公开(公告)号：CN100364106C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200410068521.7

申请日：2001-03-27

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 森江隆 ,  岩田穆 ,  永田真 ,  山中登志夫 ,  松浦知宏

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/34 ,  G11C2216/08 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/7888

Abstract: 本发明是通过单电子动作可以得到高速稳定的动作的基于单电子电路的信息处理结构体，该信息处理结构体在微细的MOSFET(11)的栅极电极(12)的正上方，形成纳米级大小的多个量子点(13)，在量子点与栅极电极之间构成电子能够直接穿过的能量势垒，利用在量子点与栅极电极之间移动的电子的总数来表示信息，构成为设置成电源的一个电源电极，使之与量子点接触，在量子点与电源电极(14)之间构成电子能够直接穿过的能量势垒，设置2个信息电极(15)，使之与量子点接触，量子点与信息电极进行电容耦合，电子根据由信息电极决定的电位，利用库仑阻断现象通过量子点，在电源电极与栅极电极之间移动。

公开(公告)号：CN1385904A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN02100922.8

申请日：2002-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金炳晚 ,  金汶庆 ,  蔡熙顺 ,  柳元壹

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/772 ,  H01L21/82

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/7888

Abstract: 提供一种由栅电极和单电子储存单元之间的量子点组成的单电子存储器件及其制造方法。此单电子存储器件包含一个在其上在源极和漏极之间形成一个纳米尺度沟道的衬底,以及包含沟道区上的量子点的栅极叠层图形。栅极叠层图形包含在沟道区形成的一个下层,在下层上形成的单电子储存介质,用来储存隧穿通过下层的单个电子,一个包含在单电子储存介质上形成的量子点的上层,以及在上层上形成的要与量子点接触的栅电极。

公开(公告)号：CN1366712A

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：CN01801126.8

申请日：2001-03-27

Applicant: 科学技术振兴事业团

Inventor： 森江隆 ,  岩田穆 ,  永田真 ,  山中登志夫 ,  松浦知宏

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/10

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/34 ,  G11C2216/08 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/7888

Abstract: 本发明是通过单电子动作可以得到高速稳定的动作的基于单电子电路的信息处理结构体,该信息处理结构体在微细的MOSFET(11)的栅极电极(12)的正上方,形成纳米级大小的多个量子点(13),在量子点与栅极电极之间构成电子能够直接穿过的能量势垒,利用在量子点与栅极电极之间移动的电子的总数来表示信息,构成为设置成电源的一个电源电极,使之与量子点接触,在量子点与电源电极(14)之间构成电子能够直接穿过的能量势垒,设置2个信息电极(15),使之与量子点接触,量子点与信息电极进行电容耦合,电子根据由信息电极决定的电位,利用库仑阻断现象通过量子点,在电源电极与栅极电极之间移动。

公开(公告)号：CN1322379A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN00802054.X

申请日：2000-09-08

Applicant: 科学技术振兴事业团 ,  日本电气株式会社

Inventor： 大塚洋一 ,  曾根纯一 ,  蔡兆申 ,  中村泰信 ,  安井孝成

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L29/66 ,  H01L29/788

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/5657 ,  H01L27/11502 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/7888

Abstract: 实现器件的提高可靠性、降低消耗电力、高速动作。如果在源极(1)·漏极(2)间给出某个偏置电压并使栅极电压变化,则按照在岛电极(3)内量化的静电能级,在源极(1)·漏极(2)间离散地流过电流。此时的源极(1)·漏极(2)间电流的通·断可以通过在栅极上施加1/2单元电荷来进行。如果靠栅极电压在强介电体层(6)上引发极化,则其电场加在岛电极(3)上。可以高灵敏度地测定此时的源极(1)·漏极(2)间的电流。电荷的保持靠强介电体层6内的极化来进行,即使去除电源也能够保持储存内容。

公开(公告)号：CN101065845A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580017860.5

申请日：2005-06-03

Applicant: 可编程物公司

Inventor： 加里·E·斯奈德 ,  威尔·麦卡锡

IPC: H01L29/06

CPC classification number: G11C19/38 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  G02F1/01725 ,  G02F1/3556 ,  G02F2001/01791 ,  H01L29/127 ,  H01L29/7888 ,  Y10S977/774

