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    记录介质、记录装置以及记录方法
    2.
    发明授权
    记录介质、记录装置以及记录方法 失效

    公开(公告)号：CN1193364C

    公开(公告)日：2005-03-16

    申请号：CN00135309.8

    申请日：2000-09-29

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 内藤胜之 ,  稗田泰之

    IPC分类号： G11B9/08

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B9/08 ,  G11B9/1409 ,  G11B13/06

    摘要： 本发明提供了一种具有多个电荷积聚区和光电导区的记录介质，其中的每个电荷积聚区含能够积聚电荷的第一种材料，其中的光电导区含由于吸收光而使导电率增加的第二种材料。提供了一种包括这种记录介质的记录装置以及在这种记录介质上记录信息的记录方法。在本发明中，通过用光辐照光电导区，并且通过有光辐照光的电导区的那部分将电荷注入所述电荷积聚区，而将信息记录在所述记录介质上。

    基于电流分配的存储装置
    4.
    发明授权
    基于电流分配的存储装置 失效

    公开(公告)号：CN100474421C

    公开(公告)日：2009-04-01

    申请号：CN02149902.0

    申请日：2002-10-30

    申请人： 惠普公司

    发明人： G·A·吉布森

    IPC分类号： G11B7/24 ,  G11B9/08 ,  G11C11/42 ,  H01L27/10

    CPC分类号： G11B11/08 ,  G11B7/004 ,  G11B9/04 ,  G11B11/10 ,  G11B11/12

    摘要： 数据存储媒体(20)包括多个叠层(30、40、50、60、70、80、90、140、160、180)。叠层(30、40、50、60、70、80、90、140、160、180)可以是导电的、绝缘的、电阻的、或者能够在两种或多种状态或相之间改变。数据存储装置还包括数据存储媒体(20)和可以在数据存储媒体(20)的区域中形成纳米级数据比特(110、111、112、113、150)的能源(10)。数据比特(110、111、112、113、150)可以包括贯穿一些叠层(30、40、50、60、70、80、90、140、160、180)的孔，或者在能够在两种或多种状态之间改变的层的部分中的相变。另外，一种利用这种存储媒体(20)以存储纳米级数据比特(110、111、112、113、150)的方法。

    一种生产驻极体材料的方法
    6.
    发明授权
    一种生产驻极体材料的方法 失效

    公开(公告)号：CN101777425B

    公开(公告)日：2012-07-04

    申请号：CN200910261498.6

    申请日：2009-12-08

    申请人： 索尼株式会社

    发明人： N·诺尔 ,  S·罗塞利 ,  T·米特瓦 ,  G·内尔斯

    IPC分类号： H01G7/02 ,  H04R19/01 ,  G11B9/08

    CPC分类号： H01G7/023 ,  B01D39/1692 ,  B01D2239/0435 ,  H01L41/193 ,  H01L41/45

    摘要： 本发明涉及一种生产驻极体材料的方法，包括提供聚合物电介体材料，充电所述聚合物电介体材料，同时将所述材料周围的相对湿度条件维持在用户定义范围内的相对湿度，其中充电通过选自以下的方法进行：(i)加热所述聚合物电介体材料至超过所述材料的熔化温度或玻璃化转变温度的温度，使所述材料经受电场并在存在所述电场的情况下将所述材料冷却至低于所述熔化温度或玻璃化转变温度的温度，(ii)电晕充电，(iii)使所述材料经受电子束或离子束，(iv)接触带电，和(v)任何前述方法的组合。还涉及一种由水溶性聚合物或亲水性聚合物或聚电解质聚合物制造的新的驻极体材料和包含这种驻极体材料的装置。

    基于电流分配的存储媒体
    8.
    发明公开
    基于电流分配的存储媒体 失效

    公开(公告)号：CN1417784A

    公开(公告)日：2003-05-14

    申请号：CN02149902.0

    申请日：2002-10-30

    申请人： 惠普公司

    发明人： G·A·吉布森

    IPC分类号： G11B7/24 ,  G11B9/08 ,  G11C11/42 ,  H01L27/10

    CPC分类号： G11B11/08 ,  G11B7/004 ,  G11B9/04 ,  G11B11/10 ,  G11B11/12

    摘要： 数据存储媒体(20)包括多个叠层(30、40、50、60、70、80、90、140、160、180)。叠层(30、40、50、60、70、80、90、140、160、180)可以是导电的、绝缘的、电阻的、或者能够在两种或多种状态或相之间改变。数据存储装置还包括数据存储媒体(20)和可以在数据存储媒体(20)的区域中形成纳米级数据比特(110、111、112、113、150)的能源(10)。数据比特(110、111、112、113、150)可以包括贯穿一些叠层(30、40、50、60、70、80、90、140、160、180)的孔，或者在能够在两种或多种状态之间改变的层的部分中的相变。另外，一种利用这种存储媒体(20)以存储纳米级数据比特(110、111、112、113、150)的方法。

    一种生产驻极体材料的方法
    9.
    发明公开
    一种生产驻极体材料的方法 失效

    公开(公告)号：CN101777425A

    公开(公告)日：2010-07-14

    申请号：CN200910261498.6

    申请日：2009-12-08

    申请人： 索尼株式会社

    发明人： N·诺尔 ,  S·罗塞利 ,  T·米特瓦 ,  G·内尔斯

    IPC分类号： H01G7/02 ,  H04R19/01 ,  G11B9/08

    CPC分类号： H01G7/023 ,  B01D39/1692 ,  B01D2239/0435 ,  H01L41/193 ,  H01L41/45

    摘要： 本发明涉及一种生产驻极体材料的方法，包括提供聚合物电介体材料，充电所述聚合物电介体材料，同时将所述材料周围的相对湿度条件维持在用户定义范围内的相对湿度，其中充电通过选自以下的方法进行：(i)加热所述聚合物电介体材料至超过所述材料的熔化温度或玻璃化转变温度的温度，使所述材料经受电场并在存在所述电场的情况下将所述材料冷却至低于所述熔化温度或玻璃化转变温度的温度，(ii)电晕充电，(iii)使所述材料经受电子束或离子束，(iv)接触带电，和(v)任何前述方法的组合。还涉及一种由水溶性聚合物或亲水性聚合物或聚电解质聚合物制造的新的驻极体材料和包含这种驻极体材料的装置。