公开(公告)号：CN118759793A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411006118.5

申请日：2024-07-25

申请人： 厦门美日丰创光罩有限公司

发明人： 黄绍春 ,  黄宇光 ,  黄志贤

IPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00

摘要： 本发明涉及一种均匀降低相转移光罩相位的方法，其通过Cl2/O2或者He/O2等离子的物理轰击将相转移光罩的相位移层均匀地蚀刻薄一层，其在蚀刻时间较短的情况下，修正范围可大于4°，并且在蚀刻过程中能够均匀、可控地对主要图像区域MoSi层的相位偏转值进行修正，大大提高了相转移光罩的成品率。

公开(公告)号：CN118706299A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410767217.9

申请日：2024-06-14

申请人： 大连理工大学

发明人： 杜立群 ,  李奥奇 ,  杨晓臣 ,  李蒙 ,  孟祥悦 ,  杜宝国 ,  孙盼

IPC分类号： G01L1/18 ,  G03F7/20 ,  G03F1/80 ,  G01L9/06 ,  G01L19/00

摘要： 一种阶梯十字梁群岛错位膜高过载压力传感器芯片及其制备方法，属于压力传感器技术领域。包括：玻璃衬底、硅片基底，硅片基底的外缘支撑在玻璃衬底的上方，硅片基底的中部为镂空结构,使二者之间形成密闭空腔；密闭空腔的顶壁面设有膜片感压结构；膜片感压结构分成阶梯十字梁群岛结构层、薄膜层和背腔结构层。阶梯十字梁群岛结构层由垂直薄膜层边缘中间分布的四条阶梯十字梁和位于薄膜上方均匀分布的正方形岛屿构成的群岛构成。背腔结构层由短梁、长梁、孤岛和群岛构成。短梁与阶梯十字梁对应，长度短，形成错位提高传感器的过载能力。本发明提出的传感器芯片结构合理，具备双向高过载的特点，提高传感器的动态性能、整体线性度，显著增强过载能力；制作方法简单、易于批量化生产。

公开(公告)号：CN118672053A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410165638.4

申请日：2024-02-05

申请人： 铠侠股份有限公司

发明人： 香川譲徳

IPC分类号： G03F1/78 ,  G03F1/76 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20

摘要： 提供一种能够缩短基板的描绘时间的描绘装置。本实施方式的描绘装置具备射束生成部，其生成对基板的描绘区域进行描绘的带电粒子的射束。描绘部对将描绘区域根据图案的密度划分而成的多个划分区域分别照射射束。控制器控制描绘部，使描绘部执行分别用射束照射多个划分区域中的至少一个划分区域的第1照射～第n照射(n为2以上的整数)，使第1照射～第n照射中的射束的合计照射量成为描绘区域中的射束的必要照射量以上。

公开(公告)号：CN118671868A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410266790.1

申请日：2024-03-08

申请人： 浦项工科大学校产学协力团

发明人： 鲁埈锡 ,  金周勋 ,  成俊和

IPC分类号： G02B3/00 ,  G03F7/00 ,  G03F1/80 ,  G03F1/76

摘要： 超透镜包括基板、在所述基板上提供的多个纳米结构体、以及高折射率原子层，所述高折射率原子层沿着所述多个纳米结构体的表面形成并且包含具有大于所述多个纳米结构体的折射率的折射率的材料。

公开(公告)号：CN109307982B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201810840145.0

申请日：2018-07-27

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 高坂卓郎 ,  金子英雄 ,  入江重夫 ,  川浦直树

IPC分类号： G03F1/80 ,  G03F1/66 ,  G03F1/76

摘要： 本发明涉及一种光掩模坯料、光掩模坯料制造方法和光掩模制造方法。提供光掩模坯料，其包括透明衬底、在该衬底上的含铬材料的第一膜和与该第一膜邻接设置的含有硅/氧的材料的第二膜。该第二膜包括与该第一膜邻接的第一层和在膜厚方向上与该第一层间隔的第二层。该第一层的氧含量低于该第二层的氧含量。在该第一膜的蚀刻过程中，该设置防止蚀刻速率在该第一膜与该第二膜之间的界面处加速。

公开(公告)号：CN118534570A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410606469.3

