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公开(公告)号：CN116502722B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310487408.5
申请日：2023-04-28
申请人： 南方科技大学
摘要： 本发明公开了一种量子存储方法、量子存储装置、电子设备及存储介质，其中，应用于量子存储装置，所述量子存储装置包括存储单元，量子存储方法包括：将待存储的信号光子输出至存储单元；根据控制时序，将光学脉冲信号和电学脉冲信号输出至存储单元，以使存储单元存储信号光子并发射回波信号；其中，电学脉冲信号的振幅由线性斯塔克系数和电脉冲持续时间确定，光学脉冲信号满足预设的空间相位匹配条件。根据本发明实施例的方案，能够利用光学激发态实现长时间量子存储；且有效地降低存储过程中的非相干噪声和相干噪声，提高量子存储的信噪比；并通过预设的空间相位匹配条件实现更高效的反向检索效率。
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公开(公告)号：CN117672307A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311660386.4
申请日：2023-12-06
申请人： 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC分类号： G11C13/04 , H04N25/78 , H04N25/767 , H01L27/146 , G11C8/08 , G11C7/12
摘要： 本发明公开了一种光感存算一体单元的控制方法及应用，属于微纳电子学技术领域，本发明感存算一体单元包括一个感光晶体管和一个读取晶体管，外界光强可照射至所述感光晶体管的沟道，并激发出电子空穴对，光激发产生的空穴在负栅压的作用下向栅介质漂移，并被界面陷阱捕获，可使感光晶体管的阈值电压负漂，将光学信息转变为电学信息，通过在栅电极施加正电压可擦除被陷阱捕获的空穴，在正栅压的驱动下，沟道中的电子将向栅介质漂移并与界面陷阱中的空穴复合，使感光晶体管的阈值电压恢复初值。采用本发明可以实现传感、存储以及计算功能，有效降低数据反复搬运造成的功耗，有望进一步提升边缘智能图像处理设备的能效。
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公开(公告)号：CN109742202B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201910142121.2
申请日：2019-02-26
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种单光子源器件、制备方法及量子存储器，单光子源器件包括：量子点发光层，量子点发光层包括阻挡层及位于阻挡层中的量子点层；压电陶瓷基底，通过压电陶瓷基底以调节量子点发光层的发光光谱中心波长；键合层，键合层位于量子点发光层与压电陶瓷基底之间，通过键合层连接量子点发光层及压电陶瓷基底。本发明通过压电陶瓷基底，使得单光子源器件具有较大的波长调节范围、波长可进行双向调节、可满足紧凑型的片上集成化趋势及测试装置简单的优点。
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公开(公告)号：CN109949843B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201910246108.1
申请日：2019-03-29
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开一种铁电畴调控的光读出模式存储器及制备方法。器件结构为：导电衬底上依次有二维半导体和铁电薄膜层。器件制备步骤是在导电衬底上制备二维半导体，然后制备铁电薄膜，随后利用压电力显微技术对二维半导体上的铁电薄膜写入周期性正‑反向畴结构，利用铁电电畴调控二维半导体WS2的光致发光强度。铁电畴极化向下区域的WS2发光强度明显强于极化向上的区域，利用荧光相机拍摄出的荧光相片呈现出与极化方向相对应的明暗区域，将这些明暗区域分别代表存储器的开态(“1”)和关态(“0”)，从而实现存储的目的。该类光电存储器具有结构简单，存储密度大，非易失性，保持特性良好，一次性可获得全部存储信息，摆脱传统读出电路限制的特点。
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公开(公告)号：CN116559841A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310826611.0
申请日：2023-07-07
申请人： 苏州识光芯科技术有限公司
IPC分类号： G01S7/483 , G01S7/4865 , G01S17/10 , G11C13/04
摘要： 本申请公开了光子计数方法、装置、芯片及设备，该方法包括：响应于在当次测量中接收到的光子信号，确定各时差区间对应检测到的光子数；将各时差区间对应的上述光子数分别累加至低比特位存储器的相应低比特存储单元中；若检测到存在数据溢出的目标低比特存储单元，则调整进位寄存器中相应进位寄存单元的数值为预设数值；将进位寄存器中各进位寄存单元的数值分别累加至高比特位存储器的相应高比特存储单元中，并将进位寄存器清零；在测量次数达到目标测量次数时，基于各时差区间在低比特位存储器中对应的数据和在高比特位存储器中对应的数据，输出光子计数分布数据。本申请在不影响数据读写速率的前提下，提高了光子计数数据的存储密度。
