公开(公告)号：CN103325828B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201210315907.8

申请日：2012-08-30

申请人： 株式会社东芝

发明人： 斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也 ,  仲敏行

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L27/0727 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H02M3/155 ,  H02M3/33569 ,  H02M2001/007 ,  H01L2924/00

摘要： 根据1个实施方式，氮化物半导体元件具备：导电性基板；第1氮化物半导体层，直接或经由缓冲层设在导电性基板之上，由无掺杂的氮化物半导体构成；第2氮化物半导体层，设在第1氮化物半导体层之上，由具有比第1氮化物半导体层大的带隙的无掺杂或n型的氮化物半导体构成；异质结场效应晶体管，具有源电极、漏电极及栅电极；肖特基势垒二极管，具有阳电极及阴电极；第1及第2元件分离绝缘层；框架电极。该框架电极与源电极及导电性基板电连接，将异质结场效应晶体管及肖特基势垒二极管的外周包围。

公开(公告)号：CN102694019B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201110255497.8

申请日：2011-08-31

申请人： 株式会社东芝

发明人： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  斋藤涉 ,  杉山亨

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供氮化物半导体器件及其制造方法。氮化物半导体器件具备第1半导体层、第2半导体层、第1电极、第2电极、第3电极、第1绝缘膜和第2绝缘膜。第2半导体层设置在第1半导体层之上。第2半导体层包含具有比第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体。第2半导体层具有孔部。第1电极设置在孔部内。第2电极设置在第2半导体层之上。第3电极在第2半导体层之上，在第2电极之间夹着第1电极地设置，与第2半导体层电连接。第1绝缘膜是含有氧的膜。第1绝缘膜设置在第1电极和孔部的内壁之间及第1电极和第2电极之间，与第3电极分离设置。第2绝缘膜是含有氮的膜。第2绝缘膜在第1电极和第3电极之间与第2半导体层相接地设置。

公开(公告)号：CN1164934A

公开(公告)日：1997-11-12

申请号：CN96191004.6

申请日：1996-08-30

申请人： 株式会社东芝

发明人： 新田康一 ,  藤本英俊 ,  石川正行

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  Y10S438/93

摘要： 一种通过较少步骤的工艺过程制造氮化镓型蓝色发光器件的方法。该器件包括这样一个多层结构，它包含一个用第一导电类型杂质掺杂的第一氮化镓半导体层、一个实质上本征的氮化镓半导体活性层和一个用与第一导电类型相反的第二导电类型杂质掺杂的第二氮化镓半导体层。在该器件的制造中，第一和第二氮化镓半导体层及氮化镓半导体活性层是通过高温CVD形成的，并且随后被留在一种惰性气体中以便自然冷却。

公开(公告)号：CN103000682B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210061235.2

申请日：2012-03-09

申请人： 株式会社东芝

发明人： 斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7783

摘要： 本发明的实施方式的氮化物半导体器件，具备：由AlxGa1-xN构成的第1半导体层(4)，其中，0≤x＜1；由AlyGa1-yN构成的第2半导体层(5)，其中，0＜y≤1，x＜y；导电性基板(2)；第1电极(6)；第2电极(8)；及控制电极(7)。第2半导体层与第1半导体层直接接合。第1半导体层与导电性基板电连接。第1电极及第2电极与第2半导体层的表面电连接。控制电极设置于在第1电极和第2电极之间的第2半导体层的上述表面上。第1电极与Si-MOSFET102的漏电极(8a)电连接。控制电极与上述MOSFET的源电极(6a)电连接。导电性基板与上述MOSFET的栅电极(7a)电连接。

公开(公告)号：CN104916678A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410305208.4

申请日：2014-06-30

申请人： 株式会社东芝

发明人： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子 ,  村上友佳子 ,  罇贵子

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/423 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明提供抑制电气特性的变动的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：GaN系半导体层；设置在GaN系半导体层上的源极；设置在GaN系半导体层上的漏极；在源极与漏极之间的、设置在GaN系半导体层上的栅极；以及在栅极与漏极之间与GaN系半导体层接触地设置的第1导电层。

公开(公告)号：CN103681858A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310376099.0

申请日：2013-08-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  吉冈启 ,  斋藤涉 ,  仲敏行

