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公开(公告)号:CN103368510A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201310102611.2
申请日:2013-03-28
申请人: 飞思卡尔半导体公司
发明人: H·桑切兹
IPC分类号: H03F3/45
CPC分类号: H03F3/4521 , H03F3/45381 , H03F3/72 , H03F2203/45466 , H03F2203/45674 , H03F2203/7227
摘要: 本发明涉及带有启动电路的完全互补的自偏置差分接收器。提供一种电压净空得到改善的自偏置接收器(100)。尾电流源(104、105)被偏置以关于彼此交叉耦合。提供启动控制(107)以对抗缺陷引发的电流且确保即使有大量缺陷电流电路也能正常运行。PMOS尾电流晶体管(227)由NMOS差分对虚拟负电源电压(111)调制,NMOS尾电流晶体管(228、229)由PMOS差分对虚拟正电源电压(110)调制。因此放大器的输出共模自对应到p型到n型晶体管强度差异。
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公开(公告)号:CN107231137A
公开(公告)日:2017-10-03
申请号:CN201710177260.X
申请日:2017-03-23
申请人: 辛纳普蒂克斯日本合同会社
发明人: 引地利行
IPC分类号: H03F3/45 , G09G3/36 , G09G3/3275
CPC分类号: G09G3/3266 , G09G3/20 , G09G3/3677 , G09G5/006 , G09G2310/027 , G09G2310/0272 , G09G2310/0291 , G09G2330/028 , H03M1/66 , H03M1/68 , H03M1/742 , H03M1/76 , H03F3/45381 , G09G3/3275 , G09G3/3688 , H03F2203/45032
摘要: 本发明涉及半导体电路以及使用了其的显示驱动器。半导体电路具备:根据输入数字数据的高位m位来选择第一和第二参照电压的DA变换器、根据输入数字数据的低位n位输出每一个为第一或第二参照电压的任一个的第一至第N选择输入电压的选择部、第一至第N差动输入级、以及尾电流源。第一至第N差动输入级的每一个具备NMOS差动对。向第i差动输入级(i为1以上N以下的整数)的输入端分别供给第i选择输入电压。尾电流源根据输入数字数据的低位n位来控制在第一至第N差动输入级的每一个生成的尾电流的大小。
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公开(公告)号:CN108964619A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201810215987.7
申请日:2018-03-15
申请人: 联咏科技股份有限公司
CPC分类号: H03F1/3205 , H03F1/086 , H03F1/301 , H03F1/3211 , H03F1/523 , H03F3/45183 , H03F3/4521 , H03F3/45219 , H03F3/45237 , H03F3/45381 , H03F3/45632 , H03F2203/45342 , H03F2203/45352 , H03F2203/45382 , H03F2203/45384 , H03K17/063 , H03K17/0822 , H03F3/68 , H03F2203/45566
摘要: 本发明是一种运算放大器电路。运算放大器电路包含差分输入级电路与负载级电路。差分输入级电路包含输入电路、电压维持电路与电流源。输入电路包含分别用于接收第一输入信号与第二输入信号的第一输入晶体管与第二输入晶体管。电压维持电路包含第一分支电路与第二分支电路。第一分支电路耦接于第一输入晶体管,其接收第一输入信号,且第二分支电路耦接于第二输入晶体管,其接收第二输入信号。电流源耦接于第一输入晶体管与第二输入晶体管。负载级电路耦接于电压维持电路。
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公开(公告)号:CN107743684A
公开(公告)日:2018-02-27
申请号:CN201680014194.8
申请日:2016-08-10
申请人: 电子科技大学
CPC分类号: H03F3/45076 , H01L23/00 , H03F3/195 , H03F3/45381 , H03F2200/06 , H03F2200/09 , H03F2200/451 , H03F1/565 , H03F3/45179 , H03F2203/45031 , H03F2203/45148 , H03F2203/45624
摘要: 一种差分放大器,包括前级驱动级(106)、输入巴伦(101)、匹配网络(102)、差分管对(103)、偏置网络(104)和输出巴伦(105);前级驱动级(106)输出端与输入巴伦(101)输入端(203)相连;输入巴伦(101)输出端(205)与匹配网络(102)输入端相连,匹配网络(102)输出端与差分管对(103)输入端和偏置网络(104)相连,差分管对(103)输出端与输出巴伦(105)相连;输入巴伦(101)为单匝叠层变压器;输出巴伦(105)为平面内全框外半框变压器。该差分放大器的输入巴伦采用单匝叠层变压器,输出巴伦采用内全框外半框结构,使差分放大器占用空间小、损耗低、工作频率高、功放效率高。
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公开(公告)号:CN104579206A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201410370454.8
申请日:2014-07-30
申请人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人: 邵博闻
IPC分类号: H03F3/45
CPC分类号: H03F3/45381
摘要: 本发明公开了一种差分放大电路,包括两条差分放大支路,各差分放大支路分别由两个NMOS管串联而成;一个NMOS管具有厚栅氧化层并连接在靠近电源电压一侧用于决定电路的工作电压;另一个NMOS管具有较薄的栅氧化层但是具有较大的阈值电压;整个电路的放大性能由两个阈值电压较高的NMOS管决定,而该两个NMOS管的栅氧化层较薄,能够使得两个差分放大支路的失配减少。所述本发明差分放大电路能够实现对工作电压的要求和失配的要求分开调节,同时具有较高的工作电压较低的失配;同时仅需要在各差分放大支路增加一个NMOS管就能实现,电路简单,具有较小的电路面积,成本较低。本发明还公开了一种运算放大器。
