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公开(公告)号：CN103996699B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201410052718.5
申请日：2014-02-17
申请人： 格罗方德半导体公司
发明人： J·冯克鲁格
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7842 , G05F3/02 , G05F3/262 , H01L21/823807 , H01L22/30 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L28/20 , H01L29/66477 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/78 , H01L29/7833 , H01L29/8605 , H03K19/017 , H03K19/20
摘要： 本发明涉及包含一层应力产生材料的电路组件及其形成方法，一种晶体管包含源极区域、漏极区域、通道区域、栅极电极以及一层应力产生材料。该应力产生材料提供响应作用在该应力产生材料上的信号而可调变的应力。该层应力产生材料是设置成在至少该通道区域中提供应力。提供在至少该通道区域中的应力是响应作用在该应力产生材料上的信号而可调变。提供响应作用在该应力产生材料上的信号而可调变的应力的该层应力产生材料也可以被用在不同于晶体管的电路组件中，举例而言，电阻器。
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公开(公告)号：CN107005238A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201680003988.4
申请日：2016-02-23
申请人： 赛普拉斯半导体公司
IPC分类号： H03K17/687 , G11C16/02 , G11C16/30
CPC分类号： H03K17/04123 , G11C5/147 , G11C5/148 , G11C7/1084 , G11C11/2297 , G11C11/417 , G11C16/30 , G11C17/08 , H03K3/356182 , H03K19/017 , H03K19/018507
摘要： 偏置电路包括含有第一晶体管和第二晶体管的级联晶体管。第一晶体管的第一栅极在第一节点处耦合到第二晶体管的第二栅极。电路还包括耦合到第一晶体管或第二晶体管中的至少一个的电压控制电路。电压控制电路被配置为改变第一晶体管或第二晶体管中的至少一个的电压电平，以允许输出信号的电压域由于输入信号的状态改变而转变，而不倾斜偏置电路的电源信号。
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公开(公告)号：CN103996699A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410052718.5
申请日：2014-02-17
申请人： 格罗方德半导体公司
发明人： J·冯克鲁格
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7842 , G05F3/02 , G05F3/262 , H01L21/823807 , H01L22/30 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L28/20 , H01L29/66477 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/78 , H01L29/7833 , H01L29/8605 , H03K19/017 , H03K19/20
摘要： 本发明涉及包含一层应力产生材料的电路组件及其形成方法，一种晶体管包含源极区域、漏极区域、通道区域、栅极电极以及一层应力产生材料。该应力产生材料提供响应作用在该应力产生材料上的信息而可调变的应力。该层应力产生材料是设置成在至少该通道区域中提供应力。提供在至少该通道区域中的应力是响应作用在该应力产生材料上的信息而可调变。提供响应作用在该应力产生材料上的信息而可调变的应力的该层应力产生材料也可以被用在不同于晶体管的电路组件中，举例而言，电阻器。
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公开(公告)号：CN101658005A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880012131.4
申请日：2008-04-18
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H04L25/02
CPC分类号： H04L25/0292 , H03K19/017 , H04L25/0272
摘要： 本发明描述一种电子装置。所述电子装置包括第一集成电路(IC)及第二集成电路(IC)。所述电子装置还包括经配置以将并行数据信号多路复用为串行数据信号的多路复用器，以及经配置以将所述串行数据信号从所述第一IC发射到所述第二IC的发射器。所述电子装置进一步包括经配置以接收所述串行数据信号的接收器。所述接收器包括经配置以将模拟节点的电压摆动箝位于经确定的范围内的箝位电路。所述箝位还有助于扩展所述接收器的带宽。
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公开(公告)号：CN101268616A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200680034304.3
申请日：2006-09-14
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 维克托·M·G·范艾科特 , 尼古拉斯·兰伯特 , 安德烈·米希里特斯科伊 , 皮埃尔·H·沃尔里
IPC分类号： H03K19/017 , H03K19/096
CPC分类号： H03K19/017 , H03K19/096
摘要： 一种逻辑组件(400)，包括单阈值且单导电类型的电路元件，并包括具有至少一组开关的逻辑电路(410)，每一个开关具有主电流路径和控制端子。主电流路径形成具有与电源线耦合的第一和第二导电端子的串联配置。该主电流路径与形成逻辑组件(400)的输出的公共节点耦合。所述开关的控制端子与用于向所述控制端子提供彼此不重叠的时钟信号的时钟电路耦合。该逻辑组件还包括对所述逻辑组件(400)的输出升压的输出升压电路(420)，包括使得能够向所述逻辑组件(400)的输出供给额外的电荷的电容性装置(421)。还包括自举电路(422)，使得能够向所述电容性装置的第一端额外供给电荷，从而在所述电容性装置的第二端处产生提升的电压。
