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公开(公告)号：CN118235232A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280073199.3
申请日：2022-06-29
申请人： 信越化学工业株式会社
发明人： 坂爪崇宽
IPC分类号： H01L21/365 , H01L21/368 , C23C16/455
摘要： 本发明为一种成膜装置，其具备：将原料溶液雾化从而产生雾的雾化部；供给运送所述雾化部中产生的所述雾的载气的载气供给部；及对通过所述载气运送的所述雾进行热处理，从而实施成膜的成膜部，所述成膜部具备载置所述基板的基板载置部；位于所述基板载置部上方且将所述雾供给至所述基板上的喷嘴；位于所述基板载置部上方且对自所述喷嘴供给的所述雾进行整流的顶板；及以夹住所述基板载置部的方式相向设置的侧壁，将所述基板载置部的基板载置面与所述顶板的底面的高度位置的差值设为I[cm]，并将所述基板载置部的基板载置区域与所述侧壁的最短距离设为J[cm]时，IJ≤15。由此，提供一种能够形成膜厚分布的面内均匀性优异且大面积的膜的成膜装置。
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公开(公告)号：CN118159694A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280071198.5
申请日：2022-10-28
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C30B29/16 , C30B19/12 , H01L21/20 , H01L21/368
摘要： 根据本发明可以提供一种β－Ga2O3/β－Ga2O3层叠体的制造方法，将作为溶质的Ga2O3与作为溶剂的PbO和Bi2O3混合并熔融，然后，使β－Ga2O3基板与得到的熔液直接接触，通过液相外延生长法使β－Ga2O3单晶在上述β－Ga2O3基板上生长，由此得到β－Ga2O3/β－Ga2O3层叠体。
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公开(公告)号：CN118103547A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280068535.5
申请日：2022-06-29
申请人： 信越化学工业株式会社
发明人： 坂爪崇宽
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/40 , H01L21/365 , H01L21/368
摘要： 本发明是一种成膜装置，具备：雾化部，其使原料溶液雾化而产生雾；载气供给部，其供给载气，所述载气运送由所述雾化部产生的所述雾；以及成膜部，其对由所述载气运送的所述雾进行热处理而进行成膜，其特征在于，所述成膜部具备：成膜室；基板载置部，其设置于所述成膜室的内部；喷嘴，其对所述成膜室的内部供给所述雾；以及排气部，其将废气从所述成膜室的内部排放至外部，所述成膜室的天花板的内表面与所述基板载置部的基板载置面的高度位置的差为0.15cm以上6.05cm以下。由此，提供一种能够通过雾化CVD法形成膜厚的面内均匀性优异的膜的成膜装置。
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公开(公告)号：CN116130363A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202210774999.X
申请日：2022-07-01
申请人： 云南师范大学
IPC分类号： H01L21/368 , H01L31/0296
摘要： 本发明公开了一种锌掺杂硫化镉薄膜的制备方法，且将其应用于铜锌锡硫Cu2ZnSnS4(CZTS)太阳能电池；本发明采用CBD法将缓冲层Cd0.6Zn0.4S沉积在CZTS吸收层薄膜上；制备了具有CZTS/Cd0.6Zn0.4S结构的太阳能电池；经对比分析CZTS/Cd0.6Zn0.4S器件的转换效率(Eff)和填充系数(FF)分别由2.31％和31.06提高到4.88％和47.45。通过实验数据，我们得到了CdS/CZTS和CZTS/Cd0.6Zn0.4S异质结的导带偏移量(CBO)，CZTS/CdS异质结和CZTS/Cd0.6Zn0.4S异质结的CBO分别为0.51eV和0.22eV。
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公开(公告)号：CN113874988A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201980096602.2
申请日：2019-05-22
申请人： 丰田汽车欧洲股份有限公司
发明人： 汉娜.约翰逊 , 萨钦.金杰 , 凯文.希瓦拉 , 丽贝卡.安妮.韦尔斯
IPC分类号： H01L21/368 , C23C20/00 , B05D1/20
