公开(公告)号：EP2846353B1

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：EP14183431.7

申请日：2014-09-03

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Yang, Moon-seung ,  Uddin, Mohammad Rakib ,  Le, Myoung-jae ,  Lee, Sang-moon ,  Lee, Sung-hun ,  Cho, Seong-ho

IPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092

公开(公告)号：EP2846353A2

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：EP14183431.7

申请日：2014-09-03

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd

发明人： Yang, Moon-seung ,  Uddin, Mohammad Rakib ,  Le, Myoung-jae ,  Lee, Sang-moon ,  Lee, Sung-hun ,  Cho, Seong-ho

IPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092

摘要： Provided are a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device and a method of manufacturing the same. In the CMOS device, a buffer layer is disposed on a silicon substrate, and a first layer including a group III-V material is disposed on the buffer layer. A second layer including a group IV material is disposed on the buffer layer or the silicon substrate while being spaced apart from the first layer.

摘要翻译： 提供了一种互补金属氧化物半导体（CMOS）器件及其制造方法。 在CMOS器件中，缓冲层设置在硅衬底上，并且包括III-V族材料的第一层设置在缓冲层上。 包括IV族材料的第二层设置在缓冲层或硅衬底上，同时与第一层间隔开。

公开(公告)号：EP2184599A3

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：EP09175124.8

申请日：2009-11-05

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Cho, Seong-ho ,  Lee, Dong-ho

IPC分类号： G01N21/64 ,  G01N35/00

CPC分类号： G01N21/6452 ,  G01N21/6454 ,  G01N2021/6439 ,  G01N2021/6478 ,  G01N2035/00158

摘要： A substrate for detecting samples includes; a body, and a plurality of micro lenses arranged on the body and configured for attachment to at least one sample, wherein the at least one sample emits fluorescent light, and wherein the plurality of micro lenses condense the fluorescent light emitted from the at least one sample via refraction.

公开(公告)号：EP2843706A3

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：EP14178402.5

申请日：2014-07-24

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd

发明人： Lee, Dong-soo ,  Lee, Myoung-jae ,  Cho, Seong-ho ,  Uddin, Mohammad Rakib ,  Seo, David ,  Yang, Moon-seung ,  Lee, Sang-moon ,  Lee, Sung-hun ,  Hur, Ji-hyun ,  Hwang, Eui-chul

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L29/34 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/322 ,  H01L21/3228 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/24 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7851

摘要： The present disclosure relates to a semiconductor device including an oxygen gettering layer between a group III-V compound semiconductor layer and a dielectric layer, and a method of fabricating the semiconductor device. The semiconductor device may include a compound semiconductor layer; a dielectric layer disposed on the compound semiconductor layer; and an oxygen gettering layer interposed between the compound semiconductor layer and the dielectric layer. The oxygen gettering layer includes a material having a higher oxygen affinity than a material of the compound semiconductor layer.

摘要翻译： 本公开涉及在III-V族化合物半导体层和介电层之间包括氧吸收层的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。 该半导体器件可以包括化合物半导体层; 设置在所述化合物半导体层上的介电层; 以及置于化合物半导体层和介电层之间的氧吸收层。 氧吸除层包括具有比化合物半导体层的材料更高的氧亲和力的材料。

公开(公告)号：EP2843706A2

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：EP14178402.5

申请日：2014-07-24

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd

发明人： Lee, Dong-soo ,  Lee, Myoung-jae ,  Cho, Seong-ho ,  Uddin, Mohammad Rakib ,  Seo, David ,  Yang, Moon-seung ,  Lee, Sang-moon ,  Lee, Sung-hun ,  Hur, Ji-hyun ,  Hwang, Eui-chul

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L29/34 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/322 ,  H01L21/3228 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/24 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7851

摘要： The present disclosure relates to a semiconductor device including an oxygen gettering layer between a group III-V compound semiconductor layer and a dielectric layer, and a method of fabricating the semiconductor device. The semiconductor device may include a compound semiconductor layer; a dielectric layer disposed on the compound semiconductor layer; and an oxygen gettering layer interposed between the compound semiconductor layer and the dielectric layer. The oxygen gettering layer includes a material having a higher oxygen affinity than a material of the compound semiconductor layer.

摘要翻译： 本发明涉及包括III-V族化合物半导体层和电介质层之间的吸氧层的半导体器件，以及制造半导体器件的方法。 半导体器件可以包括化合物半导体层; 设置在化合物半导体层上的电介质层; 以及介于化合物半导体层和电介质层之间的吸氧层。 吸氧层包括具有比化合物半导体层的材料更高的氧亲合力的材料。

公开(公告)号：EP2833410A3

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：EP14178404.1

申请日：2014-07-24

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd

发明人： Lee, Myoung-jae ,  Cho, Seong-ho ,  Kim, Ho-jung ,  Park, Young-soo ,  Seo, David ,  Yoo, In-kyeong

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/51 ,  G06N3/02

CPC分类号： H01L29/788 ,  G06N3/049 ,  G06N3/063 ,  G11C11/54 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C14/0063 ,  G11C16/0433 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/53 ,  H01L27/11521 ,  H01L28/00 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/51 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/685 ,  H01L29/78 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/147

摘要： Provided are nonvolatile memory transistors and devices including the nonvolatile memory transistors. A nonvolatile memory transistor includes a channel element, a gate electrode corresponding to the channel element, a gate insulation layer between the channel element and the gate electrode, an ionic species moving layer between the gate insulation layer and the gate electrode, and a source and a drain separated from each other with respect to the channel element. A motion of an ionic species at the ionic species moving layer occurs according to a voltage applied to the gate electrode. A threshold voltage changes according to the motion of the ionic species. The nonvolatile memory transistor has a multi-level characteristic.

