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公开(公告)号：CN102084431B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN200980126337.4
申请日：2009-06-08
申请人： 因菲尼泰西马有限公司
发明人： 安德鲁·汉弗里斯
CPC分类号： G01Q20/02 , G01B11/0608 , G01B2290/45 , G01Q10/065
摘要： 用于扫描探针显微镜的探针检测系统(74)包括高度检测系统(88)和偏转检测系统(28)。在扫描样品表面时，将从显微镜探针(16)反射的光分离为两个分量。通过偏转检测系统(28)分析第一分量(84)，并且在保持平均探针偏转在扫描期间基本恒定的反馈系统中使用第一分量(84)。由高度检测系统(88)分析第二分量(86)，由此获得对探针在固定参考点以上的高度的指示，并由此获得样品表面的图像。该双检测系统特别适合在快速扫描应用中使用，在这些应用中，反馈系统不能以调整像素位置之间的高度所需的速率进行响应。
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公开(公告)号：CN101711342B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN200880014968.2
申请日：2008-05-02
申请人： 布鲁克纳米公司
CPC分类号： G01Q10/06 , B82Y35/00 , G01Q10/04 , G01Q10/065
摘要： 一种操作度量器件的方法，包括：使用执行器(110)以扫描频率产生探针(14)与样本(22)之间的相对运动。该方法还包括：使用在检测到的运动中表现噪声的位置传感器(108)检测执行器的运动，并且使用反馈回路(104)和前馈算法(120)控制执行器(110)的位置。在该实施例中，控制步骤使得执行器位置中的噪声与在扫描带宽上的位置传感器所表现的噪声相比而被衰减。扫描频率可高达第一扫描器谐振频率的三分之一或大于300Hz。
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公开(公告)号：CN101606051B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200880002061.4
申请日：2008-01-07
申请人： 国立大学法人大阪大学 , 株式会社岛津制作所
IPC分类号： G01N13/16
CPC分类号： G01Q60/32 , G01Q30/04 , Y10S977/863
摘要： 本发明提供一种原子间力显微镜以及采用该原子间力显微镜的相互作用力测定方法。由FM-AFM得到的频率偏移Δf，能够由由来于远距离相互作用力的ΔfLR和由来于短距离相互作用力的ΔfSR的简单的线形结合来表示。在此，仅对比较短的距离范围来分别测定试料表面的原子缺陷上的Δf曲线和目的原子上的Δf曲线(S1、S2)，求出两者的差分Δf曲线(S3)。差分Δf曲线只由来于短距离相互作用力，因此在此适用公知的变换处理来求出表示力和距离Z之间的关系的F曲线，据此得到目的原子上的短距离相互作用力(S4)。由于能够缩小Δf曲线测定时的距离范围，因此能够缩短测定时间，Δf曲线→F曲线的变换一次就结束，因此运算时间也能缩短。由此，在求出在试料表面的原子和探针之间起作用的短距离相互作用力时，缩短Δf曲线的测定所需要的时间以及运算时间，实现精度提高，并且能够提高处理能力。
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公开(公告)号：CN102084431A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980126337.4
申请日：2009-06-08
申请人： 因菲尼泰西马有限公司
发明人： 安德鲁·汉弗里斯
CPC分类号： G01Q20/02 , G01B11/0608 , G01B2290/45 , G01Q10/065
摘要： 用于扫描探针显微镜的探针检测系统(74)包括高度检测系统(88)和偏转检测系统(28)。在扫描样品表面时，将从显微镜探针(16)反射的光分离为两个分量。通过偏转检测系统(28)分析第一分量(84)，并且在保持平均探针偏转在扫描期间基本恒定的反馈系统中使用第一分量(84)。由高度检测系统(88)分析第二分量(86)，由此获得对探针在固定参考点以上的高度的指示，并由此获得样品表面的图像。该双检测系统特别适合在快速扫描应用中使用，在这些应用中，反馈系统不能以调整像素位置之间的高度所需的速率进行响应。
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公开(公告)号：CN101960287A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200880110612.9
申请日：2008-08-04
