公开(公告)号：CN108389780A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810162625.6

申请日：2018-02-26

申请人： 清华大学

发明人： 阮勇 ,  尤政 ,  魏启鹏 ,  刘通

IPC分类号： H01L21/02 ,  B81C1/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/505

CPC分类号： H01L21/02225 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/00365 ,  C23C16/345 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02109

摘要： 本发明涉及氮化硅薄膜及其制备方法，包括：提供一基底；将所述基底置于反应腔室内，向所述反应腔室通入反应气体；以及通过等离子体增强化学气相沉积法在所述基底上进行沉积得到氮化硅薄膜；其中，所述反应气体包括硅源和氮源，所述硅源的通入流量为2000标准毫升/分钟～3000标准毫升/分钟，所述氮源的通入流量为400标准毫升/分钟～500标准毫升/分钟，所述等离子体增强化学气相沉积法中的沉积温度为250℃～350℃，射频的高频功率为600W～900W，射频的低频功率为25W～100W。该方法具有沉积速率快、沉积温度低的优点，同时，采用该制备方法得到的氮化硅薄膜的本征应力为-150MPa～30MPa。

公开(公告)号：CN106558474A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610848019.0

申请日：2016-09-23

申请人： 应用材料公司

发明人： B·麦巴奇 ,  E·Y·叶 ,  M·B·奈克 ,  S·D·耐马尼

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/28518 ,  C23C16/42 ,  C23C16/4418 ,  C23C16/511 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/02425

摘要： 本文所述的实现方式大体涉及金属硅化物的选择性沉积的方法。更具体地，本文所述的实现方式大体涉及形成用于半导体应用的硅化镍纳米线的方法。在一个实现方式中，提供一种处理基板的方法。所述方法包括以下步骤：在基板表面上形成含硅层；在所述含硅层上形成含金属层，所述含金属层包含过渡金属；在所述含金属层的暴露的表面上形成约束层；以及在低于400摄氏度的温度下使所述基板退火，以便从所述含硅层和所述含金属层形成金属硅化物层，其中所述约束层抑制富金属的金属硅化物相的形成。

公开(公告)号：CN106373865A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610821754.2

申请日：2016-09-14

申请人： 齐鲁工业大学

发明人： 夏国栋 ,  王素梅

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02225 ,  H01L21/02227

摘要： 本发明属于新材料及半导体领域，特别涉及一种氧化铪介电薄膜的低温液相制备方法。包括如下步骤：称取可溶性的铪盐，量取溶剂，配置浓度为0.01-0.5摩尔/升的氧化铪前驱体溶液，经过0.1-3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化铪前驱体溶液；制备氧化铪薄膜：将氧化铪前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化铪前驱体薄膜，进行50-150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据氧化铪薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化铪溶液并退火处理，即得到氧化铪介电薄膜。本发明所得氧化铪薄膜介电性能高，在晶体管、电容器等微电子领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。

公开(公告)号：CN103339752A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201180066221.3

申请日：2011-12-02

申请人： 阿尔法贝特能源公司

发明人： 明强·易 ,  加布里埃尔·A·马特斯 ,  马修·L·斯卡林 ,  齐广·李 ,  塞尔文·姆肯海恩

IPC分类号： H01L35/28

CPC分类号： H01L21/02225 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L35/26

摘要： 提供一种具有至少一个嵌入式纳米线阵列的基体及其方法。基体包括纳米线以及位于纳米线之间的一种或多种填充材料。纳米线的每个包括第一端和第二端。纳米线基本上相互平行，并且通过一种或多种填充材料相对彼此固定到位。一种或多种填充材料的每种与小于50瓦每米每开氏度的导热率相关联。并且基体至少与升华温度和熔解温度关联，升华温度和熔解温度各高于350℃。

公开(公告)号：CN107561332A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710504244.7

申请日：2017-06-27

申请人： 施耐德电器工业公司

发明人： C.莫利尔 ,  P.卡乌斯 ,  S.昆塔纳德尔加多

IPC分类号： G01R15/00 ,  G01R15/04

CPC分类号： H01L21/76232 ,  G01R15/04 ,  H01C1/16 ,  H01C13/02 ,  H01F27/022 ,  H01G4/38 ,  H01G4/40 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/02521 ,  H01L27/11558

