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公开(公告)号：CN85104646A
公开(公告)日：1986-06-10
申请号：CN85104646
申请日：1985-06-15
申请人： 能源转换装置公司
发明人： 罗萨·扬 , 尤金妮亚·米蒂利尼尔
IPC分类号： G11B7/24
CPC分类号： G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/243 , G11B9/00 , G11B11/00 , G11B2007/24312 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
摘要： 所发明的是一种可用投射束进行变换的数据存储器件，它包含状态可变的存储材料，该存储材料是一个多相系统，该系统包含有大体上连续的介电陶瓷相，和以断续晶粒形态存在的状态可变相。
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公开(公告)号：CN1350489A
公开(公告)日：2002-05-22
申请号：CN00807627.8
申请日：2000-03-10
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
摘要： 一种信息记录媒体,在基板上设有记录材料层,利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移,形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中,含有晶格缺陷的结晶结构的材料,或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相,所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料,而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体,由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小,耐候性好,抗组成变动强,而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN101872627A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010113952.6
申请日：2000-03-10
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B7/24
CPC分类号： G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN1294030C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN00807627.8
申请日：2000-03-10
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN1967688B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610160332.1
申请日：2000-03-10
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN1664941A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510056039.6
申请日：2000-03-10
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN101872627B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010113952.6
申请日：2000-03-10
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/26 , G11B9/00 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11C13/00 , H01L45/00
CPC分类号： G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN100377239C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200510056039.6
申请日：2000-03-10
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆的相转移的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆的相转移的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶结构的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN101023477A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580027855.2
申请日：2005-06-17
申请人： 惠普开发有限公司
CPC分类号： G11B9/1409 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/14 , G11B9/1427 , Y10S977/943
摘要： 一种半导体存储器设备(30)，包括尖端电极(40，42，114)、介质电极(48)和存储介质(44)。该存储介质具有存储区域(46)，所述存储区域(46)可通过使电流(60)流过在尖端电极和介质电极之间的存储区域而被配置为处于多个结构状态之一，以用于表示在所述存储区域所存储的信息。
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公开(公告)号：CN1967688A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610160332.1
申请日：2000-03-10
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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