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公开(公告)号：CN116381932A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310183669.8
申请日：2023-03-01
申请人： 之江实验室
摘要： 本发明公开一种基于偏振调制等离激元超表面的三重光学信息复用方法，首先构建具有沿三个不同方向排列模块构成的结构单元用于形成超表面，对结构单元中模块的尺寸进行优化，使得模块结构能对沿某一方向的入射线偏振光产生光谱响应，光谱位置分别位于蓝色、绿色和红色波段，而对垂直方向偏振的入射线偏振光无结构色响应；基于优化后的超表面，沿三个方向构建三个信息通道；将三个不同颜色的二值图案的二值信息转化为结构单元中模块设计的选取，以实现三个通道各显示一副不同颜色的二值图案；通过改变入射到超表面上的线偏振光偏振角度，实现三个通道的读取，显示三个不同的图像。本发明提升了超表面的信息存储容量，且信息加载与读取方式简便。
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公开(公告)号：CN109313922B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201780032823.4
申请日：2017-03-30
申请人： 牛津大学创新有限公司
IPC分类号： G11C13/04
摘要： 本发明提供一种量子存储器设备及在其中存储和检索电磁辐射模式的方法。一种量子存储器设备，包括原子系综(4)和电磁辐射信号源(10)，所述电磁辐射信号源(10)用于产生待存储的模式并且具有对应于该原子系综中的第一状态与第二状态之间的非共振跃迁的频率。该量子存储器设备还包括电磁辐射控制源(12)，以用于产生其频率对应于该原子系综中的第二状态与第三状态之间的非共振原子跃迁的电磁辐射；该第三状态具有比该第二状态更高的能量，该第二状态具有比该第一状态更高的能量。该信号源和该控制源产生该第一状态与该第三状态之间的跃迁的相干激发，使得该原子系综存储信号源模式，并且该控制源随后刺激从该原子系综发射所存储的模式。
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公开(公告)号：CN115841834A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211598282.0
申请日：2022-12-12
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC分类号： G11C13/04
摘要： 一种基于像素取向的多层液晶光存储堆叠结构、及其信息写入与读取方法，可根据读取光、信息图案设计并制备像素化的液晶取向区域，并根据逆向设计的原理，将多层取向层堆叠形成透明的液晶光存储器，通过偏振片和显微镜配合读取信息图案。本发明利用光的偏振信息进行信息存储，对可见光、红外等波段的读取光在传输阶段光能损失小；堆叠层数远大于传统的光存储技术，在空间利用率上有数量级的提升；且便于封装，材料的耐高温、耐酸碱等性能高于普通光存储使用的光盘，利于长久使用。
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公开(公告)号：CN115798545A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211482674.0
申请日：2022-11-24
申请人： 福建师范大学
摘要： 本发明公开了一种高光敏性和优异偏振特性TAPMP光致聚合物全息存储材料，在PQ/PMMA光致聚合物基础上，添加了三乙醇胺、单体丙烯酰胺和亚甲基双丙烯酰胺；其中MBA在热聚合阶段与PMMA长链反应生成具有更稳定的三维立体网状结构，单体AA作为共聚单体在光反应阶段在助光引发剂TEA的协助作用下直接与光敏剂PQ进行反应生成光产物，提升了PQ/PMMA材料的感光灵敏度，降低光致聚合物皱缩及提升材料的偏振性能，实现光致聚合物材料作为高光敏性偏振全息存储的优良介质。本发明的全息存储材料制备工艺简单、厚度值可达毫米量级且精准可控、光致收缩可忽略不计，成为偏振全息及数据存储领域应用中所需的核心记录材料。
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公开(公告)号：CN113178220A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110435404.3
申请日：2021-04-22
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种超快电脉冲发生与探测装置及其使用方法，该超快电脉冲发生与探测装置包括：激光器和电脉冲发生器。该电脉冲发生器包括：光电材料层，包括一光控开关区，所述光控开关区用于响应所述激光器产生的激发光；绝缘层，形成于所述光电材料层上，其中，所述绝缘层与所述光控开关区对应的位置存在一开关结构，使所述光控开关区部分暴露或完全暴露；传输线，形成于所述绝缘层上。本发明的超快电脉冲发生与探测装置通过飞秒激发光对光电材料的激励，可以产生低至3.7ps的电脉冲，实现hGHz的信号产生。
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