公开(公告)号：CN100419950C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200510005697.2

申请日：1995-09-16

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 中岛节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

摘要： 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。

公开(公告)号：CN1395286A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN01139471.4

申请日：1995-09-16

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 中嶋节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC分类号： H01L21/00 ,  G02F1/133 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

摘要： 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。

公开(公告)号：CN104916546A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510239500.5

申请日：2015-05-12

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 闫梁臣

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L21/423 ,  H01L21/477

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/423 ,  H01L21/477 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786

摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制作方法及阵列基板和显示装置，以改善氮氧化锌ZnON作为有源层的薄膜晶体管的电气特性。阵列基板的制作方法包括在衬底基板上制作薄膜晶体管，在衬底基板上制作薄膜晶体管包含以下步骤：通过构图工艺形成包含氮氧化锌ZnON的有源层图案；对有源层进行含氧等离子体的轰击处理。在本发明实施例的技术方案中，通过对包含ZnON的有源层进行含氧等离子体的轰击处理，可以增加有源层的氧含量，从而有效降低有源层背沟道的载流子浓度，降低漏电流，抑制开启电压的负向漂移，并获得较大的电流开关比。因此，薄膜晶体管的电气特性得以改善，有利于提高显示品质。

公开(公告)号：CN103887344A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410073460.7

申请日：2014-02-28

申请人： 上海和辉光电有限公司

发明人： 鲁海生

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/423 ,  H01L29/66742

摘要： 本发明提供了一种IGZO薄膜层晶体管及改善IGZO薄膜层晶体管电学性能的方法，包括以下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括一衬底，所述衬底之上部分表面形成有金属栅，所述金属栅及衬底上表面覆盖有一栅氧化层；制备一IGZO薄膜层覆盖于所述栅氧化层上方，刻蚀所述IGZO薄膜层形成有源层和像素电极区，在所述IGZO薄膜层上方依次形成源电极、漏电极和钝化层；其中，在刻蚀所述IGZO薄膜层形成有源层后，采用等离子处理工艺对所述IGZO薄膜层表面进行处理。本发明通过采用含氧等离子体和UV辐射对IGZO薄膜层进行处理，改善IGZO薄膜的氧含量，减少IGZO薄膜与栅氧化层之间晶格缺陷，同时还可消除IGZO薄膜表面的杂质及缺陷，提高器件性能。

公开(公告)号：CN102569179B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210022734.0

申请日：2007-04-18

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： R·N·弗尔蒂斯 ,  吴定军 ,  M·L·奥奈尔 ,  M·D·比特纳 ,  J·L·文森特 ,  E·J·小卡瓦克基 ,  A·S·卢卡斯

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/764 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/423 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047

摘要： 本发明涉及形成受控的空隙的材料和方法。本发明的一个技术方案是在基底上形成气隙的方法，该方法包括：提供基底；通过沉积至少一种牺牲材料前体来沉积牺牲层；沉积复合层；除去复合层中的成孔剂以形成多孔层和使层状基底与除去介质接触以基本上除去牺牲材料并且在基底内提供气隙；其中至少一种牺牲材料前体选自有机成孔剂；硅和极性溶剂可溶的金属氧化物和其混合物。

公开(公告)号：CN105702742A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610105505.3

申请日：2016-02-25

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 邓永

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/423 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/34 ,  H01L21/423 ,  H01L21/77 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上形成有源层，并对所述有源层进行等离子表面处理，得到粗糙度小于10nm的有源层。在本发明中，虽然沉积形成的有源层粗糙度较大，并且存在缺陷，但本发明通过等离子表面处理技术对有源层进行处理，合理控制所选用的气体离子种类、离子轰击能量和角度等工艺参数，实现对有源层的有效挤压，这种挤压可分解为纵向和横向的作用力，使得氧化物半导体层表面的粗糙度和缺陷可以得到修饰，同时也使得氧化物半导体层的附着力得以提升。

公开(公告)号：CN1638034A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510005697.2

申请日：1995-09-16

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 中岛节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

摘要： 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。

公开(公告)号：CN102569179A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210022734.0

申请日：2007-04-18

申请人： 气体产品与化学公司

发明人： R·N·弗尔蒂斯 ,  吴定军 ,  M·L·奥奈尔 ,  M·D·比特纳 ,  J·L·文森特 ,  E·J·小卡瓦克基 ,  A·S·卢卡斯

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/764 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/423 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047

摘要： 本发明涉及形成受控的空隙的材料和方法。本发明的一个技术方案是在基底上形成气隙的方法，该方法包括：提供基底；通过沉积至少一种牺牲材料前体来沉积牺牲层；沉积复合层；除去复合层中的成孔剂以形成多孔层和使层状基底与除去介质接触以基本上除去牺牲材料并且在基底内提供气隙；其中至少一种牺牲材料前体选自有机成孔剂；硅和极性溶剂可溶的金属氧化物和其混合物。

公开(公告)号：CN1280871C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN01139471.4

申请日：1995-09-16

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 中节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC分类号： H01L21/00 ,  G02F1/133 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

摘要： 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。

公开(公告)号：CN1079987C

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：CN95118410.5

申请日：1995-09-16

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 中嶋节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

摘要： 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。