公开(公告)号：CN118565690A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202411027627.6

申请日：2024-07-30

申请人： 上海拜安传感技术有限公司 ,  上海拜安半导体有限公司

发明人： 钟少龙 ,  龙亮 ,  郭智慧 ,  周伟 ,  张鑫鑫 ,  郭凉杰

IPC分类号： G01L13/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

摘要： 本公开涉及一种差分式MEMS光纤差压传感器芯片及其制造方法。该差分式MEMS光纤差压传感器芯片包括：第一压力敏感结构，第二压力敏感结构，中间敏感层结构，第一光纤准直器对，第二光纤准直器对；中间敏感层结构被设置在第一压力敏感结构的底表面与第二压力敏感结构的底表面之间；中间敏感层结构被设置成分隔第一光纤准直器对与第二光纤准直器对，并且被构造成支撑第一压力敏感结构与第二压力敏感结构并且减小中间敏感层结构的刚度。此外，本公开还提供了一种差分式MEMS光纤差压传感器芯片的制造方法。本公开所提供的差分式MEMS光纤差压传感器芯片其结构巧妙、可批量化生产，具有探头无源、抗电磁干扰、可远距离传输以及可在恶劣环境下工作等优点。

公开(公告)号：CN112424610B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201880095660.9

申请日：2018-09-27

申请人： 株式会社日立高新技术

发明人： 长冈嘉浩 ,  佐藤航 ,  山本周平 ,  中泽太朗 ,  藤冈满 ,  奥野惠佳

IPC分类号： G01N35/00 ,  B81B3/00 ,  G01N37/00

摘要： 本发明为了能够以少的残留液量将试剂导入，并通过弹性膜的变形来进行流动操作，构成如下的密封型的试样处理设备，该密封型的试样处理设备具备：试剂保存部(80)，在将试剂保存在上部膜与下部膜之间的保存空间的周围设置有将两个膜接合的接合部；分析芯片(10)，具有在下表面侧液体流动的下表面流路和在上表面侧液体流动的上表面流路；以及弹性膜(20)，将分析芯片的下表面侧密封。试剂保存部(80)的下部膜的至少一部分与分析芯片的上表面侧接合，在上表面流路的上部具备下部膜的一部分被除去的除去部，接合部包含除去部与保存空间之间的至少一部分与其他部分相比接合强度弱的低强度接合部，上表面流路的两端与不同的下表面流路连通。

公开(公告)号：CN113015691B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN201980074534.X

申请日：2019-11-15

申请人： 国立大学法人东京大学 ,  株式会社鹭宫制作所

发明人： 年吉洋 ,  本间浩章 ,  三屋裕幸

IPC分类号： B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H02N1/00

摘要： 一种梳齿型元件的制造方法，该梳齿型元件具备经由间隙相互啮合地配置的多个固定梳齿和多个可动梳齿，并且上述可动梳齿与上述固定梳齿的啮合量可变，其中，在被蚀刻基材的表面形成用于形成上述固定梳齿的第一掩模图案和用于形成上述可动梳齿的第二掩模图案，在相邻的上述第一掩模图案之间以及相邻的上述第二掩模图案之间的上述被蚀刻梳齿基材上配置被蚀刻掩模图案，并且该被蚀刻掩模图案的厚度根据相邻的上述固定梳齿与上述可动梳齿之间的第一间隙尺寸和相互相邻的上述固定梳齿之间的第二间隙尺寸来形成，通过Deep‑RIE对上述被蚀刻基材及上述被蚀刻掩模图案进行蚀刻，形成上述固定梳齿及上述可动梳齿。

公开(公告)号：CN113227740B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201980085011.5

申请日：2019-12-13

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： T·弗里德里希 ,  J·梅克巴赫

IPC分类号： G01L9/00 ,  B81B3/00

摘要： 一种微机械压力传感器设备，所述微机械压力传感器设备具有：第一掺杂类型的半导体基础衬底，在所述半导体基础衬底上布置有所述第一掺杂类型的中间层；空腔，所述空腔包括所述半导体基础衬底的部分区域的凹槽和所述中间层的凹槽，其中，所述空腔由第二掺杂类型的密封层封闭并且包含参考压力，其中，所述密封层具有布置在所述空腔的上侧处的膜片区域；所述第二掺杂类型的第一栅格，所述第一栅格在所述空腔内悬挂在所述第二掺杂类型的掩埋连接区域处，其中，所述掩埋连接区域远离所述空腔侧向延伸到所述半导体基础衬底中；所述第二掺杂类型的第二栅格，所述第二栅格布置在所述膜片区域的指向所述空腔的一侧上并且悬挂在所述膜片区域处，其中，所述第一栅格和所述第二栅格彼此电绝缘并且形成电容C，其中，第一连接部经由所述掩埋连接区域与所述第一栅格电连接，并且第二连接部与所述第二栅格电连接，其中，外部压力与所述参考压力之间的压力变化能够通过所述第一连接部与所述第二连接部之间的电容变化来检测。一种相应的制造方法。

公开(公告)号：CN118303038A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202280078024.1

申请日：2022-11-24

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 池内伸介 ,  松原弘 ,  丹羽亮介

IPC分类号： H04R17/00 ,  B81B3/00 ,  H04R1/28

摘要： 具备声学设备(100)和声学路径(P)。声学设备(100)包含声学MEMS元件(120)。声学路径(P)与声学MEMS元件(120)相通。在声学路径(P)中，能够与通过声学MEMS元件(120)的振动而产生的超声波共鸣。超声波换能器(400)具有通过声学MEMS元件(120)的共振和由声学路径(P)产生的共鸣组合而出现多个声压峰值的声压频率特性。如果将声学MEMS元件(120)的共振频率设为f0，将上述声压频率特性中出现多个声压峰值的频率之中低于共振频率f0且最接近共振频率f0的频率设为fl，则满足5≤(f0‑fl)/f0×100≤33的关系。

