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公开(公告)号：CN107949924A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201680043617.9
申请日：2016-07-19
申请人： 南洋理工大学
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14683 , G11C13/0007 , G11C13/047 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , H01L27/14601 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1641 , H01L51/441
摘要： 提供了一种用于感测光学光线的传感器元件。传感器元件可包括用于电连接到第一电源电压的第一电极，用于电连接到第二电源电压的第二电极，以及在第一电极和第二电极之间的氧化物电介质元件。氧化物电介质元件可以配置为在第一电源电压和第二电源电压之间的电位差超过阈值电平之后形成导电细丝，从而减小氧化物电介质元件的电阻。传感器元件还可以包括检测器。第一电极可以配置为允许光学光线穿过第一电极到氧化物电介质元件。检测器可以配置为在氧化物电介质元件接收到光学光线之后检测氧化物电介质元件的电阻的增加。
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公开(公告)号：CN105474076A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480046855.6
申请日：2014-08-14
申请人： 国际商业机器公司
发明人： E.洛特施尔
CPC分类号： G11C13/047 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G02B5/008 , G02B6/1225 , G02B6/1226 , G02B6/1228 , G02B6/262 , G02B2207/101 , G02F1/0126 , G02F3/00 , G02F2203/10 , G11C11/42 , G11C13/025 , G11C13/044 , G11C2213/77
摘要： 一种状态可改变装置(1)包括：被布置为彼此邻近的第一和第二粒子(2、3)；所述第一和第二粒子(2、3)之间的耦合材料(4)；其中所述第一和第二粒子(2、3)被适配为提供电荷载流子分布，使得表面等离子激元极化激元(SPP)出现；所述耦合材料(4)被适配为响应于触发信号(L)展现可变的传导性，由此改变所述第一和第二粒子之间的电光耦合；所述第一和第二粒子(2，3)被布置为彼此邻近，使得第一SPP配置(P1)对应于所述第一和第二粒子(2、3)之间的第一电光耦合，并且第二SPP配置(P2)对应于所述第一和第二粒子(2、3)之间的第二电光耦合。
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公开(公告)号：CN1921010B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610115059.0
申请日：2006-08-23
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G11C11/42
CPC分类号： G11C13/0009 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/04 , G11C13/047 , G11C2013/0054 , H01L45/1213 , H01L45/145
摘要： 一种结构及用于操作该结构的方法。该方法包括在衬底上提供电阻/反射区，其中所述电阻/反射区包括一种材料，所述材料具有由于其吸收热而改变其反射系数的特性；通过所述电阻/反射区发送电流，以使所述电阻/反射区的反射系数从第一反射系数值变为不同于所述第一反射系数值的第二反射系数值；以及光学地读出所述电阻/反射区的反射系数变化。
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公开(公告)号：CN1279542C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN02106766.X
申请日：2002-03-07
申请人： 惠普公司
IPC分类号： G11C7/24 , G11C11/4063 , G11C11/413 , G11B27/10
CPC分类号： G11C13/047 , G11C17/16
摘要： 一个用于记录、寻址和读取数据的电可寻址设备，包括一个具有多个数据存储介质层的存储器阵列单元，每一层被安置在一个基底上；和与存储介质的至少一层有关以提供一个显示指示预选信息的电标记设备。该电子标记设备包括至少一个显示层，所述显示层可以部分可视地替换以提供所述显示。该显示层还包括多个多态信息存储单元，每一个表示至少一个数据位的值，其中每一个信息存储单元视觉外表根据信息存储单元的状态而变化。本发明还提供一个用于标记一个用于记录、寻址和读取数据的电可寻址设备的内容的方法。该方法包括选择数据电保存在最外层上以提供指示诸如存储器阵列模块中所保存数据特性的预选信息的显示。
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公开(公告)号：CN103544984A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310290656.7
申请日：2013-07-11
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/165 , G11C5/025 , G11C5/04 , G11C7/1009 , G11C7/1054 , G11C7/1057 , G11C7/1081 , G11C7/222 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/5607 , G11C13/047 , G11C29/022 , G11C29/028 , G11C29/50008
摘要： 公开了一种诸如磁性随机存取存储器（MRAM）的磁性存储设备，及在其上安装了磁性存储设备的存储模块和存储系统。MRAM包括：磁性存储单元，每个磁性存储单元根据磁化方向在至少两个状态之间变化；及提供各种接口功能的接口单元。存储模块包括模块板和安装在模块板上的至少一个MRAM芯片，并且进一步包括管理至少一个MRAM芯片的操作的缓冲器芯片。存储系统包括MRAM和与MRAM通信的存储控制器，并且通过使用连接在MRAM和存储控制器之间的光链路，可以通信电向光转换信号或光向电转换信号。