摘要： 本发明涉及一种用于在柔性基材上涂覆半导体/半导体前体颗粒的装置，其中所述装置包括：容器(5)，其被配置为容纳彼此基本不混溶的第一溶剂和第二溶剂；注射设备(15)，其被配置为注射预定体积的颗粒形式的至少一种层状半导体材料或其前体的分散体，所述注射发生在所述容器(5)内形成的并且在第一溶剂和第二溶剂之间的液‑液界面处，并在所述液‑液界面处形成颗粒膜；第一支撑设备(25)；基材提取设备；基材供应设备；压缩设备(55)，其被配置为减小颗粒之间的距离并将所述膜推动到所述基材上，其中所述压缩设备(55)包括安装在驱动装置(75)上的多个推动设备(65)，所述多个推动设备(65)被配置为使得所述多个推动设备(65)中的至少两个在所述驱动装置(75)的旋转期间可以至少部分地浸没在第二溶剂中，并且通过第二溶剂朝向第一支撑设备(25)移动。本发明还涉及用于制备半导体薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN108780756B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201780017476.8
申请日：2017-03-14
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/316 , H01L21/368 , H01L29/786
摘要： 提供了一种用于制造场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管具有在所述第一氧化物层和第二氧化物层彼此相邻的区域中的前沟道或后沟道，所述方法包括：氧化物层形成步骤，用于形成是第二氧化物层的前体的第二前体层，以便与是第一氧化物层的前体的第一前体层相邻，然后将所述第一前体层和第二前体层分别转换为所述第一氧化物层和第二氧化物层，其中所述氧化物层形成步骤包括如下限定的处理(I)和(II)中的至少一个：(I)处理：用于涂覆能够形成第一氧化物前体并含有溶剂的涂布液；然后除去溶剂，由此形成第一前体层；和(II)处理：用于涂覆能够形成第二氧化物前体并含有溶剂的涂布液；除去溶剂，由此形成第二前体层。
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公开(公告)号：CN112771651A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201980060388.5
申请日：2019-09-09
申请人： 信越化学工业株式会社
发明人： 桥上洋
IPC分类号： H01L21/365 , H01L21/338 , H01L21/368 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/12 , H01L33/26 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/739
摘要： 本发明提供一种层叠体，其具有：晶体衬底；形成在该晶体衬底的主表面上且混合存在有以第一金属氧化物作为主成分的由刚玉型结构构成的结晶相的结晶区与非晶相的非晶区的中间层；及形成在该中间层上的以第二金属氧化物作为主成分的刚玉型结构的晶体层。由此能够提供一种具有充分抑制了晶体缺陷的高品质刚玉型结构的晶体的层叠体。
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公开(公告)号：CN112424946A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980046475.5
申请日：2019-07-11
申请人： 株式会社FLOSFIA
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/812 , H01L29/872
摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其特征在于，至少具有反型沟道区域，所述反型沟道区域具有包含结晶的氧化物半导体膜，所述结晶至少含有氧化镓。
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公开(公告)号：CN112368429A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201980043090.3
申请日：2019-06-21
申请人： 株式会社FLOSFIA
IPC分类号： C30B29/16 , C23C16/02 , C23C16/455 , C30B25/16 , C30B25/18 , H01L21/365 , H01L21/368
摘要： 本发明提供一种即使在刚玉结构中也能够在工业上有利地形成减少了由于小面生长引起的位移等的缺陷的外延膜的成膜方法。在具有刚玉结构的晶体基板的晶体生长面上，直接或经由其他层形成外延膜时，使用在晶体生长面上形成有至少包括凹部或凸部的凹凸部的晶体基板，通过将含有金属的原料溶液雾化，使液滴飘浮，将得到的雾化液滴用载气运送到所述晶体基板附近，接着，在设为供给限速的条件下，使所述雾化液滴产生热反应来形成外延膜。
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