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公开(公告)号：CN109307982B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201810840145.0
申请日：2018-07-27
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及一种光掩模坯料、光掩模坯料制造方法和光掩模制造方法。提供光掩模坯料，其包括透明衬底、在该衬底上的含铬材料的第一膜和与该第一膜邻接设置的含有硅/氧的材料的第二膜。该第二膜包括与该第一膜邻接的第一层和在膜厚方向上与该第一层间隔的第二层。该第一层的氧含量低于该第二层的氧含量。在该第一膜的蚀刻过程中，该设置防止蚀刻速率在该第一膜与该第二膜之间的界面处加速。
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公开(公告)号：CN118534570A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410606469.3
申请日：2024-05-16
申请人： 海宁九色光芯片科技有限责任公司
发明人： 吴少雄
摘要： 本发明属于光学元件技术领域，具体涉及一种超表面滤光片及其制备方法、红外光谱芯片及其制备方法和应用。本发明提供了一种超表面滤光片和红外光谱芯片，当宽谱光通过气体分子后，部分波长的光与气体分子发生共振从而被吸收，其中该波长的光被吸收的比例与气体分子的浓度成正比；之后宽谱光透过红外透明衬底，经过不同尺寸的超表面后照射在红外探测器的不同像素上，转换为电信号。由于等离激元效应，超表面只能透过特定波长的光。本发明通过调节纳米柱的直径与周期，可以控制透过光的波长，达到检测不同类型气体的目的。本发明提供的红外光谱芯片无需移动的光学元件，而是通过超表面阵列实现分光的效果，结构紧凑，体积小，成本低。
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公开(公告)号：CN118483865A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410675832.7
申请日：2019-08-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F1/22 , G03F1/24 , G03F1/38 , G03F1/40 , G03F1/54 , G03F1/80 , G03F7/20 , G03F7/00 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
摘要： 本公开涉及制造EUV光掩模的方法。在一种制造光掩模的方法中，在待蚀刻的光掩模的目标层上方形成具有电路图案的蚀刻掩模层。光掩模包括背部导电层。利用蚀刻硬盖覆盖目标层的边缘部分，同时通过蚀刻硬盖的开口暴露目标层的待蚀刻的区域。通过等离子体蚀刻来蚀刻目标层，同时防止等离子体的活性物质侵蚀背部导电层。蚀刻硬盖具有框架部分和侧框架。
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公开(公告)号：CN118483793A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202310139101.6
申请日：2023-02-10
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 本公开的实施例提供了一种光纤阵列组件、用于制造光纤阵列组件的方法和光通信装置。光纤阵列组件，包括第一基板(10)，包括多个第一凹槽；第二基板(20)，与第一基板(10)相对布置，并且包括多个第二凹槽，其中第一凹槽和第二凹槽由各向异性材料制成，第一凹槽和第二凹槽的凹槽宽度在从基板表面向基板内部延伸的方向上减小；以及多个光纤(30)，被分别保持在第一基板(10)的相应第一凹槽和第二基板(20)的相应第二凹槽之间。
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公开(公告)号：CN118244572A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410562695.6
申请日：2024-05-08
申请人： 浙江众凌科技有限公司
摘要： 本发明公开了掩膜版用invar原材的表面控制方法，具体涉及掩膜版技术领域，包括如下步骤：步骤S1：对i nvar原材进行称重，在i nvar原材表面涂上光刻胶后进行曝光显影后形成光刻图案；步骤S2：轧制I nvar原材表面粗糙度；步骤S3：控制i nvar原材成品轧程变形量；步骤S4：将含有光刻图案的i nvar原材加入到蚀刻液进行蚀刻处理，对i nvar原材进行减薄处理；步骤S5：调节相应的蚀刻速率。本发明通过控制轧制I nvar原材表面粗糙度＜0.1um并配合进一步化学刻蚀工艺，可以有效减少原材表面缺陷，同时通过控制轧程总变形量和初轧道次变形量，可以有效改善表面光泽度。
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公开(公告)号：CN118103772A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202380013993.3
