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公开(公告)号:CN118549739A
公开(公告)日:2024-08-27
申请号:CN202410798450.3
申请日:2024-06-20
申请人: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC分类号: G01R31/00
摘要: 本发明公开一种基于双晶体管结构检测超快脉冲信号的方法,属于微纳电子学技术领域。本发明采用两个场效应晶体管存储和检测纳秒级别超快电信号,在写字线与写位线分别接入待检测信号和恒定高电平信号,若存在超快电脉冲信号则使得写晶体管导通,将写位线的高电平传递至存储节点;当超快电脉冲信号的下降沿到来后,写晶体管将关断,存储节点中的电压信息将保持一段时间;当存储节点电压大于零时,读晶体管将导通,反之,读晶体管将关断,在读位线始终施加恒定电平,通过读字线流过的电流不为零检测到超快电脉冲信号。本发明大大降低了检测任务对外围电路的精度要求,有效降低了硬件开销。
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公开(公告)号:CN114121088A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202111404135.0
申请日:2021-11-24
申请人: 北京大学 , 北京超弦存储器研究院
摘要: 本发明公布了一种基于阻变存储器的实现可调随机随机数序列方法,该方法利用阻变存储器操作周期间的电阻波动性实现随机数发生,则可获得随机数序列。利用本发明控制操作电流改变随机数的统计分布,通过逐渐增加操作电流,随机数分布方差减小,利用这一过程可以实现客体倾向性的转变。本发明对解决强化学习应用的边端部署问题具有重要意义。
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公开(公告)号:CN117612584A
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN202311633055.1
申请日:2023-12-01
申请人: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC分类号: G11C11/4094 , G11C11/408 , G11C11/4074
摘要: 本发明公开了一种动态随机存储阵列的控制方法,属于微电子学与集成电路技术领域。该方法利用共享位线的双晶体管无电容动态随机存储器单元,将被选中行的写字线置为高电平,读字线置为低电平,未被选中行的写字线和读字线置为低电平,对于写入数据“1”的单元,将其位线置为高电平;对于写入数据“0”的单元,将其位线置为低电平;读取时将被选中行的写字线和读字线置为低电平,其余行的写字线置为低电平,读字线置为高电平;将所有列的位线置为高电平,若位线上的读出电流大于参考电流,读取结果为“1”;若位线上的读出电流小于参考电流,读取结果为“0”。本发明通过位线分时复用方法降低存储器阵列互连的复杂度,进一步提升存储密度。
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公开(公告)号:CN118654767A
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202410911960.7
申请日:2024-07-09
申请人: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC分类号: G01J11/00
摘要: 本发明公开一种基于双晶体管结构的超快光信号检测方法,属于微纳电子学技术领域。本发明采用感光晶体管和读晶体管,感光晶体管的源端与读取晶体管的栅端相连形成存储节点,用于暂存信号电荷,待检测光脉冲信号到来后,感光晶体管接收光子能量后激发产生电子‑空穴对,导致感光晶体管的阈值电压降低,使得感光晶体管迅速进入导通状态,允许写位线的电荷通过感光晶体管向存储节点充电,实现对光脉冲信号的“写入”。本发明利用双晶体管结构的弛豫特性,即使信号输入时间短暂,也能在较长的时间窗口内从读取电路中检测到可靠的电流变化,大大降低了检测任务对外围电路的精度要求,有效降低了硬件开销。
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公开(公告)号:CN118609622A
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN202410798460.7
申请日:2024-06-20
申请人: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
摘要: 本发明公开一种基于双晶体管存储单元提取模拟信号最大值的方法,属于微纳电子学技术领域。本发明采用两个场效应晶体管构成双晶体管存储单元,系统上电后,先对存储节点放电至0电位,然后在写位线与读位线分别施加高电平,写字线施加待检测信号,利用双晶体管存储单元得到一段时间内待测信号的电压最大值,通过读取读字线的电流读出存储在节点上的信号最大值,实现模拟信号最大值的提取。本发明可在模拟域实现信号关键特征的提取,有效提升了系统的能效,同时大幅降低硬件开销。
