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    电阻交叉点阵列中多比特存储单元的读操作
    1.
    发明公开
    电阻交叉点阵列中多比特存储单元的读操作 有权 转让

    公开(公告)号：CN1516187A

    公开(公告)日：2004-07-28

    申请号：CN03145804.1

    申请日：2003-07-03

    申请人： 惠普开发有限公司

    发明人： M·沙马 ,  L·T·特兰

    IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C7/06

    CPC分类号： G11C11/56 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/5607 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/005

    摘要： 数据存储装置(110)包括存储单元(114)的电阻的交叉点阵(112)。每一个存储单元(114)包括串联的第一和第二电阻器件(10，20)。每一电阻器件具有可编程的第一和第二电阻状态。所述数据存储器件还包括多个第一、第二和第三导体(116)以及读出电路(126)。每一个第一导体(118)连接到第一磁阻器件(10，20)列的数据层；每一个第二导体(120)连接到第二磁阻器件(10，20)列的数据层；而每一个第三导体(116)位于第一和第二磁阻器件(10，20)行的参考层之间。在读操作期间，读电路(126)施加不同的第一和第二电压。第一电压加到与所选存储单元(114)交叉的第一和第二导体(120)，而第二电压加到与所选存储单元(114)交叉的第三导体(116)。

    磁性存储器件和方法
    2.
    发明公开
    磁性存储器件和方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN1487524A

    公开(公告)日：2004-04-07

    申请号：CN03136044.0

    申请日：2003-05-15

    申请人： 惠普开发有限公司

    发明人： M·沙马 ,  L·T·特兰

    IPC分类号： G11C11/15

    CPC分类号： B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3277

    摘要： 本发明提供一种磁性存储器件和方法。在一个实施例中，本发明的磁性存储器件包括合成铁磁数据、软参考层和隧道层。合成铁磁数据层具有可指向第一取向和第二取向的磁矩。软参考层具有比合成铁磁数据层较低的矫顽力。隧道层具有被合成铁磁数据层和软参考层的磁矩取向影响的电阻特性。

    能够校准的存储器设备及其校准方法
    5.
    发明公开
    能够校准的存储器设备及其校准方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN1487525A

    公开(公告)日：2004-04-07

    申请号：CN03136379.2

    申请日：2003-06-03

    申请人： 惠普开发有限公司

    发明人： L·T·特兰 ,  M·K·巴塔查里亚

    IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C7/00

    CPC分类号： G11C29/028 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C29/50 ,  G11C2029/5002 ,  G11C2029/5006

    摘要： 一种具有存储器单元(130)的一个交叉点阵列(100)的存储器设备(50)，其包括一个温度传感器(150)和一个参考存储器单元(160)。温度传感器(150)检测存储器设备(50)的温度(T)，来自温度传感器(150)和参考存储器单元(160)的数据用于更新用来对存储器单元(130)的阵列(100)编程的写入电流(IxPA，IyPA，IxAP，IyAP，Ix，Iy)。一种校准存储器设备(50)的方法包括检测存储器设备(50)的温度(T)，决定存储器设备的温度是否改变了一个阈值(ΔT)，如果存储器设备的温度改变了该阈值(ΔT)则更新写入电流(IxPA，IyPA，IxAP，IyAP，Ix，Iy)。写入电流值可以通过来自参考存储器单元(160)的数据，或是来自存储在查找表中的写入电流值来进行更新。

    用在MRAM器件中的改进的二极管及其制造方法
    7.
    发明公开
    用在MRAM器件中的改进的二极管及其制造方法 无效 转让

    公开(公告)号：CN1487523A

    公开(公告)日：2004-04-07

    申请号：CN03119976.3

    申请日：2003-03-14

    申请人： 惠普开发有限公司

    发明人： M·沙马 ,  L·T·特兰

    IPC分类号： G11C11/15 ,  H01L21/70

    CPC分类号： H01L27/224 ,  G11C11/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

    摘要： 公开了一种数据存储器件，其具有多个字线(26，28)、多个位线(20、22、24)和存储单元(40－50)的电阻交叉点阵列。每个存储单元连接到位线并连接到隔离二极管(88)，而隔离二极管进一步连接到相应字线。隔离二极管(88)提供从位线到字线的单向导电路径。每个字线提供与共享字线的每个二极管的公共金属－半导体接触件，因此每个二极管具有位于公共金属－半导体接触件的半导体部分和其相应的存储单元之间的分开的金属接触件。