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公开(公告)号:CN103368510B
公开(公告)日:2017-10-13
申请号:CN201310102611.2
申请日:2013-03-28
申请人: 飞思卡尔半导体公司
发明人: H·桑切兹
IPC分类号: H03F3/45
CPC分类号: H03F3/4521 , H03F3/45381 , H03F3/72 , H03F2203/45466 , H03F2203/45674 , H03F2203/7227
摘要: 本公开涉及带有启动电路的完全互补的自偏置差分接收器。提供一种电压净空得到改善的自偏置接收器(100)。尾电流源(104、105)被偏置以关于彼此交叉耦合。提供启动控制(107)以对抗缺陷引发的电流且确保即使有大量缺陷电流电路也能正常运行。PMOS尾电流晶体管(227)由NMOS差分对虚拟负电源电压(111)调制,NMOS尾电流晶体管(228、229)由PMOS差分对虚拟正电源电压(110)调制。因此放大器的输出共模自对应到p型到n型晶体管强度差异。
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公开(公告)号:CN106452372A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201610872394.9
申请日:2016-09-30
申请人: 西安电子科技大学
CPC分类号: H03F1/26 , H03F3/45381 , H03F2200/372 , H03F2203/45288
摘要: 本发明涉及一种用于生物信号放大的低噪声前置放大器电路。该放大器电路包括:输入阻抗提高模块(1)、斩波调制模块(2)、反馈网络模块(3)和双通道跨导增强放大器(4);输入阻抗提高模块(1)包括第一电压跟随器(A1)、第二电压跟随器(A2)、第三电压跟随器(A3)及第四电压跟随器(A4);斩波调制模块(2)包括第一斩波开关(CH1)、第二斩波开关(CH2)、第三斩波开关(CH3)、第四斩波开关(CH4)、第五斩波开关(CH5)、第六斩波开关(CH6)、第七斩波开关(CH7)及第八斩波开关(CH8);反馈网络模块包括第一和第二反馈网络;双通道跨导增强放大器(4)包括第一通道跨导增强放大器及第二通道跨导增强放大器。本发明实施例能够解决生物信号低噪声放大器在低功耗应用时,输入阻抗较低,噪声效率系数较高的问题。
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公开(公告)号:CN106411269A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201611115802.2
申请日:2016-12-07
申请人: 桂林电子科技大学
CPC分类号: H03F1/26 , H03F1/342 , H03F3/45381 , H03F2200/372
摘要: 本发明公开一种低功耗低噪声电流反馈型仪表放大器,由输入预处理电路I0、运算跨导放大电路I1和电容反馈网络I2组成;所述运算跨导放大电路I1包括输入跨导支路和反馈跨导支路;在晶体管长度相同的情况下,输入跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM10和PMOS晶体管PM11的宽长比是反馈跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM12和PM13的宽长比的N倍,且偏置晶体管对即PMOS晶体管PM14宽长比是PMOS晶体管PM15的宽长比的N倍;上述N大于1。本发明通过等比例缩小反馈跨导晶体管支路的电流及其晶体管的宽长比,来降低电流反馈型仪表放大器的功耗与噪声。
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公开(公告)号:CN105553428A
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201510881172.9
申请日:2015-12-04
申请人: 陕西海泰电子有限责任公司
IPC分类号: H03F1/30
CPC分类号: H03F1/303 , H03F3/45381 , H03F2203/45166
摘要: 一种运算放大器动态供电电路及供电方法,该电路包括信号输入单元、增益调节单元和电源,所述信号输入单元与增益调节单元连接,所述信号输入单元与增益调节单元之间设有相互连接的输入信号叠加单元、供电电压控制单元及功率驱动单元,所述电源与供电电压控制单元及功率驱动单元分别连接。本发明的主要特点是增益调节单元的供电电压依照固定比例随着输入信号的幅值变化,以通过用低转换速率的运放实现大信号、高带宽的信号调理,并能降低放大电路的功耗和噪声。
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公开(公告)号:CN205194327U
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201521001650.4
申请日:2015-12-07
申请人: 半导体元件工业有限责任公司
发明人: L·O·科雷奥斯迪奴 , R·普斯卡素 , P·布莱佐尔 , C·D·斯坦埃斯库 , N·伯顿
IPC分类号: G11C7/06
CPC分类号: H03F3/45748 , G01R1/203 , G01R19/0092 , H03F1/0205 , H03F1/523 , H03F3/211 , H03F3/45 , H03F3/45179 , H03F3/45273 , H03F3/45381 , H03F3/45479 , H03F2200/261 , H03F2200/444 , H03F2200/462 , H03F2203/45116 , H03F2203/45118 , H03F2203/45528 , H03F2203/45571 , H03F2203/45594 , H03F2203/45674
摘要: 本实用新型涉及电流感测放大器和电流感测系统。电流感测放大器具有扩大的共模CM输入电压范围。该电流感测放大器包括:与正供电轨耦合的低电压LV p型金属氧化物半导体PMOS输入模块,其中正供电轨提供包括施加到电流感测放大器的正输入信号IN+电压和内部的供电电压之间的最大值的电压;以及与正供电轨耦合的电压调节器,电压调节器生成经由高电压接地HV_GND线提供到LV PMOS输入模块的相对于正供电轨的电压降低了的电压电平。其中LV PMOS输入模块的至少一部分由正供电轨和HV_GND线之间的电压差来供电。并且,其中电压调节器将电压差维持在LV PMOS输入模块内的一个或多个LV器件的操作范围内。根据本实用新型的电流感测放大器和电流感测系统具有扩大的输入电压范围。
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