公开(公告)号：CN1221018C

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN98116320.3

申请日：1994-03-12

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦 ,  高山彻 ,  山本睦夫

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/00 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  Y10S148/016

摘要： 形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触，或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜，使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT，从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。

公开(公告)号：CN1156887C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN99118111.5

申请日：1994-06-22

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 张宏勇 ,  寺本聪

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02667 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/154

摘要： 制造TFTs的方法从在形成于衬底上的底层上选择性地形成镍膜开始。在镍膜上再形成非晶硅膜而且加热使之晶化。用红外光辐照该晶化了的膜使之退火。从而获得结晶度优良的结晶硅膜。用这种结晶硅膜来构成TFTs。

公开(公告)号：CN1143362C

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN99106954.4

申请日：1994-10-28

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 大谷久 ,  宫永昭治 ,  张宏勇 ,  福永健司

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  Y10S148/016

摘要： 制造高稳定性的和高可靠性的半导体的方法，包括：在非晶硅膜表面覆盖以含有能加速非晶硅膜晶化的催化元素的溶液，并在此之后对非晶硅膜热处理，以使此膜晶化。

公开(公告)号：CN1113409C

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN98103874.3

申请日：1994-08-10

申请人： 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

发明人： 船田文明 ,  森田达夫 ,  田仲广久 ,  张宏勇 ,  高山徹

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/1277 ,  Y10S148/016 ,  Y10S438/982

摘要： 一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。

公开(公告)号：CN1254940A

公开(公告)日：2000-05-31

申请号：CN99121306.8

申请日：1994-07-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 张宏勇 ,  大沼英人 ,  竹村保彦

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/06

摘要： 将图形转移到经退火而结晶的硅膜上之后,经强射线短时间辐照使硅膜退火。具体地讲,在退火结晶工艺中,将促进结晶化的元素如镍掺入其内。用强射线辐照也使退火未结晶的区区结晶,形成致密的硅膜。在掺入促进结晶化的金属元素之后,在含卤化物的气氛中对退火而结晶的硅膜进行强射线辐照,完成光的短时间辐照。在卤化气氛中经强射线辐照或加热使硅膜表面氧化,在硅膜上形成氧化膜,然后腐蚀掉氧化膜。结果去掉硅膜中的镍。

公开(公告)号：CN1136707A

公开(公告)日：1996-11-27

申请号：CN94116165.X

申请日：1994-07-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 张宏勇 ,  大沼英人 ,  竹村保彦

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/06

摘要： 将图形转移到经退火而结晶的硅膜上之后，经强射线短时间辐照使硅膜退火。具体地讲，在退火结晶工艺中，将促进结晶化的元素如镍掺入其内。用强射线辐照也使退火未结晶的区区结晶，形成致密的硅膜。在掺入促进结晶化的金属元素之后，在含卤化物的气氛中对退火而结晶的硅膜进行强射线辐照。完成光的短时间辐照。在卤化气氛中经强射线辐照或加热使硅膜表面氧化，在硅膜上形成氧化膜，然后腐蚀掉氧化膜。结果去掉硅膜中的镍。

公开(公告)号：CN1108804A

公开(公告)日：1995-09-20

申请号：CN94109084.1

申请日：1994-08-10

申请人： 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

发明人： 船田文明 ,  森田达夫 ,  田仲广久 ,  张宏勇 ,  高山徹

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1277 ,  Y10S148/016 ,  Y10S438/982

摘要： 一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同，从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。

公开(公告)号：CN1645621A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510009161.8

申请日：1994-12-02

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 木谷久 ,  宫永昭治 ,  竹山顺一

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36 ,  G09F9/30

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S438/918

摘要： 一种具有结晶半导体层的半导体器件制造方法，包括在相对低的温度下加热使非晶硅半导体层晶化的各步骤，这是由于使用促进晶化材料，诸如Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、Pb、P、As和Sb。该促进晶化的材料是由把它混入用来形成氧化硅的液体前体物内，并且将此先驱物涂在非晶硅膜上而导入的。于是，就可以将促晶化材料以最低浓度加入到非晶硅膜里。

公开(公告)号：CN1638034A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510005697.2

申请日：1995-09-16

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 中岛节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

摘要： 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。

公开(公告)号：CN1149639C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN98120978.5

申请日：1994-10-28

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 大谷久 ,  宫永昭治 ,  张宏勇 ,  福永健司

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  Y10S148/016

摘要： 一种半导体器件，包括至少一个含有结晶硅膜的有源区，在绝缘表面上形成，其特征在于，所述硅膜含促进非晶硅膜晶化过程的催化元素。