申请日：2023-03-20
申请人： 美商福昌公司
发明人： 克里斯托弗·普罗格勒 , 杨·莫格·汉姆
IPC分类号： G03F1/72 , G01N21/896 , G03F1/60 , G03F1/50 , G01N21/958 , G03F1/80 , G03F1/70 , C03C15/02 , H01J37/30 , B24B7/24
摘要： 一种制造光掩模的方法，包括以下步骤：提供光掩模基座(blank)；检查光掩模基座以确定光掩模基座中一个或更多个缺陷的存在，其中一个或更多个缺陷包括一个或更多个光掩模基板(substrate)缺陷；以及通过将光掩模基板的一个或更多个表面部分粗糙化来补偿一个或更多个光掩模基板缺陷。
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公开(公告)号：CN117891122A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310044890.5
申请日：2023-01-30
申请人： 思而施技术株式会社
摘要： 公开一种用于EUV光刻的空白掩模，其包含依序形成于衬底上的反射膜、罩盖膜、蚀刻终止膜、相移薄膜及硬掩模膜。所述相移膜含有钌(Ru)，且所述蚀刻终止膜含有铬(Cr)及铌(Nb)。在所述蚀刻终止膜中，铌(Nb)的含量介于20at％到50at％的范围内，且铬(Cr)的含量介于10at％到40at％的范围内。所述硬掩模膜含有钽(Ta)及氧(O)。所述硬掩模膜中的钽(Ta)的含量高于或等于50at％。运用所述空白掩模，有可能在晶片印刷期间实施高分辨率及NILS，且实施DtC。
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公开(公告)号：CN117666280A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211055043.0
申请日：2022-08-31
申请人： 上海鲲游科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种衍射光波导及其制备方法以及AR显示设备，通过在利用图形化的硬掩模层定义出耦入光栅区图形与耦出光栅区图形的基础上，基于光栅压印模板对液态聚合物抗蚀剂进行纳米压印，利用压印并固化后的图形化的聚合物抗蚀剂以及图形化的硬掩模层，可一次刻蚀形成耦入光栅区和耦出光栅区，从而实现了耦入光栅区和耦出光栅区的一体化成形，有效地保证了耦入光栅区和耦出光栅区的相对位置精度，进而有利于进一步提升AR设备的显示效果。同时，由于光栅压印模板的第二图形区域设置有不等深度的凹槽，从而可实现通过一次刻蚀即可在耦出光栅区实现不等深度的耦出光栅单元，有效提高了衍射光波导的调制效率。
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公开(公告)号：CN113589642B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202110757830.9
申请日：2021-07-05
申请人： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
摘要： 本发明能够提供集成电路开路缺陷预测的方法、装置、计算机设备及介质，该方法可包括如下步骤。对集成电路设计版图包含的光刻图形进行光学邻近效应矫正，以得到第一仿真图形。基于刻蚀第一仿真图形的过程对第一仿真图形进行修正，以得到第二仿真图形。基于化学机械平坦化处理第二仿真图形的过程对第二仿真图形进行修正，以得到第三仿真图形。通过对第三仿真图形包含的目标线条图形进行分段划分的方式确定多个图形片段。根据所有图形片段的形貌特征预测目标线条图形是否存在开路缺陷。本发明结合了光学邻近效应、刻蚀、化学机械平坦化等多种工艺的涨落因素，实现一种抗工艺涨落的(56)对比文件Rakesh Kumar Kuncha等."OPCverification considering CMP inducedtopography"《.PROCEEDINGS OF SPIE》.2015,第9661卷第1-7页.
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公开(公告)号：CN117518712A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311636271.1
申请日：2023-12-01
申请人： 兴华芯(绍兴)半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种基于湿法蚀刻的光掩模板制作方法，包括湿法蚀刻步骤和去光阻步骤，在所述湿法蚀刻步骤和所述去光阻步骤之间还包括线宽预量测步骤：预先量测指定图形的线宽尺寸，得到线宽预量测尺寸，并根据线宽预量测尺寸判断是否需要进行蚀刻补偿，如果需要则进行蚀刻补偿后再进入所述去光阻步骤，如果不需要则直接进入所述去光阻步骤。本实施例提供的光掩模板制作方法，与传统的方法相比增加了线宽预量测步骤以及蚀刻补偿步骤，通过提前预判去光阻之后的线宽是否满足客户需求，以及在不满足需求时通过蚀刻补偿的方式进行补救，大大降低了产品的报废率，且相对于干法蚀刻而言，大大提高生产效率，提升产能。
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