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公开(公告)号：CN100426459C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200510115630.4
申请日：2005-11-08
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 弗雷德里克·杜蓬
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/76254 , Y10S438/93 , Y10S438/933
摘要： 本发明涉及包括以下步骤的化合物材料晶片的制造方法：提供初始施体基材(1)，在初始施体基材(1)内形成预定的分离区(4)，将初始施体基材(1)附着在操作基材(2)上，和在预定的分离区(4)对施体基材(1)进行拆分，从而将施体基材(1)的层(6)转移至操作基材(2)上以形成化合物材料晶片(10)。为改善该方法的成本效率，该方法还包括在拆分步骤之后将层(12)沉积在施体基材的残余部分(9)上以至少部分地恢复所述初始施体基材(1)的厚度和再次使用具有沉积层(12)的施体基材(1)作为步骤a)中的初始施体基材(1)。本发明还涉及至少包括根据所述方法制造的化合物材料晶片部件的电子学、光电子学或光学元件。
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公开(公告)号：CN1790620A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510115630.4
申请日：2005-11-08
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 弗雷德里克·杜蓬
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/76254 , Y10S438/93 , Y10S438/933
摘要： 本发明涉及包括以下步骤的化合物材料晶片的制造方法：提供初始施体基材(1)，在初始施体基材(1)内形成预定的分离区(4)，将初始施体基材(1)附着在操作基材(2)上，和在预定的分离区(4)对施体基材(1)进行拆分，从而将施体基材(1)的层(6)转移至操作基材(2)上以形成化合物材料晶片(10)。为改善该方法的成本效率，该方法还包括在拆分步骤之后将层(12)沉积在施体基材的残余部分(9)上以至少部分地恢复所述初始施体基材(1)的厚度和再次使用具有沉积层(12)的施体基材(1)作为步骤a)中的初始施体基材(1)。本发明还涉及至少包括根据所述方法制造的化合物材料晶片部件的电子学、光电子学或光学元件。
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公开(公告)号：CN1155111C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN96199008.2
申请日：1996-12-11
CPC分类号： H01L31/0749 , C23C28/023 , C25D3/56 , C25D5/18 , G03C1/22 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y10S205/915 , Y10S438/93
摘要： 可用于生产太阳能电池的高质量铜-铟-镓-联硒的薄膜是通过在玻璃/Mo基材(12、14)上电淀积至少一种构成金属(18)，接着通过物理气相淀积铜和硒或铟和硒来调整该薄膜的最终化学计量为接近Cu(In，Ga)Se2来制备的。在电淀积中采用1～100千赫的交流电和直流电可提高淀积薄膜的形态和生长速度。可以采用含有至少一部分有机溶剂的电淀积溶液，同时提高阴极电位来提高该电淀积薄膜的镓含量。
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公开(公告)号：CN1505843B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN02809205.8
申请日：2002-06-12
申请人： 克里公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/04 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32 , Y10S438/93
摘要： 本申请公开了一种发光二极管。该二极管包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底(21)；位于SiC衬底之上的、导电类型与衬底相同的第一氮化镓层(25)；在GaN层(27)上的、由选自GaN、InGaN和AlInGaN的多个交替层重复系列形成的超晶格；位于超晶格上、导电类型与第一GaN层相同的第GaN层(30)；第二GaN层上的多量子阱(31)；多量子阱上的第三GaN层；位于第三GaN层(32)上、导电类型与衬底和第一GaN层相反的接触结构；对SiC衬底的欧姆接触；和对接触结构的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN1263169C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN02119081.X
申请日：2002-03-09
申请人： 精工爱普生株式会社
CPC分类号： H01S5/183 , B82Y20/00 , H01L33/56 , H01S5/02284 , H01S5/02292 , H01S5/0425 , H01S5/18347 , H01S5/2081 , H01S5/3432 , H01S2301/176 , Y10S438/93 , Y10S438/949
摘要： 一种沿衬底的垂直方向发射光的表面发光型发光元件的制造方法，包括以下工序(a)～(e)：(a)腐蚀多层膜的至少一部分来形成柱状部的工序，(b)形成覆盖柱状部的第1树脂层的工序，(c)改变第1树脂层相对于液体中的溶解度来形成第2树脂层的工序，(d)在溶解第2树脂层的液体中，至少将柱状部和第2树脂层浸渍规定时间，在第2树脂层中至少除去在柱状部上形成的部分的工序，(e)使第2树脂层固化来形成绝缘层的工序。
