-
公开(公告)号：CN103532374B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210239771.7
申请日：2012-07-05
申请人： 意法半导体研发(上海)有限公司
IPC分类号： H02M3/07
CPC分类号： H02M3/07 , H02M2003/078
摘要： 本公开涉及一种稳压电荷泵电路。该电路包括：电荷泵，具有用于接收输入电压的输入端，用于接收充电电流的供给端以及用于输出输出电压的输出端，该电荷泵用于在输出端与输入端之间生成电压差；第一电平移位器，具有耦接到输出端的第一节点以及第二节点，第一电平移位器用于响应于接收自电流源的偏置电流而对输出电压加载第一电压变化；第二电平移位器，其具有耦接到输入端的第三节点以及第四节点，第二电平移位器用于对输入电压加载第二电压变化；电压跟随器，其用于将第二节点的电压设置为与第四节点的电压基本相等，用于接收流经第二电平移位器的差值电流并提供差值电流；电流倍增器，其用于响应于电压跟随器提供的差值电流而生成充电电流。
-
公开(公告)号：CN100530916C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610057073.X
申请日：2006-03-17
申请人： 富士通微电子株式会社
IPC分类号： H02M3/155
CPC分类号： H02M1/36 , H02M3/156 , H02M2003/078 , H03K17/302 , H03K2217/0018
摘要： 本发明提供了升压型DC-DC变换器及其控制方法。DC-DC变换器能在低输入电压状态中启动并被构造而不增加电路尺寸。背栅电压(Vsb)从背栅电压生成电路(VBGN)输出并输入到晶体管(FET1)的背栅。在输出电压(Vout)低于参考电压(e0)的时段，振荡信号(OS1)输入到晶体管(FET1)的栅极，背栅电压(Vsb)设置在接地电压。因此晶体管(FET1)具有参考阈值电压(Vto)。而在输出电压(Vout)高于参考电压(e0)的时段，脉冲信号(PS)输入到晶体管(FET1)的栅极，背栅电压(Vsb)设置在电荷泵部分(5)的输出电压。因此晶体管(FET1)具有比参考阈值电压(Vto)高的阈值电压。
-
公开(公告)号：CN101257300A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200710084733.8
申请日：2007-02-28
申请人： 阿尔特拉公司
发明人： S·佩里塞地
CPC分类号： H03K19/17784 , H02M2003/078 , H03K19/0013 , H03K19/173 , H03K2217/0018
摘要： 本发明提供一种集成电路，其包括带有体端的n沟道和p沟道金属氧化物半导体晶体管。提供了位于该集成电路上的可调式晶体管体偏置电路，该集成电路向所述体端提供体偏置电压，以使功耗最小化。通过使用集成电路上的载有配置数据的可编程单元，可调式体偏置电路可以被控制。集成电路可以是包含有可编程逻辑的可编程逻辑器件集成电路。可调式体偏置电路可以产生可调式的负体偏置电压，用于偏置n沟道金属氧化物半导体晶体管。可调式体偏置电路包括带隙基准电路、电荷泵电路和可调式电压调节器。
-
公开(公告)号：CN101242142A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810008685.9
申请日：2008-02-05
申请人： 精工电子有限公司
发明人： 中谷武史
IPC分类号： H02M3/156
CPC分类号： H02M3/156 , H02M2003/078
摘要： 本发明提供一种升压型开关调节器，在升压动作停止时，该升压型开关调节器能够可靠地不将输出电压输出。在向PMOS的晶体管(Q1)的栅极施加高信号而使晶体管(Q1)截止的情况下，将输入电压(VDD)和输出电压(VOUT)中的较高一方的电压作为电源电压提供给缓冲器(171)，通过该缓冲器(171)向晶体管(Q1)的栅极施加较高一方的电压，所以晶体管(Q1)能够可靠地截止。因此，在升压型开关调节器进行的升压动作停止时，用于将输出电压(VOUT)输出的晶体管(Q1)能够可靠地截止，并且，通过开关(3)向晶体管(Q1)的背栅施加基于输入电压(VDD)的电压，所以晶体管(Q1)引起的寄生双极晶体管不会导通。
-
公开(公告)号：CN108092501A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201710976481.3
申请日：2017-10-19
申请人： 艾普凌科有限公司
发明人： 见谷真
IPC分类号： H02M3/07
CPC分类号： G11C5/145 , G11C16/14 , G11C16/30 , H02M3/07 , H02M3/073 , H02M2003/075 , H02M2003/078
摘要： 为了提供能够减少施加在升压单元的电压应力的升压电路，串联连接多个升压单元而构成，该升压单元具备在输入端子与输出端子之间连接的电荷传送晶体管、和在输入端子与时钟端子之间连接的升压电容，其中，设为并联连接多个升压单元之中至少最末级的升压单元的结构，对应升压动作切换多个并联连接的升压单元而连接到最末级的前级的升压单元。
-