摘要： 本发明涉及一种电绝缘装置(10)，包括：具有厚度E的支撑件(100)，该支撑件包括分别称为前面和后面的彼此面对的两个面，所述两个面具有长度L、宽度1；在支撑件(100)的每个面上，多个分压器(110)被定位成在长度L上延伸，每个分压器(110)包括串联连接并且根据第一级(111)和第二级(112)布置的电气部件(120)，每个第一级(111)包括偶数部件的行(122)和奇数部件的行(123)，各行是平行的并且相邻，第二级(112)对应于部件(120)的线性布置。

公开(公告)号：CN103021964B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210374598.1

申请日：2012-09-27

申请人： 纳普拉有限公司

发明人： 关根重信 ,  关根由莉奈

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/02227 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种在硅基板、半导体电路元件或绝缘层中不产生裂纹的高可靠度的半导体基板、电子器件及其制造方法。绝缘层（3）是由二氧化硅微粒（311）和浸渗在二氧化硅微粒（311）‑（311）间产生的间隙内并将该间隙填埋的纳米晶体或纳米非晶形的二氧化硅（320）构成的纳米复合结构。

公开(公告)号：CN103339752B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201180066221.3

申请日：2011-12-02

申请人： 阿尔法贝特能源公司

发明人： 明强·易 ,  加布里埃尔·A·马特斯 ,  马修·L·斯卡林 ,  齐广·李 ,  塞尔文·姆肯海恩

IPC分类号： H01L35/28

CPC分类号： H01L21/02225 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L35/26

摘要： 提供一种具有至少一个嵌入式纳米线阵列的基体及其方法。基体包括纳米线以及位于纳米线之间的一种或多种填充材料。纳米线的每个包括第一端和第二端。纳米线基本上相互平行，并且通过一种或多种填充材料相对彼此固定到位。一种或多种填充材料的每种与小于50瓦每米每开氏度的导热率相关联。并且基体至少与升华温度和熔解温度关联，升华温度和熔解温度各高于350℃。

公开(公告)号：CN105826170A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610249178.9

申请日：2016-04-20

申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所

发明人： 王富 ,  王传义 ,  王熠

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02112 ,  H01L21/02225

摘要： 本发明涉及一种在石墨基底上构筑金属有机框架薄膜的方法，该方法首先采用在石墨基底上由4,4’?二十四基?2,2’?联吡啶通过分子自组装法得到晶型结构Ⅰ的自组装膜，然后，分别采用醋酸锌和醋酸铜溶液，用原位滴加的方法得到晶型结构Ⅱ和晶型结构Ⅲ的金属有机框架薄膜，所用的4,4’?二十四基?2,2’?联吡啶溶液的浓度低；所用的高定向裂解石墨是由石墨烯层堆叠的，表面平整，用透明胶带按在表面剥离即可得到干净的石墨表面，易清洁可多次利用；温度条件温和；金属有机框架薄膜的晶型结构可按需求调节。通过本发明所述方法制备的石墨为基底的金属有机框架薄膜成膜均匀，缺陷少，操作简单，可用于光电分子传感器等领域。

公开(公告)号：CN105374855A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510479756.3

申请日：2015-08-07

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.K.约希

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/53238 ,  C23C18/00 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1291 ,  C23C18/14 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02225

摘要： 本发明涉及器件和用于制造器件的方法。在各种实施例中，提供了形成器件的方法。该方法包括在衬底之上形成金属层；以及形成至少一个屏障层。屏障层的形成包括在衬底之上沉积包括金属络合物的溶液；以及至少部分地分解金属络合物的配体。

公开(公告)号：CN105185792A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510646037.6

申请日：2015-09-30

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司 ,  武汉华星光电技术有限公司

发明人： 肖军城

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC分类号： G02F1/1339 ,  G02F1/0107 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13396 ,  G02F2001/13398 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2201/501 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/0425 ,  H01L29/786

摘要： 本发明公开了一种液晶显示面板、阵列基板及其制造方法，所述方法中，在低温多晶硅有源层的源极掺杂区和漏极掺杂区中的至少其中一个掺杂区上形成可控电阻间隔层，所述可控电阻间隔层在栅极层未施加开启信号时对流经的电流形成隔断作用，而在栅极层施加开启信号时对流经的电流形成导通作用，使形成有所述可控电阻间隔层的接触区通过所述可控电阻间隔层与对应的源极层或漏极层相连。通过上述方式，本发明能够减少薄膜晶体管器件的漏电。