-
公开(公告)号：CN1023624C
公开(公告)日：1994-01-26
申请号：CN88106291
申请日：1988-08-25
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 山崎舜平
CPC分类号： C04B41/009 , C04B35/4504 , C04B35/64 , C04B41/48 , C04B41/83 , H01L39/126 , H01L39/2419 , H01L39/247 , Y10S428/901 , Y10S428/93 , Y10S505/701 , Y10S505/702 , Y10S505/703 , Y10S505/704 , Y10T428/239 , Y10T428/31511 , Y10T428/3158 , Y10T428/31721 , C04B35/45
摘要： 具有高Tc的表面带有覆盖层的超导体陶瓷，其超导材料可由化学计量式(A1-xBx)yCuzOw和(A1-xBx)yCuzOwXv表示，式中符号意义见说明书。其制备方法包括在烧结之前将陶瓷各组分与一种醇或氟利昂混合。醇或氟利昂的作用是在烧结时还原陶瓷，因而可将过量的氧由超导结构中除去。然后将超导体陶瓷用有机树脂薄膜涂覆，用于避免空气的作用。
-
公开(公告)号：CN105706187A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480060913.0
申请日：2014-08-28
申请人： 株式会社瑞蓝
CPC分类号： H01B12/06 , C23C2/08 , C23C2/10 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/088 , C23C14/14 , C23C28/321 , C23C28/3455 , H01L39/143 , H01L39/247
摘要： 本发明涉及超导体和制造该超导体的方法。该超导体包括：带形式的基板，具有由顶表面、底表面和两个侧表面纵向限定的表面；超导层，位于基板的顶表面上；金属材料的第一稳定层，位于超导层的顶表面上；金属材料的保护层，位于第一稳定层的顶表面上，其中由第一稳定层的金属和保护层的金属的合金形成的合金层进一步包括在该稳定层与保护层之间。
-
公开(公告)号：CN101978435A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110672.5
申请日：2009-02-17
申请人： 美国超能公司
IPC分类号： H01B12/00
CPC分类号： H01L39/247
摘要： 一种形成超导制品的方法，该方法包括提供基材带，形成覆盖在该基材带上的超导层，沉积覆盖在超导层上的覆层。所述覆层包含贵金属，其厚度不大于约1.0微米。该方法还包括使用对超导层非反应性的溶液，将该溶液电沉积覆盖在覆层上形成稳定层。超导层具有形成后的临界电流IC(AF)和稳定后的临界电流IC(PS)。IC(PS)至少约为IC(AF)的95％。
-
公开(公告)号：CN1037796A
公开(公告)日：1989-12-06
申请号：CN89103302.5
申请日：1989-05-13
申请人： 格雷斯公司
发明人： 尼古拉斯·戴维·斯潘塞
CPC分类号： C01G3/006 , C01G5/006 , C01G7/006 , C01G29/006 , C01P2002/50 , C01P2002/72 , C01P2002/74 , C01P2002/77 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C04B35/4504 , C04B35/4521 , H01L39/125 , H01L39/126 , H01L39/2419 , H01L39/247 , Y10S505/738 , Y10S505/785
摘要： 两种或多种超导体一起反应形成一非超导相包裹着的残余超导相。例如YBa2Cu3氧化物与Bi2Sr2CaCu2氧化物反应形成含有新奇的Y，Bi和Ba氧化物非超导体的超导产物。在整个反应产物中超导的YBa2Cu3氧化物依然是中间连接相。新的非超导相大部分包裹并使超导相绝缘。
-
公开(公告)号：CN1036856A
公开(公告)日：1989-11-01
申请号：CN89101822.0
申请日：1989-03-30
申请人： 罗纳·布朗克化学公司
CPC分类号： C04B35/4508 , H01L39/126 , H01L39/247 , Y10S420/901 , Y10S428/93 , Y10S505/725 , Y10S505/775
摘要： 本发明是采用低温氟化处理工艺获得稳定的高性能的新型高温超导材料的。具有超导性能的陶瓷材料其特征为从材料表面到内部氟原子分布密度逐渐减少。经氟化处理的陶瓷材料能用于电子管和微电子管，尤其是薄膜。
-
公开(公告)号：CN1034285A
公开(公告)日：1989-07-26
申请号：CN88107276
申请日：1988-09-16
