公开(公告)号：CN103984143A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410198048.8

申请日：2014-05-12

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 吴信颖 ,  王智杰

IPC分类号： G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362

CPC分类号： G09G3/3648 ,  G09G2310/06 ,  H01L21/0425 ,  H01L21/28 ,  H01L28/60 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/1884 ,  H01L33/387

摘要： 一种显示面板，包括第一像素阵列、第二像素阵列以及显示介质。第一像素阵列包括多个第一像素结构组。第二像素阵列包括多个第二像素结构组，且第二像素阵列与第一像素阵列重迭设置。显示介质位于第一像素阵列以及第二像素阵列之间。每一第一像素结构组、与第一像素结构组重迭设置的一个第二像素结构组以及位于第一像素结构组与第二像素结构组之间的显示介质构成显示单元组，且显示单元组包括多个显示单元。

公开(公告)号：CN105185792A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510646037.6

申请日：2015-09-30

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司 ,  武汉华星光电技术有限公司

发明人： 肖军城

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC分类号： G02F1/1339 ,  G02F1/0107 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13396 ,  G02F2001/13398 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2201/501 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/0425 ,  H01L29/786

摘要： 本发明公开了一种液晶显示面板、阵列基板及其制造方法，所述方法中，在低温多晶硅有源层的源极掺杂区和漏极掺杂区中的至少其中一个掺杂区上形成可控电阻间隔层，所述可控电阻间隔层在栅极层未施加开启信号时对流经的电流形成隔断作用，而在栅极层施加开启信号时对流经的电流形成导通作用，使形成有所述可控电阻间隔层的接触区通过所述可控电阻间隔层与对应的源极层或漏极层相连。通过上述方式，本发明能够减少薄膜晶体管器件的漏电。

公开(公告)号：CN102622122B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201110431993.4

申请日：2009-04-22

申请人： 株式会社日本显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

发明人： 寺本雅博

IPC分类号： G06F3/041

CPC分类号： G06F3/0416 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F3/047 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04111 ,  H01L21/0425 ,  H01L21/044 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H05K3/0017

摘要： 本发明提供一种静电电容耦合方式的触摸屏，能抑制特性降低。具备：在衬底上沿第一方向延伸且在与第一方向交叉的第二方向上并排设置的多个第一电极、以及与第一电极交叉且沿第二方向延伸并在第一方向上并排设置的多个第二电极，多个第二电极是矩阵状地形成在相同的层中的电极，多个第一电极的每一个具有与第二电极相比形成在下层且与第二电极交叉的第一部分以及在与第二电极相同的层中与第二电极分离地形成的第二部分，第一电极从第二部分经由形成在绝缘膜中的接触孔向下方延伸而与下层的第一部分连接，以覆盖第一电极和第二电极的方式在衬底上形成保护膜，绝缘膜和保护膜由负型光刻胶构成，第一电极以及第二电极由透明导电性材料构成。

公开(公告)号：CN105185792B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201510646037.6

申请日：2015-09-30

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司 ,  武汉华星光电技术有限公司

发明人： 肖军城

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC分类号： G02F1/1339 ,  G02F1/0107 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13396 ,  G02F2001/13398 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2201/501 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/0425 ,  H01L29/786

摘要： 本发明公开了一种液晶显示面板、阵列基板及其制造方法，所述方法中，在低温多晶硅有源层的源极掺杂区和漏极掺杂区中的至少其中一个掺杂区上形成可控电阻间隔层，所述可控电阻间隔层在栅极层未施加开启信号时对流经的电流形成隔断作用，而在栅极层施加开启信号时对流经的电流形成导通作用，使形成有所述可控电阻间隔层的接触区通过所述可控电阻间隔层与对应的源极层或漏极层相连。通过上述方式，本发明能够减少薄膜晶体管器件的漏电。

公开(公告)号：CN103984143B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410198048.8

申请日：2014-05-12

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 吴信颖 ,  王智杰

IPC分类号： G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362

CPC分类号： G09G3/3648 ,  G09G2310/06 ,  H01L21/0425 ,  H01L21/28 ,  H01L28/60 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/1884 ,  H01L33/387

摘要： 一种显示面板，包括第一像素阵列、第二像素阵列以及显示介质。第一像素阵列包括多个第一像素结构组。第二像素阵列包括多个第二像素结构组，且第二像素阵列与第一像素阵列重迭设置。显示介质位于第一像素阵列以及第二像素阵列之间。每一第一像素结构组、与第一像素结构组重迭设置的一个第二像素结构组以及位于第一像素结构组与第二像素结构组之间的显示介质构成显示单元组，且显示单元组包括多个显示单元。