申请日：2024-05-16

申请人： 海宁九色光芯片科技有限责任公司

发明人： 吴少雄

IPC分类号： G02B5/20 ,  G02B5/00 ,  G03F1/80 ,  G01J3/02 ,  G01J3/42 ,  G01N21/25 ,  G01N21/3504

摘要： 本发明属于光学元件技术领域，具体涉及一种超表面滤光片及其制备方法、红外光谱芯片及其制备方法和应用。本发明提供了一种超表面滤光片和红外光谱芯片，当宽谱光通过气体分子后，部分波长的光与气体分子发生共振从而被吸收，其中该波长的光被吸收的比例与气体分子的浓度成正比；之后宽谱光透过红外透明衬底，经过不同尺寸的超表面后照射在红外探测器的不同像素上，转换为电信号。由于等离激元效应，超表面只能透过特定波长的光。本发明通过调节纳米柱的直径与周期，可以控制透过光的波长，达到检测不同类型气体的目的。本发明提供的红外光谱芯片无需移动的光学元件，而是通过超表面阵列实现分光的效果，结构紧凑，体积小，成本低。

公开(公告)号：CN118483865A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410675832.7

申请日：2019-08-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李信昌 ,  许倍诚 ,  连大成 ,  王子奕

IPC分类号： G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/38 ,  G03F1/40 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

摘要： 本公开涉及制造EUV光掩模的方法。在一种制造光掩模的方法中，在待蚀刻的光掩模的目标层上方形成具有电路图案的蚀刻掩模层。光掩模包括背部导电层。利用蚀刻硬盖覆盖目标层的边缘部分，同时通过蚀刻硬盖的开口暴露目标层的待蚀刻的区域。通过等离子体蚀刻来蚀刻目标层，同时防止等离子体的活性物质侵蚀背部导电层。蚀刻硬盖具有框架部分和侧框架。

公开(公告)号：CN118483793A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202310139101.6

申请日：2023-02-10

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 张智慧 ,  罗俊 ,  潘煦

IPC分类号： G02B6/36 ,  G03F1/80

摘要： 本公开的实施例提供了一种光纤阵列组件、用于制造光纤阵列组件的方法和光通信装置。光纤阵列组件，包括第一基板(10)，包括多个第一凹槽；第二基板(20)，与第一基板(10)相对布置，并且包括多个第二凹槽，其中第一凹槽和第二凹槽由各向异性材料制成，第一凹槽和第二凹槽的凹槽宽度在从基板表面向基板内部延伸的方向上减小；以及多个光纤(30)，被分别保持在第一基板(10)的相应第一凹槽和第二基板(20)的相应第二凹槽之间。

公开(公告)号：CN118244572A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410562695.6

申请日：2024-05-08

申请人： 浙江众凌科技有限公司

发明人： 闫西安 ,  康岳湖 ,  曾羽 ,  吴先睿 ,  倪源 ,  汤帅

IPC分类号： G03F1/68 ,  G03F1/76 ,  G03F1/80 ,  G03F1/82 ,  G03F1/84

摘要： 本发明公开了掩膜版用invar原材的表面控制方法，具体涉及掩膜版技术领域，包括如下步骤：步骤S1：对i nvar原材进行称重，在i nvar原材表面涂上光刻胶后进行曝光显影后形成光刻图案；步骤S2：轧制I nvar原材表面粗糙度；步骤S3：控制i nvar原材成品轧程变形量；步骤S4：将含有光刻图案的i nvar原材加入到蚀刻液进行蚀刻处理，对i nvar原材进行减薄处理；步骤S5：调节相应的蚀刻速率。本发明通过控制轧制I nvar原材表面粗糙度＜0.1um并配合进一步化学刻蚀工艺，可以有效减少原材表面缺陷，同时通过控制轧程总变形量和初轧道次变形量，可以有效改善表面光泽度。

公开(公告)号：CN118103772A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202380013993.3

申请日：2023-03-20

申请人： 美商福昌公司

发明人： 克里斯托弗·普罗格勒 ,  杨·莫格·汉姆

IPC分类号： G03F1/72 ,  G01N21/896 ,  G03F1/60 ,  G03F1/50 ,  G01N21/958 ,  G03F1/80 ,  G03F1/70 ,  C03C15/02 ,  H01J37/30 ,  B24B7/24

摘要： 一种制造光掩模的方法，包括以下步骤：提供光掩模基座(blank)；检查光掩模基座以确定光掩模基座中一个或更多个缺陷的存在，其中一个或更多个缺陷包括一个或更多个光掩模基板(substrate)缺陷；以及通过将光掩模基板的一个或更多个表面部分粗糙化来补偿一个或更多个光掩模基板缺陷。