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 山崎舜平
CPC分类号： H01L39/247 , C23C16/408 , C23C16/511 , H01L39/2422 , H01L39/2438 , H01L39/2441 , H01L39/2454 , Y10S505/727 , Y10S505/734 , Y10S505/737
摘要： 本发明应用施加磁场的微波等离子体CVD装置，于200-500℃下，在MgO、SrTiO或YSZ的晶体基片上形成一种超导氧化物薄膜。这种超导材料可用(A1-XBX)YCuZOW表示，式中A选自钇系和镧系的一种或几种元素，B选自Ba、Sr或Ca的一种或几种元素。此薄膜的Tco约90°K，其在C面上的临界电流密度约1×105A/cm2；而且，即使在液氮温度下冷却，薄膜也不会破裂，且导电性也不受阻。
-
公开(公告)号：CN1031621A
公开(公告)日：1989-03-08
申请号：CN88106291
申请日：1988-08-25
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 山崎舜平
CPC分类号： C04B41/009 , C04B35/4504 , C04B35/64 , C04B41/48 , C04B41/83 , H01L39/126 , H01L39/2419 , H01L39/247 , Y10S428/901 , Y10S428/93 , Y10S505/701 , Y10S505/702 , Y10S505/703 , Y10S505/704 , Y10T428/239 , Y10T428/31511 , Y10T428/3158 , Y10T428/31721 , C04B35/45
摘要： 具有高Tc的超导体陶瓷材料的制备方法，包括在烧结之前将陶瓷各组分与一种醇或氟利昂混合。醇或氟利昂的作用是在烧结时还原陶瓷，因而可将过量的氧由超导结构中除去。然后将超导体陶瓷用有机树脂薄膜涂覆，用于避免空气的作用。
-
公开(公告)号：CN105321793A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510455824.2
申请日：2015-07-29
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 丹尼斯·迈克尔·豪斯曼
CPC分类号： H01J37/32449 , B05D1/36 , B05D1/60 , C23C16/30 , C23C16/4404 , C23C16/45525 , C23C16/509 , H01J37/32091 , H01J37/32862 , H01L21/28194 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L39/247
摘要： 一种修复半导体衬底加工设备的真空室的方法包括在所述真空室的等离子体或工艺气体暴露表面上形成有机聚合物膜层。所述方法包括：(a)使气相的第一反应物二酰氯化物流入到所述真空室中；(b)在所述第一反应物停止流入之后吹扫所述真空室；(c)使选自由二胺、二醇、硫醇和三官能团化合物组成的组的气相的第二反应物流入到所述真空室中以在所述真空室的等离子体或工艺气体暴露表面上形成有机聚合物膜层；并且(d)吹扫所述真空室以从所述真空室吹扫过量的第二反应物和反应副产物。
-
公开(公告)号：CN1813317B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200480018114.3
申请日：2004-06-25
申请人： 美国超能公司
CPC分类号： H01L39/143 , H01L39/247 , Y10S428/93
摘要： 揭示了一种超导带(1)，该超导带包括基材(10)，覆盖着基材(10)的缓冲层(12a)，覆盖着缓冲层(12a)的超导体层(14a)，覆盖着超导体层(14a)的隔离层(16a)以及覆盖着隔离层(16a)的电镀稳定剂层(18a)。还揭示了一种装有超导带的制品，以及其制造和使用方法。
-
公开(公告)号：CN1031911A
公开(公告)日：1989-03-22
申请号：CN88106594
申请日：1988-09-07
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 山崎舜平
CPC分类号： H01L39/247 , H01L39/225 , H01L39/228 , H01L39/249 , H01L39/2496 , Y10S505/702 , Y10S505/706 , Y10S505/725
摘要： 描述了一种约瑟夫森器件的制造方法。在一非导电表面上淀积一层超陶瓷膜，且该局部锝超导的陶瓷膜，以形成分隔两个超导区的势垒膜。这种锝超导是采用离子注入技术将一种锝超导元素加入陶瓷膜而进行的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
17 条记录 (耗时 0.009 秒)