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/743 ,  H01L23/3178 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/7786 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/13099

摘要： 实施方式涉及的半导体装置具备：基板、第1半导体区域、第2半导体区域、第1电极、第2电极、控制电极、以及导通部。上述基板包含导电性区域。上述第1半导体区域包含设置于上述基板的第1面侧的AlxGa1－xN（0≤X≤1）。上述第2半导体区域包含设置于上述第1半导体区域的与上述基板相反一侧的AlYGa1－YN（0≤Y≤1，X≤Y）。上述第1电极设置于上述第2半导体区域的与上述第1半导体区域相反一侧，与上述第2半导体区域欧姆连接。上述控制电极与上述第1电极离开地设置。上述导电部电连接上述第1电极与上述导电性区域。

公开(公告)号：CN102237402A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110109142.8

申请日：2011-03-18

申请人： 株式会社东芝

发明人： 吉冈启 ,  斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/743 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78

摘要： 本发明的氮化物半导体元件具备：第一半导体层，其设置在基板上且含有第一导电型的氮化物半导体；第二半导体层，其设置在所述第一半导体层上、且含有具有与所述第一半导体层的表面载流子浓度相同量的表面载流子浓度的第二导电型的氮化物半导体。在所述第二半导体层上设置第三半导体层，其含有比所述第二半导体层的带隙宽度更宽的氮化物半导体。所述氮化物半导体元件进一步具备第一主电极，其与所述第二半导体层电连接；第二主电极，其与所述第一主电极隔开地设置、且与所述第二半导体层电连接；以及具备控制电极，其在所述第一主电极和所述第二主电极之间、隔着绝缘膜设置在贯通所述第三半导体层和所述第二半导体层而到达所述第一半导体层的第一沟槽的内部。

公开(公告)号：CN104916694A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410400103.7

申请日：2014-08-14

申请人： 株式会社东芝

发明人： 藤本英俊

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7395

摘要： 本发明的半导体装置具备：n型的氮化物半导体层；绝缘层，选择性地设置在氮化物半导体层上；n型的第一氮化物半导体区域，设置在氮化物半导体层上及绝缘层上；n型的第二氮化物半导体区域，设置在绝缘层上；p型的第三氮化物半导体区域，设置在第一氮化物半导体区域和第二氮化物半导体区域之间；栅极绝缘膜，设置在第三氮化物半导体区域上；栅电极，设置在栅极绝缘膜上；第一电极，与第二氮化物半导体区域电连接；以及第二电极，设置在氮化物半导体层的绝缘层相反侧，与氮化物半导体层电连接。

公开(公告)号：CN104916692A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410397429.9

申请日：2014-08-13

申请人： 株式会社东芝

发明人： 增子真吾 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  汤元美树 ,  三村正人 ,  齐藤泰伸 ,  吉冈启 ,  藤本英俊 ,  内原士 ,  大野哲也 ,  仲敏行 ,  小野祐

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14515 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种能够实现电极的连接部分的电传导性或热传导性的提高的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备半导体芯片，该半导体芯片具有氮化物半导体层、以及设置于上述氮化物半导体层的控制电极、第一主电极和第二主电极。进而，上述装置具备支撑体，该支撑体具有基板、以及设置于上述基板的控制端子、第一主端子和第二主端子。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极与上述支撑体相对置地设置于上述支撑体。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极分别与上述支撑体的上述控制端子、上述第一主端子以及上述第二主端子电连接。

公开(公告)号：CN104916679A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410305254.4

申请日：2014-06-30

申请人： 株式会社东芝

发明人： 藤本英俊

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003

摘要： 本发明提供降低栅极泄露电流的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一氮化物半导体层、设置在第一氮化物半导体层上且禁带比第一氮化物半导体层大的第二氮化物半导体层、设置在第二氮化物半导体层上的源极电极、设置在第二氮化物半导体层上的漏极电极、设置在源极电极与漏极电极之间的第二氮化物半导体层上且杂质浓度为1×1017atoms/cm3以下且禁带比第二氮化物半导体层小的第三氮化物半导体层、设置在第三氮化物半导体层上的p型的第四氮化物半导体层、和设置在第四氮化物半导体层上的栅极电极。