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公开(公告)号:CN114121088B
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202111404135.0
申请日:2021-11-24
申请人: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
摘要: 本发明公布了一种基于阻变存储器的实现可调随机随机数序列方法,该方法利用阻变存储器操作周期间的电阻波动性实现随机数发生,则可获得随机数序列。利用本发明控制操作电流改变随机数的统计分布,通过逐渐增加操作电流,随机数分布方差减小,利用这一过程可以实现客体倾向性的转变。本发明对解决强化学习应用的边端部署问题具有重要意义。
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公开(公告)号:CN117672307A
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202311660386.4
申请日:2023-12-06
申请人: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC分类号: G11C13/04 , H04N25/78 , H04N25/767 , H01L27/146 , G11C8/08 , G11C7/12
摘要: 本发明公开了一种光感存算一体单元的控制方法及应用,属于微纳电子学技术领域,本发明感存算一体单元包括一个感光晶体管和一个读取晶体管,外界光强可照射至所述感光晶体管的沟道,并激发出电子空穴对,光激发产生的空穴在负栅压的作用下向栅介质漂移,并被界面陷阱捕获,可使感光晶体管的阈值电压负漂,将光学信息转变为电学信息,通过在栅电极施加正电压可擦除被陷阱捕获的空穴,在正栅压的驱动下,沟道中的电子将向栅介质漂移并与界面陷阱中的空穴复合,使感光晶体管的阈值电压恢复初值。采用本发明可以实现传感、存储以及计算功能,有效降低数据反复搬运造成的功耗,有望进一步提升边缘智能图像处理设备的能效。
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公开(公告)号:CN117042450A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202311154935.0
申请日:2023-09-08
申请人: 北京大学
IPC分类号: H10B12/00
摘要: 本发明提供了一种高密度动态随机存储器垂直单元及其制备方法,该存储器单元由共用同一信号线叠层的垂直沟道读晶体管与环栅写晶体管在垂直方向上堆叠构成,在信号线叠层的垂直方向进行刻蚀形成沟槽,信号线叠层中读字线层、读晶体管有源层与读位线层以及沟槽内部的栅介质层与存储节点层构成垂直沟道读晶体管,信号线叠层中的隔离层与写字线层、沟槽内部的栅介质层、写晶体管有源层与存储节点层以及位于信号线叠层与沟槽上方的写位线层构成环栅写晶体管,沟槽内部的存储节点层同时作为垂直沟道读晶体管的栅极与环栅写晶体管的源极,使垂直沟道读晶体管的栅极与环栅写晶体管的源极相连,形成动态随机存储器单元。与现有技术相比,本发明面积开销低。
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公开(公告)号:CN113964121A
公开(公告)日:2022-01-21
申请号:CN202111208889.9
申请日:2021-10-18
申请人: 北京大学
IPC分类号: H01L27/085 , G06N3/063
摘要: 本发明公布了一种适用于树突网络硬件的跨导可变场效应晶体管阵列及应用,属于半导体集成电路技术领域。本发明基于单个跨导可变场效应晶体管实现存储变量与两个输入变量的三元素乘法,并基于互补器件阵列实现了树突网络核心算法的映射。相比于利用神经元激活电路实现非线性变换的传统神经网络硬件,本发明利用器件的本征非线性实现非线性变换,有效降低了设计复杂性,优化了系统外围电路的面积和功耗,对高性能人工智能计算系统的设计具有重要意义。
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公开(公告)号:CN113867689A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202111142701.5
申请日:2021-09-28
申请人: 北京大学
摘要: 本发明公布了一种可调随机振荡器及其应用,该可调随机振荡器由可调电阻与叠层器件串联形成,叠层器件包括金属顶电极,阈值开关材料层,阻变材料层和金属底电极,通过改变可调电阻的阻值以及阻变材料的电阻实现随机性和采样帧间隔的调节。本发明可调随机振荡器适用于压缩感知采样系统,可调随机振荡器输出的周期性电压信号作为传输门和数模转换器的使能信号,当可调随机振荡器的输出电压超过传输门和模数转换器的使能电压后,模数转换器开始采集外界信号;当可调随机振荡器的输出电压低于传输门和模数转换器的使能电压后,采集停止,压缩感知采样系统完成采样帧。本发明实现了低成本、高效率的信息采集,对搭建万物互联的信息网络有着重要意义。
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