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公开(公告)号：CN101221895B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN200810002207.7
申请日：2005-11-08
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 弗雷德里克·杜蓬
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/76254 , Y10S438/93 , Y10S438/933
摘要： 本发明涉及包括以下步骤的化合物材料晶片的制造方法：提供初始施体基材(1)，在初始施体基材(1)内形成预定的分离区(4)，将初始施体基材(1)附着在操作基材(2)上，和在预定的分离区(4)对施体基材(1)进行拆分，从而将施体基材(1)的层(6)转移至操作基材(2)上以形成化合物材料晶片(10)。为改善该方法的成本效率，该方法还包括在拆分步骤之后将层(12)沉积在施体基材的残余部分(9)上以至少部分地恢复所述初始施体基材(1)的厚度和再次使用具有沉积层(12)的施体基材(1)作为步骤a)中的初始施体基材(1)。本发明还涉及至少包括根据所述方法制造的化合物材料晶片部件的电子学、光电子学或光学元件。
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公开(公告)号：CN101536187A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780037375.3
申请日：2007-10-05
申请人： 日立化成工业株式会社 , 日立化成研究中心
发明人： 吴永现
IPC分类号： H01L27/00
CPC分类号： H01L31/035281 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L31/072 , Y02E10/50 , Y10S438/93 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/768 , Y10S977/789
摘要： 一种产生硅纳米线的方法，包括：提供掺杂材料形式的衬底；配制蚀刻溶液；将适当的电流密度施加适当的时间长度。还描述了至少部分地由硅纳米线构成的相关结构和器件。
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公开(公告)号：CN1164934A
公开(公告)日：1997-11-12
申请号：CN96191004.6
申请日：1996-08-30
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/007 , Y10S438/93
摘要： 一种通过较少步骤的工艺过程制造氮化镓型蓝色发光器件的方法。该器件包括这样一个多层结构，它包含一个用第一导电类型杂质掺杂的第一氮化镓半导体层、一个实质上本征的氮化镓半导体活性层和一个用与第一导电类型相反的第二导电类型杂质掺杂的第二氮化镓半导体层。在该器件的制造中，第一和第二氮化镓半导体层及氮化镓半导体活性层是通过高温CVD形成的，并且随后被留在一种惰性气体中以便自然冷却。
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公开(公告)号：CN101834245A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010156574.X
申请日：2002-06-12
申请人： 克里公司
IPC分类号： H01L33/04 , H01L27/15 , G09F9/33 , F21S2/00 , F21Y101/02
CPC分类号： H01L33/04 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32 , Y10S438/93
摘要： 本申请公开了一种发光二极管。该二极管包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底(21)；位于SiC衬底之上的、导电类型与衬底相同的第一氮化镓层(25)；在GaN层(27)上的、由选自GaN、InGaN和AlInGaN的多个交替层重复系列形成的超晶格；位于超晶格上、导电类型与第一GaN层相同的第二GaN层(30)；第二GaN层上的多量子阱(31)；多量子阱上的第三GaN层；位于第三GaN层(32)上、导电类型与衬底和第一GaN层相反的接触结构；对SiC衬底的欧姆接触；和对接触结构的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN1505843A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN02809205.8
申请日：2002-06-12
申请人： 克里公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/04 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32 , Y10S438/93
摘要： 本申请公开了一种发光二极管。该二极管包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底(21)；位于SiC衬底之上的、导电类型与衬底相同的第一氮化镓层(25)；在GaN层(27)上的、由选自GaN、InGaN和AlInGaN的多个交替层重复系列形成的超晶格；位于超晶格上、导电类型与第一GaN层相同的第二GaN层(30)；第二GaN层上的多量子阱(31)；多量子阱上的第三GaN层；位于第三GaN层(32)上、导电类型与衬底和第一GaN层相反的接触结构；对SiC衬底的欧姆接触；和对接触结构的欧姆接触。
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