公开(公告)号：CN103532374A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210239771.7
申请日：2012-07-05
申请人： 意法半导体研发(上海)有限公司
IPC分类号： H02M3/07
CPC分类号： H02M3/07 , H02M2003/078
摘要： 本公开涉及一种稳压电荷泵电路。该电路包括：电荷泵，具有用于接收输入电压的输入端，用于接收充电电流的供给端以及用于输出输出电压的输出端，该电荷泵用于在输出端与输入端之间生成电压差；第一电平移位器，具有耦接到输出端的第一节点以及第二节点，第一电平移位器用于响应于接收自电流源的偏置电流而对输出电压加载第一电压变化；第二电平移位器，其具有耦接到输入端的第三节点以及第四节点，第二电平移位器用于对输入电压加载第二电压变化；电压跟随器，其用于将第二节点的电压设置为与第四节点的电压基本相等，用于接收流经第二电平移位器的差值电流并提供差值电流；电流倍增器，其用于响应于电压跟随器提供的差值电流而生成充电电流。
-
公开(公告)号：CN101242142B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200810008685.9
申请日：2008-02-05
申请人： 精工电子有限公司
发明人： 中谷武史
IPC分类号： H02M3/156
CPC分类号： H02M3/156 , H02M2003/078
摘要： 本发明提供一种升压型开关调节器，在升压动作停止时，该升压型开关调节器能够可靠地不将输出电压输出。在向PMOS的晶体管(Q1)的栅极施加高信号而使晶体管(Q1)截止的情况下，将输入电压(VDD)和输出电压(VOUT)中的较高一方的电压作为电源电压提供给缓冲器(171)，通过该缓冲器(171)向晶体管(Q1)的栅极施加较高一方的电压，所以晶体管(Q1)能够可靠地截止。因此，在升压型开关调节器进行的升压动作停止时，用于将输出电压(VOUT)输出的晶体管(Q1)能够可靠地截止，并且，通过开关(3)向晶体管(Q1)的背栅施加基于输入电压(VDD)的电压，所以晶体管(Q1)引起的寄生双极晶体管不会导通。
-
公开(公告)号：CN101771340A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200810205391.5
申请日：2008-12-31
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H02M3/07
CPC分类号： H02M3/07 , H02M2003/078 , H03K17/063 , H03K2217/0018 , Y10T29/49002
摘要： 一种电荷泵，包括：第一升压电路，用于实现对电源电压的升压；耦接于第一升压电路的输出MOS管，其包括：第一输入端、第一输出端、衬底端以及第一控制端，所述衬底端电压为第一输入端或第一输出端中较高的电压，所述控制端接收控制信号，第一输入端连接于第一升压电路的输出，第一输出端作为电荷泵的输出。所述电荷泵能改善“体效应”以及漏电流现象。
-
公开(公告)号：CN1428862A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02159819.3
申请日：2002-12-27
申请人： 三洋电机株式会社
CPC分类号： H02M3/073 , H01L27/0222 , H01L27/0623 , H01L27/0928 , H02M2003/075 , H02M2003/078
摘要： 一种电荷泵装置，可防止闭锁超载现象的发生，同时实现大电流。其设有在P型单晶硅基板50上成长的N型外延硅层51、在该外延硅层51宁间隔形成的P型阱区域52A、52B、这些P型阱区域52A、52B间形成的P型下分离层58及P型上分离层59。而且，在P型阱区域52A内形成电荷转送用晶体管M2，在P型阱区域52B内形成电荷转送用晶体管M3。P型单晶硅基板50被偏置为接地电位或负的电位。
-
公开(公告)号：CN106936310A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710231215.8
申请日：2017-04-11
申请人： 东南大学
发明人： 陈超
IPC分类号： H02M3/07
CPC分类号： H02M3/073 , H02M2003/078
摘要： 本发明公开了一种低电压电流自匹配栅极开关电荷泵，包括充电电路和放电电路，所述充电电路由第一电源和第二电源、第一误差放大器、第一至第三PMOS管、一对NMOS管组成，所述充电电路通过负反馈将输入参考电流源的漏极箝位至第二电源，使得充电支路中的第三PMOS管与参考支路中串联第二PMOS管的各端口电压均相等，确保输出电压变化时充电电流等于输入参考电流；所述放电电路由低电压轨到轨误差放大器及四个NMOS管构成的反馈环路，用于追踪输出节点的电压变化，并实时调整放电电路中NMOS管的栅极电压，使放电电流在不同输出电压下始终等于输入参考电流。本发明实现了在不同输出电压下充放电电流保持相等，并且提升了输入参考电流源的输出阻抗，使之更加恒定。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
28 条记录 (耗时 0.015 秒)
