0064 ,  G01B1/00 ,  G01R1/00 ,  G01R33/1207 ,  G06T1/00

摘要： 提供一种用于利用磁场测量终端的位置的方法和设备。例如，该设备可利用由磁场传感器获取的磁场和有多个其他传感器获取的一个或多个传感器值，测量终端的位置。

公开(公告)号：CN102959421A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180031674.2

申请日：2011-07-22

申请人： 株式会社东芝

发明人： 宇田川惠祐 ,  腰塚正 ,  斋藤实 ,  佐藤纯正 ,  前原宏之

IPC分类号： G01R33/02 ,  G01R33/12 ,  H01F41/00

CPC分类号： G01R33/02 ,  G01R33/0064 ,  G01R33/12

摘要： 本发明提供在实施了伴随有针对变压器绕组的直流电压施加的现场试验或检修的情况下推定试验或检修后的残留磁通量的变压器的残留磁通量推定方法及残留磁通量推定装置。残留磁通量推定装置（1）具备：直流电源控制装置（11），控制直流电源（300），向作为二次绕组或三次绕组的Δ接线的2个端子间施加直流电压；电压计测装置（12），计测3相变压器（200）的一次侧的端子电压；运算装置（13），从施加了电压的相以外的2相中决定电压较大的相；和残留磁通量计测装置（14），将由所决定的相以外的2相构成的线间推定为残留磁通量最大的线间。

公开(公告)号：CN107850646A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680044883.3

申请日：2016-07-20

申请人： 金伯利-克拉克环球有限公司

发明人： J·R·费尔德坎普 ,  S·J·沙利文 ,  A·M·朗

IPC分类号： G01R33/00 ,  G01R33/34 ,  A61B5/05 ,  G08C17/02

CPC分类号： A61B5/0522 ,  A61B5/061 ,  A61B5/065 ,  A61B5/067 ,  A61B5/7203 ,  A61B5/7235 ,  A61B2560/0406 ,  A61B2560/0425 ,  A61B2560/0431 ,  A61B2560/0462 ,  A61B2562/0219 ,  A61B2562/0223 ,  G01R33/00 ,  G01R33/0064 ,  G01R33/10 ,  G01V3/10 ,  G08C17/02

摘要： 提供用于使用手持式装置进行磁感应断层成像的设备、系统和方法。更具体地讲，磁感应断层成像系统可以包括手持式磁感应断层成像装置，其具有外壳和至少一个感测单元。所述手持式装置的所述外壳可以具有形状因数，使得当所述手持式装置在操作时，手抓握所述外壳的位置与所述感测单元隔开。所述手持式磁感应成像断层成像装置可以包括一个或多个电部件，所述电部件在所述外壳中与所述至少一个感测单元隔开(例如，被屏障隔开)，以减少所述至少一个感测单元与所述一个或多个电部件之间的电磁干扰。涉及被包括在所述手持式装置的内部和/或外部的部件的定位系统可以用来确定所述手持式装置的位置数据。

公开(公告)号：CN105698785A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201511035928.4

申请日：2015-12-02

申请人： 霍尼韦尔国际公司

发明人： 李晓红 ,  B·B·潘特 ,  K·雷普翁 ,  R·勒旺多维斯基 ,  J·N·赫里克斯

IPC分类号： G01C21/08

CPC分类号： G01B7/14 ,  G01B7/003 ,  G01R33/0064 ,  G06F3/012 ,  G01C21/08

摘要： 使用一个或多个磁场的运动追踪系统。一种用于追踪对象的运动的系统包括被配置成生成静态磁场的至少第一磁源，其中所述磁源被固定在第一坐标框架中，以及配置成位于对象上并且检测静态磁场的多个磁性传感器。磁性传感器位于相对于第一坐标框架可移动的第二坐标框架中。处理器操作用于从磁性传感器接收磁场数据。耦合到处理器的存储器单元存储针对第一坐标框架定义的磁场模型或磁场数据库，以及针对第二坐标框架定义的具有不确定性的磁性传感器测量模型。处理器基于存储在存储器单元中的磁场数据和其它信息来计算和输出对象的已估计位置和取向。

公开(公告)号：CN102763180B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201180009174.9

申请日：2011-02-08

申请人： 日立金属株式会社

发明人： 枣田充俊

IPC分类号： H01F41/02 ,  G01R33/12 ,  G06F17/50 ,  H01F1/053

CPC分类号： G01R33/1207 ,  G01R33/0064 ,  G06F17/5009 ,  G06F2217/16 ,  G06F2217/84 ,  H01F1/057 ,  H01F41/0293 ,  Y02T10/82

摘要： 本发明提供一种磁力特性计算方法、磁力特性计算装置以及计算机程序。在本发明中，使用预先存储的表示δ（深度）－△HcJ（矫顽力增加量）的对应的数据库和表示Dy导入量－△HcJ的对应的数据库，根据磁体的形状信息和Dy导入面的信息求出磁体内的导入量的分布（S8），根据Dy导入量的分布计算磁体内的△HcJ的分布（S9）。对于不具有均匀矫顽力分布的磁体，使用计算出的△HcJ的分布来计算J－H曲线（S 11和12），使用温度系数来计算预定温度（100℃）下的去磁因数。

公开(公告)号：CN103718180A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280035526.2

申请日：2012-06-05

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 牧晃司

IPC分类号： G06F17/50 ,  G01R33/12

CPC分类号： G01R33/02 ,  G01R33/0064 ,  G01R33/075 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5036 ,  G06F2217/16 ,  Y02T10/82

摘要： 提供一种磁场分析程序和磁场分析方法，能够高速且高精度地计算由叠加在直流磁场上的交流磁场引起的电感。该磁场分析程序通过频率响应分析来求解交流磁场，使计算机执行以下处理：输入直流磁通密度或直流磁场强度、交流电流的振幅和频率、分析对象的磁性部件的初始磁化曲线，在输入的是直流磁通密度的情况下求取直流磁场强度，在输入的是直流磁场强度的情况下求取直流磁通密度（S100）；使用交流电流的振幅和频率执行频率响应分析，计算交流磁通密度和交流磁场强度（S104）；和导出满足以下条件的解的步骤（S105、S106），该解使得通过频率响应分析获得的交流磁通密度的最大值与直流磁通密度之和，在期望的精度下，与由通过频率响应分析获得的交流磁场强度的最大值与直流磁场强度之和以及初始磁化曲线所决定的磁通密度一致。