公开(公告)号：CN102856358B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210122484.8

申请日：2007-05-16

申请人： 艾文斯技术有限公司

发明人： 格丽斯·安德鲁·泰勒

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L29/417 ,  H01L29/861 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L21/0405 ,  H01L21/0425 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/417 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/861

摘要： 公开了一种电气开关器件，该器件包括：衬底，所述衬底包括至少一个金刚石层；与所述衬底接触的至少一个第一电极，其中，至少一个所述第一电极包括延伸到所述衬底中的至少一个导电突起；以及至少一个第二电极，所述至少一个第二电极与所述衬底接触，并且与所述第一电极或每个所述第一电极间隔开。

公开(公告)号：CN104992975A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510254502.1

申请日：2015-05-18

申请人： 西安交通大学

发明人： 王宏兴 ,  胡超 ,  张景文 ,  王玮 ,  卜忍安 ,  侯洵

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/40 ,  H01L29/66 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/0425 ,  H01L29/405 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66969

摘要： 本发明公开一种金刚石功率晶体管及其制备方法，该晶体管包括氢终端金刚石、源电极、漏电极、栅介质和栅电极，该金刚石功率晶体管的源电极和漏电极采用环形结构；所述栅电极带有场板结构。本发明由于采用的是环形结构，可以有效地改善晶体管工作时的电流分布，有效的改善电场集中现象，从而可以明显提高器件的击穿电压。并且因为栅电极采用了场板结构，可以改善栅电极处的电流分布，从而可以进一步提高器件的击穿电压；该结构的金刚石功率晶体管，具有高的耐压能力，能够作用于高压高功率领域。

公开(公告)号：CN104201197A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410425765.X

申请日：2014-08-26

申请人： 电子科技大学

发明人： 张有润 ,  孙成春 ,  董梁 ,  马金荣 ,  张波

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/72 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0425 ,  H01L29/1608

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体的说是涉及一种碳化硅双极性晶体管。本发明的碳化硅双极性晶体管，其特征在于，在N+发射区205与P+掺杂区207之间的P-基区204上表面设置有N+外延层210；所述N+外延层210上表面设置有N+外延层电极211；所述基极208与N+外延层210和N+外延层电极211之间、N+外延层210和N+外延层电极211与N+发射区205和发射极206之间通过SiO2介质层209隔离。本发明的有益效果为，既能有效地降低表面复合、提高电流增益，同时其结构简单，在工艺上较容易实现。本发明尤其适用于碳化硅双极性晶体管。

公开(公告)号：CN105931991A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610436577.6

申请日：2016-06-17

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 周志超 ,  夏慧

IPC分类号： H01L21/82

CPC分类号： H01L21/0425 ,  G02F1/13439 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/82 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/78603 ,  H01L27/1259

摘要： 本发明公开一种电极的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层的远离所述衬底的表面上形成图案化的光阻，所述光阻具有相对设置的底面和顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的侧面，所述底面贴合所述缓冲层；通过干蚀刻，将所述缓冲层的未被所述光阻覆盖的部分去除，以形成容纳区；沉积导电膜层，所述导电膜层包括形成在所述顶面上的废料和填充于所述容纳区的电极；以及剥离所述废料和所述光阻。本发明所述电极的制备方法的良品率高。

公开(公告)号：CN102799301B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201110152884.9

申请日：2011-05-28

申请人： 宸鸿科技(厦门)有限公司

发明人： 余晶 ,  叶恵林 ,  王榕武

IPC分类号： G06F3/041

CPC分类号： H01G9/048 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04111 ,  G06F2203/04112 ,  H01L21/0425 ,  H01L21/044 ,  H01L21/048

摘要： 本发明提供一种触控面板的电极结构，包括复数个彼此间隔的第一电极区块和第二电极区块设置于一基板表面；复数个用以连接相邻所述第一电极区块的第一导线；以及复数个用以连接相邻所述第二电极区块的第二导线；其中，每个所述第二导线包括至少一导通部和至少一对第二导线支，且每对所述第二导线支设置于所述导通部两侧用以连接所述导通部与相邻所述第二电极区块；所述第一导线与所述第二导线交叉设置且相互绝缘。该结构可以克服触控板厚度较厚，工艺复杂的缺陷。本发明另提供一种触控面板的电极结构的制造方法，仅需以简易布线工艺在基板的单一表面施行即可完成所需的触控板电极结构，故在产业利用时，具有工艺简易、合格率高、制作成本低的优势。