Abstract: 量子点位于层状复合薄膜内，以在薄膜内产生多个实时可编程掺杂剂。通过相连控制路径中的能量，电荷载体被驱动进入量子点之内。电荷载体通过量子限制被捕获在量子点之内，从而电荷载体形成人造原子，人造原子用作周围材料的掺杂剂。通过精确地改变限制人造原子的量子点上的电压来调节每个人造原子的原子序数。原子序数的变换会改变人造原子的掺杂特性。层状复合薄膜也被构成为移位寄存器。

公开(公告)号：CN1326244C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN03108490.7

申请日：2003-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金柱亨 ,  金桢雨 ,  蔡熙顺 ,  柳元壹

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L21/28194 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0475 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7888

Abstract: 提供了一永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅(SONSNOS)存储器。该SONSNOS存储器包括堆叠在衬底通道上的第一和第二绝缘层，分别形成在第一绝缘层之上和第二绝缘层之下的第一和第二介电层，插入在第一和第二介电层间的一Ⅳ族半导体层，硅量子点，或金属量子点。该SONSNOS存储器提高了编程速率和存储能力。

公开(公告)号：CN1604336A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410068521.7

申请日：2001-03-27

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 森江隆 ,  岩田穆 ,  永田真 ,  山中登志夫 ,  松浦知宏

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/34 ,  G11C2216/08 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/7888

Abstract: 本发明是通过单电子动作可以得到高速稳定的动作的基于单电子电路的信息处理结构体，该信息处理结构体在微细的MOSFET(11)的栅极电极(12)的正上方，形成纳米级大小的多个量子点(13)，在量子点与栅极电极之间构成电子能够直接穿过的能量势垒，利用在量子点与栅极电极之间移动的电子的总数来表示信息，构成为设置成电源的一个电源电极，使之与量子点接触，在量子点与电源电极(14)之间构成电子能够直接穿过的能量势垒，设置2个信息电极(15)，使之与量子点接触，量子点与信息电极进行电容耦合，电子根据由信息电极决定的电位，利用库仑阻断现象通过量子点，在电源电极与栅极电极之间移动。

公开(公告)号：CN1529911A

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN02807854.3

申请日：2002-02-01

Applicant: 微米技术有限公司

Inventor： L·福尔贝斯 ,  K·Y·阿恩

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/788 ,  H01L21/335

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/266 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7888 ,  Y10S438/947

Abstract: 一种形成具有亚光刻尺寸的边缘限定结构的方法，所述结构又用于形成存储单元中的导电沟道和/或存储结构。牺牲氮化硅岛(20)在低温下淀积，然后形成图案并使用高分辨率蚀刻工艺来蚀刻。随后，多晶硅(22)淀积在牺牲氮化硅岛之上，并定向蚀刻以形成边缘限定多晶硅点结构和带结构(24)，这些结构大约是最小特征尺寸的十分之一。边缘限定多晶硅带和点在NMOS器件的源区和漏区之间形成。在常规COMS工艺中，去除牺牲氮化硅岛之后，边缘限定多晶硅带和点用于掩蔽阈值电压注入。在去除边缘限定多晶硅带和点之后，形成导电沟道(87)和两个相邻的最小电势点(89)。

公开(公告)号：CN1144294C

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN99101611.4

申请日：1999-01-28

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立器件工程株式会社

Inventor： 佐野聪明 ,  石井智之 ,  矢野和男 ,  峰利之

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/02 ,  G11C11/34 ,  G11C16/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5635 ,  G11C11/5642 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/7888 ,  H01L29/7889

Abstract: 表面面积小的存储器单元，分别选择每个存储器单元的局部数据线，连接于全局数据线，以时间复用方式执行读出和写入。存储器单元能够置于字线和数据线的所有交点处。借助于建立完全相同的模拟单元的标准阈值电压，获得了改善的噪声裕度。在写入过程中将写入数据暂时保存在存储器单元中的寄存器，被用作在写入验证过程中保存表示写入已经终止的标志的寄存器。由一个nMOS晶体管组成的电路被用作改变写入终止标志上的数值的装置。

公开(公告)号：CN101026188B

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN200610115794.1

申请日：2006-08-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 约尔格·翁德里 ,  大卫·威廉斯 ,  托马斯·琼沃思 ,  安德鲁·欧文 ,  布赖恩·加拉格尔

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L29/201 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F1/404 ,  H01F10/193 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/7888

Abstract: 一种单电子晶体管(1)具有形成在5nm厚的Ga0.98Mn0.02As层(4)中的伸长导电沟道(2)和侧栅极(3)。该单电子晶体管(1)可在第一模式下作为晶体管工作，及在第二模式下，作为非易失性存储器工作。