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公开(公告)号：CN109379074A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811388788.2
申请日：2018-11-21
申请人： 灿芯半导体(上海)有限公司
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K19/0185 , H03K19/017
CPC分类号： H03K19/017509 , H03K19/017 , H03K19/018507
摘要： 本发明公开了一种电平转换电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，其中，所述第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的各自源极连接电源VDDIO；所述第一PMOS管的栅极连接控制信号ENIO；所述第二PMOS管和第三PMOS管的各自栅极连接所述第二PMOS管的漏极；所述第二PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极。本发明通过对称结构的高速低增益比较器与传统电平转换组合产生了高速的、占空比较好的、且不漏电的高速电平转换电路。
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公开(公告)号：CN104170256B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201380014852.X
申请日：2013-01-17
申请人： 弗兰克·扎伊茨
发明人： 弗兰克·扎伊茨
CPC分类号： H03K4/625 , H03K4/64 , H03K4/90 , H03K17/302 , H03K17/691 , H03K19/017
摘要： 一种用于驱动半桥连接的电学受控功率开关的驱动电路，其中该驱动电路在功率开关的接通状态之间具有近零互锁延迟时间，其中所述驱动电路被配置为接收输入信号，并产生：适于在接通和关断状态之间切换第一功率开关的第一驱动信号，以及适于在接通和关断状态之间切换第二功率开关的第二驱动信号，其中响应于所述输入信号的上升沿和下降沿产生的第一驱动信号的信号曲线在转变时间内沿镜像电压值的时间轴相对于第二驱动信号的信号曲线成镜像，其中所述镜像电压值被调整为在功率开关的截止区之内。
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公开(公告)号：CN105632438B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201610013117.2
申请日：2016-01-08
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G09G3/36 , G09G3/3266 , H03K19/0175
CPC分类号： G09G3/3266 , G09G3/36 , H03K19/017
摘要： 本发明提供一种电平偏移单元、电平偏移电路及其驱动方法、栅极驱动电路，属于显示技术领域，本发明的电平偏移单元包括逻辑控制模块、输出模块、输出控制模块和反馈模块；其中，所述逻辑控制模块，连接开启电源、驱动电源、输入信号端，以及输出模块；所述反馈模块，连接使能信号端、信号输出端，以及输出控制模块；所述输出控制模块，连接输出模块、驱动电源；所述输出模块，连接信号输出端。该电平偏移单元的反馈模块通过使能信号端和信号输出端所输入的信号来控制输出模块的开启或关断，如果两个电平偏移单元所输出的信号短路，反馈模块控制该电平偏移电路的输出控制模块断开，以使输出模块输出高阻态，进而避免栅极驱动器烧毁，出现安全隐患。
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公开(公告)号：CN104579306A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310666639.9
申请日：2013-10-10
申请人： 飞思卡尔半导体公司
IPC分类号： H03K19/094
CPC分类号： H03K19/0013 , H03K19/0016 , H03K19/003 , H03K19/017 , H03K19/01707 , H03K19/20
摘要： 本发明涉及低功率反相器电路，其包括第一晶体管和第二晶体管，该第一晶体管和第二晶体管在它们的栅极端子处接收输入信号。第一晶体管和第二晶体管通过它们的源极端子分别连接到第三晶体管和第四晶体管。第三晶体管和第四晶体管分别与第五晶体管和第六晶体管并联连接。第三晶体管和第四晶体管连续导通，第五晶体管和第六晶体管被控制成使得当输入信号从一种状态转变到另一种状态时，降低流经第一晶体管和第二晶体管的短路电流。
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公开(公告)号：CN105632438A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610013117.2
申请日：2016-01-08
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G09G3/36 , G09G3/3266 , H03K19/0175
CPC分类号： G09G3/3266 , G09G3/36 , H03K19/017 , G09G3/3674 , H03K19/0175
摘要： 本发明提供一种电平偏移单元、电平偏移电路及其驱动方法、栅极驱动电路，属于显示技术领域，本发明的电平偏移单元包括逻辑控制模块、输出模块、输出控制模块和反馈模块；其中，所述逻辑控制模块，连接开启电源、驱动电源、输入信号端，以及输出模块；所述反馈模块，连接使能信号端、信号输出端，以及输出控制模块；所述输出控制模块，连接输出模块、驱动电源；所述输出模块，连接信号输出端。该电平偏移单元的反馈模块通过使能信号端和信号输出端所输入的信号来控制输出模块的开启或关断，如果两个电平偏移单元所输出的信号短路，反馈模块控制该电平偏移电路的输出控制模块断开，以使输出模块输出高阻态，进而避免栅极驱动器烧毁，出现安全隐患。
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