申请人： 威科仪器公司
CPC分类号： G01Q10/04 , G01Q10/065 , G01Q20/02 , G01Q60/38
摘要： 提供了一种能够在力控制反馈下对任意特性的较大样品进行迅速扫描以获得高分辨率图像的方法和装置。该方法包括：在扫描探针显微镜(SPM)的探针(215)与样品(112)之间产生相对扫描移动，以至少30行/秒的速率将探针扫描通过至少4微米的扫描范围；以及用至少1mm/sec的力控制回转速率来控制探针-样品的相互作用。能够获得这些结果的优选SPM具有至少具有闭环带宽的力控制带宽的力控制器，所述闭环带宽至少为10kHz。
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公开(公告)号：CN1769860B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200510117193.X
申请日：2005-11-02
申请人： 株式会社三丰
发明人： 日高和彦
摘要： 一种表面性状测定用探针(60)，具有：探针头(65)、第1支承体(61)、第2支承体(62)、压电元件(63)、平衡器(64)。第1支承体具有：第1支承部(611)；3根梁(613)，其从等角度配置于第1支承部上的位置朝向中央延伸，用于将探针头(65)支承于其顶端。第2支承体(62)具有：第2支承部(621)；保持部(622)，其由多根梁(623)支承，该多根梁从等角度配置于该第2支承部上的位置朝向中央延伸。压电元件(63)配置于探针头与保持部之间，且沿轴向振动。
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公开(公告)号：CN101135625B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610062428.4
申请日：2006-09-01
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： G01N19/04 , G01N2203/0286
摘要： 一种碳纳米管阵列与基底结合力的测量方法，其测量的碳纳米管阵列中碳纳米管间具有一定的间隙，该测量方法包括：提供一毫牛测力计，该测力计具有一个测力臂，该测力臂的末端固定一测力探针，该测力探针具有平整的测力端面；在测力探针的测力端面上涂覆一层粘性胶；以及将涂覆有粘性胶的测力端面逐渐靠近待测的碳纳米管阵列的表面并紧密接触，然后将测力探针逐渐拔离碳纳米管阵列表面，测力探针的测力端面将粘附一定数量的碳纳米管，通过测力计显示的力的数值以及拔出的碳纳米管的数量即可以得出碳纳米管阵列与其附着的基底的结合力大小。
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公开(公告)号：CN101598655A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910025456.2
申请日：2009-03-05
申请人： 苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种通过原子力显微镜精确定位测定III族氮化物单晶表面位错类型并统计不同类型位错密度的检测方法，属于半导体材料质检领域。其目的是通过标记检测区域，利用原子力显微镜对标记区域表面形貌进行测试，然后将样品进行多次腐蚀，并在每次腐蚀后用原子力显微镜对标记的同一检测区域进行重复测试，多次腐蚀和测试后统计得到每个腐蚀位错坑的腐蚀速率，判定对应的位错类型，进而统计各类型位错的密度。本发明突破传统透射电子显微镜的位错检测方法，制样方法简单，位错类型判定准确高效，不仅可用于工业上各类半导体材料的质量检测，促进III族氮化物基光电器件在光电产业的发展，也能应用于关于薄膜材料位错腐蚀动力学的科学研究。
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公开(公告)号：CN100541708C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610164888.8
申请日：2006-12-07
申请人： 中国科学院电工研究所
摘要： 一种利用原子力显微镜的套刻对准方法及装置，其方法包括以下步骤：(1)在第一层图形写入的同时写入套刻对准标记；(2)在第二层图形刻写之前对其工作区域扫描成像，根据扫描成像的结果对第二层图形结构的坐标进行修正；(3)以修正后的图形坐标刻写第二层图形结构；(4)多层图形结构的坐标均依据原子力显微镜扫描结果进行修正，从而完成套刻加工。应用上述套刻对准方法的装置，包括以压电陶瓷闭环定位系统作为扫描器的原子力显微镜、光学观测镜、机械调节平台与电压开关电路[8]，电压开关电路[8]控制加工电压。本发明利用原子力显微镜自身的成像功能与压电陶瓷闭环定位系统[5]进行测量与定位，在不引进复杂的高精度光学对准设备的条件下可实现高精度的套刻加工。
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