公开(公告)号：CN115265753B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202210878714.7

申请日：2022-07-25

申请人： 中南大学

发明人： 卢知来 ,  刘林鹏 ,  宋佳楠 ,  陈思雨 ,  王青山 ,  夏建芳

IPC分类号： G01H11/06 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

摘要： 本发明公开了一种纸基MEMS新型超疏水振动传感器及其制备方法，传感器包括：纸基框，设置有通孔；纸基块，位于所述通孔内；4个纸基梁，两端分别连接所述纸基块和所述纸基框，在4个纸基梁上分别设置4个微米级V型槽，且4个微米级V型槽内分别设置4个导电层，由于2个微米级V型槽的开口朝向纸基梁的一侧，另外2个微米级V型槽的开口朝向纸基梁的另一侧。当纸基块受到力移动时，纸基梁弯曲，则2个微米级V型槽的开口张得更开，对应的导电层的电阻增大，另外2个微米级V型槽的开口趋近于闭合，对应的导电层的电阻减小。采用纸作为基底材料并形成导电层，制备步骤简单，且成本较低。

公开(公告)号：CN118265669A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202280076415.X

申请日：2022-10-26

申请人： 斯塔西拉知识产权控股公司

发明人： A·达鲁瓦拉 ,  R·马修

IPC分类号： B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H03H9/24 ,  H03H9/125

摘要： 示例硅MEMS谐振器器件包括支撑结构、具有至少一个相关联的本征振动模式的谐振器元件、将谐振器元件耦合至支撑结构的至少一个锚定件、至少一个驱动电极和至少一个感测电极。谐振器元件用N型或P型掺杂物均匀掺杂到引起严密温度补偿模式的掺杂浓度，在该严密温度补偿模式中，(i)谐振器元件的频率的一阶温度系数的绝对值减小到低于阈值的第一值，以及(ii)谐振器元件的频率的二阶温度系数的绝对值减小到大约零。进一步，谐振器元件的几何形状被选择成使得频率的一阶温度系数的绝对值进一步减小到小于第一值的第二值。

公开(公告)号：CN118221060A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410263999.2

申请日：2024-03-08

申请人： 东南大学

发明人： 郝梦龙 ,  袁梦洲 ,  魏阳兵 ,  孙一苇

IPC分类号： B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01M10/613 ,  H01M10/625 ,  H01M10/637 ,  H01M10/635 ,  H01M10/6551

摘要： 本发明公开了一种基于微纳加工工艺的热膨胀双晶片热开关及其制造方法，利用热膨胀双晶片随温度变化产生翘曲变形的特性，使得导热表面的热膨胀双晶片在温度升高时产生位移向另一导热表面靠近直至贴上，传热模式从对流和辐射转变为热传导，实现传热热阻的自适应调控，从而将电池等设备温度控制在合适的范围内。本发明通过使用双晶片随温度的弯曲变形来实现两个界面的接触与否，最终实现热开关的断开与闭合，从而实现散热和保温两种形式的切换，热开关结构简单，易于加工，且使用过程中完全处于被动状态，无需提供额外能量，也无需干预，低碳环保。

公开(公告)号：CN114348951B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202210018515.9

申请日：2022-01-07

申请人： 中国人民解放军国防科技大学

发明人： 侯占强 ,  吴学忠 ,  肖定邦 ,  李青松 ,  席翔 ,  张勇猛 ,  刘高 ,  单恒 ,  苗桐侨 ,  虢晓双 ,  王北镇

IPC分类号： B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01P15/125

摘要： 本发明公开了一种抗高过载硅敏感单元、微加速度计及其制备方法，硅敏感单元包括外框、复合梁结构与质量块组件；复合梁结构包含梁应力释放结构、敏感梁和位移限制梁，梁应力释放结构的两侧通过敏感梁与外框相连、两端通过位移限制梁与外框相连；两个敏感梁、两个位移限制梁以梁应力释放结构为中心呈十字对称结构位于质量块组件间隔的镂空槽内；外框包含缓冲止挡结构。本发明应用于硅微传感器技术领域，增设位移限制梁与缓冲止挡结构，在不影响微加速度计工作模态下，位移限制梁可以在微加速度计受到冲击时提升敏感梁的刚度和整个敏感单元的刚性，外框上的缓冲止挡结构可在质量块与外框产生碰撞时进行阻挡与缓冲保护，提高了微加速度计抗过载性能。

公开(公告)号：CN118139810A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202280070850.1

申请日：2022-10-19

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： H·韦伯 ,  S·马赫 ,  P·施莫尔林格鲁贝尔

IPC分类号： B81B3/00 ,  B81C1/00

摘要： 本发明涉及一种用于传感器装置或者麦克风装置的微机械构件，该微机械构件具有能调整地布置在凹腔(98)上和/或其中的、由硅制成的致动器电极(46)和布置在所述凹腔(98)中的、由硅制成的定子电极(52)，所述定子电极紧固在绝缘层(70)上，在凹腔(98)中存在真空或者至少一种气体，绝缘层(70)至少在定子电极(52)的远离致动器电极(46)定向的侧上限界凹腔(98)，定子电极(52)通过至少一个穿过绝缘层(70)伸出的、由硅制成的支撑结构(72)紧固在绝缘层(70)上，使得在定子电极(52)和绝缘层(70)之间存在至少一个中间间隙(100)，所述中间间隙具有真空或者凹腔(98)的至少一种气体。