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公开(公告)号：CN106209011A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610618968.X
申请日：2016-08-01
申请人： 陕西师范大学
发明人： 林书玉
CPC分类号： H03H9/0004 , H03H9/176
摘要： 本发明属于超声波换能器技术领域，具体涉及一种基于压电效应的声阻抗匹配装置及方法，所述装置包括背衬层、压电换能器和匹配层，其中，所述匹配层采用压电陶瓷匹配层结构，所述匹配层的两个电极面之间连接有一个数值可改变的电阻抗，所述压电陶瓷匹配层结构为厚度极化的压电陶瓷圆盘，在所述压电陶瓷圆盘的两端面镀有金属银层；本发明中匹配层使用压电陶瓷类材料，利用压电效应，来实现超声波换能器任何负载阻抗的理想匹配，大大降低了传统的声阻抗匹配技术的成本。
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公开(公告)号：CN102395539B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201080016866.1
申请日：2010-04-30
申请人： 太阳诱电株式会社
IPC分类号： C04B35/00 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/187 , H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/17 , H03H9/25
CPC分类号： C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3255 , C04B2235/3281 , C04B2235/3294 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/768 , C04B2235/786 , C04B2235/787 , C04B2235/788 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , H01L41/083 , H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/43 , H03H9/02031 , H03H9/02228 , H03H9/02543 , H03H9/176 , H03H9/178
摘要： 本发明提供一种特征在于含有[K1-xNax]1-yLiy[Nb1-z-wTazSbw]O3(x、y、z、w表示摩尔比，分别为0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1、0≤w≤1)作为主相，含有K3Nb3O6Si2O7作为副相，作为添加物含有相对于100mol的主相换算成CuO为0.02mol～5.0mol的Cu化合物的压电陶瓷。
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公开(公告)号：CN101499271B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200910009710.X
申请日：2009-01-23
申请人： 海德公园电子有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种用于感测邻近换能器的物体的位置的超声波换能器组件。该超声波换能器组件包括：衬底元件；支撑在衬底元件的平表面上并位于衬底元件的周沿附近的压电陶瓷共振板；以及耦合器，其连接到所述共振板的表面，用于声学地将所述共振板耦合到与该耦合器接触的介质。
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公开(公告)号：CN101346828A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680049100.7
申请日：2006-10-02
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01L41/43 , H01L41/1878 , H03H9/02031 , H03H9/02102 , H03H9/176 , H03H9/178 , Y10T29/42
摘要： 本发明提供能够容易地调整谐振频率温度特性的压电陶瓷。形成具有分别将压电陶瓷(2)分别形成为层状，而且交互层叠的第1和第2部分(11和12)的结构。第1和第2部分(11和12)由例如至少包含Sr、Bi和Nb的复合氧化物那样的具有铋层状结构的化合物构成，c轴的配向比互不相同。由于配向比的不同导致谐振频率的温度特性发生变化，所以通过将具有互不相同的配向比的第1部分和第2部分(11和12)适当组合，能够容易地调整压电陶瓷(2)整体的谐振频率的温度特性。
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公开(公告)号：CN1805164A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510134075.X
申请日：2005-12-23
申请人： 精工爱普生株式会社
CPC分类号： H03H9/0542 , B41J2/14233 , H01L27/20 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H03H9/02574 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/176