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公开(公告)号：CN101499498B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200910009810.2
申请日：2009-01-23
申请人： 索尼株式会社
发明人： 田中勉 , 达拉姆·帕尔·戈斯艾因
IPC分类号： H01L31/113 , H01L29/78 , H01L27/146 , G11C11/42
CPC分类号： G11C13/047 , H01L27/14609 , H01L29/7869 , H04N5/374
摘要： 本发明提供了光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件，其中，该光学传感器元件具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至半导体层的源电极和漏电极，其中，被半导体层接收的光量被读出作为相对于栅电压以非易失性方式变化的漏电流。本发明能够使用最新发现的由于半导体层的光接收带来Vg-Id特性的非易失性变化来检测被半导体层接收的光量，并且能够将此非易失性变化用作存储器功能。
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公开(公告)号：CN101499498A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910009810.2
申请日：2009-01-23
申请人： 索尼株式会社
发明人： 田中勉 , 达拉姆·帕尔·戈斯艾因
IPC分类号： H01L31/113 , H01L29/78 , H01L27/146 , G11C11/42
CPC分类号： G11C13/047 , H01L27/14609 , H01L29/7869 , H04N5/374
摘要： 本发明提供了光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件，其中，该光学传感器元件具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至半导体层的源电极和漏电极，其中，被半导体层接收的光量被读出作为相对于栅电压以非易失性方式变化的漏电流。本发明能够使用最新发现的由于半导体层的光接收带来Vg－Id特性的非易失性变化来检测被半导体层接收的光量，并且能够将此非易失性变化用作存储器功能。
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公开(公告)号：CN1723497A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200380105544.4
申请日：2003-11-12
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人： R·库特 , C·T·H·F·里伊登鲍姆 , R·F·M·亨德里克斯
IPC分类号： G11B7/24
CPC分类号： G11C13/047 , B82Y10/00 , G11B7/243 , G11B2007/24328 , G11C13/025 , G11C13/04
摘要： 一种光学信息记录介质(1)，具有至少一个信息层(100)，该信息层包括透明基底，其中嵌入了具有对称轴的纳米单元(101)，例如纳米管。通过将选定区域(110、120)内的纳米单元的轴定向在相同方向上，可以记录信息。利用具有对应于所述纳米单元方向的偏振方向(p1、p2)的辐射光束，可以从介质中读取信息，从而生成吸收性信息区域(110、120)。这样可以实现高信息密度。
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公开(公告)号：CN101515104A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910004710.0
申请日：2009-02-20
申请人： 冲电气工业株式会社
发明人： 冈山秀彰
CPC分类号： H04Q11/0003 , G02F1/0126 , G02F2201/205 , G02F2202/32 , G02F2203/15 , G11C13/047
摘要： 本发明提供光缓存装置。其课题在于，按照每个光脉冲将作为信号光的光脉冲写入光存储元件或从光存储元件读出。作为解决手段，提供具有光延迟元件(30)和能够保持光的多个光存储元件(20)的光缓存装置(10)。多个光存储元件配置为排列于在彼此相反的方向上传播信号光和控制光的光路上。并且，光延迟元件分别设置在邻接的光存储元件之间。各光延迟元件对信号光和控制光赋予不同的延迟。根据该光缓存装置的优选实施方式，光存储元件具有：传播信号光和控制光的光波导；以及接近该光波导而设置的光学谐振器，根据有无输入控制光，来生成或解除光波导和光学谐振器之间的耦合。
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公开(公告)号：CN1326124C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN01823864.5
申请日：2001-12-07
申请人： 研究投资网络公司
IPC分类号： G11B7/0065
CPC分类号： G11B7/08564 , G11B7/0065 , G11B7/1362 , G11C13/04 , G11C13/042 , G11C13/047
摘要： 本发明包括一种用于从光子衍射存储器读取信息的系统。所述系统包括：相干光源，配置来产生会聚光束；偏转器，配置来偏转所述会聚光束；MOEMS矩阵微型镜片，配置来在所述微型镜片之一接收来自所述偏转器的所述偏转的光束；光子衍射矩阵存储器，其具有多个点，配置来在所述的点之一接收从所述微型镜片反射的所述反射的光束；检测器，其具有多个光检测单元，至少所述单元之一接收通过所述点传输的所述反射的光束的一部分；所述偏转器、MOEMS矩阵、矩阵存储器和检测器在一个平台上。根据本发明的这个衍射光学系统的紧凑结构结合了许多元件到紧凑的封装中，这个结构将用于光子衍射存储器的读取系统的寻址部件减小到火柴盒大小。
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