摘要： 一种压电元件(10)，包含：基板(1)；在基板(1)上方形成的第1导电层(4)；在第1导电层(4)上方形成的由具有钙钛矿型化合物结构的压电体构成的压电体层(5)；以及电连接在压电体层(5)上的第2导电层(6)，第1导电层(4)包含1层以上的由在(001)优先取向的镧系层状钙钛矿型化合物构成的缓冲层(41)。由此，本发明能够提供可得到良好压电特性的压电元件。
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公开(公告)号：CN1136653C
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN99104911.X
申请日：1999-03-31
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H03H9/15
CPC分类号： H03H9/02228 , H03H9/176
摘要： 本发明提供了一种压电元件，它尺寸非常小，具有较高的机电耦合系数，并可容易地和电路阻抗匹配。在板状压电元件的一个表面上配置包含两个梳形电极的叉指电极，类似地，在板状压电元件的另一个表面上配置包含两个梳形电极的叉指电极。通过在相应两对梳形电极之间施加电场使压电元件极化；另外，通过在连接每一个叉指电极的一个梳形电极的端子和另一个连接每一个叉指电极的另一个梳形电极的端子之间施加激励电场，激励了加强模式的纵向振动，由此压电元件沿其纵向扩展和收缩。
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公开(公告)号：CN1337070A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN00802675.0
申请日：2000-05-09
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L41/08
CPC分类号： H03H9/174 , H03H3/04 , H03H9/02133 , H03H9/02157 , H03H9/176 , H03H2003/0428
摘要： 一种薄膜压电元件,包括:硅衬底1;由硅衬底1上形成的氮化硅膜16和在氮化硅膜16的上侧形成的氧化硅膜2组成的介质膜21;在介质膜21上形成的下部电极3;在下部电极3上形成的压电体膜17;以及在压电体膜17上形成的上部电极5;其中,通过从硅衬底1的底面至氮化硅膜16的边界面除去与包括上部电极5存在部位的区域相对的硅衬底1部位的厚度方向部分来形成通孔6。
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公开(公告)号：CN1233106A
公开(公告)日：1999-10-27
申请号：CN99104911.X
申请日：1999-03-31
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H03H9/15
CPC分类号： H03H9/02228 , H03H9/176
摘要： 本发明提供了一种压电元件,它尺寸非常小,具有较高的机电耦合系数,并可容易地和电路阻抗匹配。在板状压电元件的一个表面上配置包含两个梳形电极的叉指电极,类似地,在板状压电元件的另一个表面上配置包含两个梳形电极的叉指电极。通过在相应两对梳形电极之间施加电场使压电元件极化;另外,通过在连接每一个叉指电极的一个梳形电极的端子和另一个连接每一个叉指电极的另一个梳形电极的端子之间施加激励电场,激励了加强模式的纵向振动,由此压电元件沿其纵向扩展和收缩。
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公开(公告)号：CN107749747A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201711078139.8
申请日：2017-11-06
申请人： 浙江嘉康电子股份有限公司
摘要： 一种陶瓷盖帽，通过在陶瓷盖帽阵列上切割得到，陶瓷盖帽阵列包括粘接的陶瓷片与陶瓷盖板，所述陶瓷片为长方体状，其远离陶瓷盖板的侧面开设有若干通孔。由于本发明的陶瓷盖帽及其制备方法是在陶瓷盖板及陶瓷片上加工完成的，无需制备小尺寸的陶瓷盖帽的胚体，及高温烧结陶瓷盖帽的胚体，因此陶瓷盖帽不会因高温烧结发生收缩变形、封装效果好、可满足小尺寸要求、减少材料浪费。
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公开(公告)号：CN103986433B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201410044911.4
申请日：2014-02-07
申请人： 斯沃奇集团研究和开发有限公司
发明人： T·黑塞勒
CPC分类号： H01L41/04 , G04B17/045 , G04B17/066 , G04B17/222 , G04B17/227 , G04C3/00 , G04C3/12 , G04F5/063 , H03H9/02448 , H03H9/176 , H03H9/21
摘要： 本发明涉及一种热补偿谐振器（1，11），该谐振器（1，11）包括在使用时变形的体部（5，15），所述体部（5，15）的芯（8，18）由第一材料制成。根据本发明，所述体部（5，15）的至少一部分包括由形状记忆金属制成的至少一层涂层（2，4，6，12，14，16），所述涂层的作为温度的函数的杨氏模量变化（CTE）与用于所述芯（8，18）的第一材料的杨氏模量变化（CTE）符号相反，以允许所述谐振器具有作为温度的函数的频率变化，所述函数的至少一阶系数（α，β）基本上是零。
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