公开(公告)号：EP2765603A2

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：EP14154000.5

申请日：2014-02-05

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd

发明人： Cho, Seong-ho

IPC分类号： H01L27/00

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L24/18 ,  H01L27/14618 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

摘要： A three-dimensional monolithic electronic-photonic integrated circuit and a method of manufacturing the same. The electronic-photonic integrated circuit (200) may include a photonic element (260) formed in a sealed space of a substrate and an electronic element (270) formed on the substrate. The substrate may include a first substrate (210) and a second substrate (252) that are bonded to each other. The first substrate (210) having a first trench (212) corresponding to the sealed space formed therein, a first surface of the second substrate (252) having the photonic element formed thereon, and the sealed space defined by a space formed inside the first trench that is sealed by the first surface of the second substrate.

摘要翻译： 一种三维单片电子光子集成电路及其制造方法。 电子 - 光子集成电路（200）可以包括形成在基板的密封空间中的光子元件（260）和形成在基板上的电子元件（270）。 衬底可以包括彼此结合的第一衬底（210）和第二衬底（252）。 第一衬底（210）具有对应于形成在其中的密封空间的第一沟槽（212），第二衬底（252）的形成在其上的光子元件的第一表面，以及形成在第一衬底 沟槽，其被第二基板的第一表面密封。

公开(公告)号：EP2584397A1

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：EP12180456.1

申请日：2012-08-14

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Cho, Seong-ho ,  Chung, Hyun-jong

IPC分类号： G02F1/025

CPC分类号： G02F1/025 ,  G02F2001/0156 ,  G02F2202/02

摘要： An optical electro-absorption modulator (100) includes a first graphene layer (141), a second graphene layer (142), a ridge optical waveguide (124, 150) formed on the upper surface of a semiconductor layer 120, a first electrode (161) on the first graphene layer (141) and a second electrode (162) on the second graphene layer (142). The first graphene layer (141) and the second graphene layer (142) are formed on the upper surface and the side surfaces of the ridge optical waveguide (124, 150) and are mutually separated.

摘要翻译： 光电吸收调制器（100）包括第一石墨烯层（141），第二石墨烯层（142），形成在半导体层120的上表面上的脊状光波导（124,150），第一电极 161）和第二石墨烯层（142）上的第二电极（162）。 第一石墨烯层（141）和第二石墨烯层（142）形成在脊状光波导（124,150）的上表面和侧表面上并相互分离。

公开(公告)号：EP2124389B1

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：EP09160612.9

申请日：2009-05-19

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Cho, Seong-ho ,  Han, Se-hee ,  Maeng, Je-young

IPC分类号： H04L12/28 ,  H04L29/08

CPC分类号： H04L41/28 ,  G06F9/452 ,  H04L12/2809 ,  H04L12/2818 ,  H04L29/125 ,  H04L29/12509 ,  H04L61/2564 ,  H04L61/2567 ,  H04L61/2578 ,  H04L65/1006 ,  H04L67/02 ,  H04L67/025 ,  H04L67/30 ,  H04W76/10 ,  H04W76/12

摘要： A remote access service is provided by receiving remote access transport agent (RATA) capability information of a home remote access server (RAS) and a remote RAS from the home RAS and the remote RAS, respectively, generating a RATA profile based on the RATA capability information, supported by the home RAS and the remote RAS, and transmitting the generated RATA profile to the home RAS and the remote RAS, respectively.

公开(公告)号：EP2733513A1

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：EP13193465.5

申请日：2013-11-19

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd

发明人： Cho, Seong-ho

IPC分类号： G02B6/42 ,  G02B6/12

CPC分类号： G02B6/12004 ,  G02B6/12002 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/43

摘要： A multichip package (100) that includes a first optoelectronic chip (101) including, a first substrate (110) having a first surface; a first optical device (122) disposed on the first surface; a first waveguide (126) transmitting light from the first optical device in a direction parallel to the first surface; and a first mirror (130) reflecting light from the first waveguide in an upward direction; and a second optoelectronic chip (102) stacked on the first optoelectronic chip including, a second substrate (150) having a second surface facing the first surface; a second mirror (170) disposed on the second surface, the second mirror facing the first mirror to optically interconnect to the first optoelectronic chip, the second mirror reflecting light received from the first mirror in a direction parallel to the second surface, a second waveguide transmitting light received by the second mirror, and a second optical device to which light from the second waveguide is incident.

摘要翻译： 一种包括第一光电子芯片（101）的多芯片封装（100），包括具有第一表面的第一衬底（110） 设置在所述第一表面上的第一光学装置（122） 第一波导（126），其沿与第一表面平行的方向从第一光学器件透射光; 和向上方反射来自第一波导的光的第一反射镜（130） 和堆叠在第一光电子芯片上的第二光电芯片（102），包括：第二衬底（150），其具有面向第一表面的第二表面; 设置在第二表面上的第二反射镜（170），第二反射镜面向第一反射镜以与第一光电芯片光学互连，第二反射镜在平行于第二表面的方向上反射从第一反射镜接收的光，第二波导 透射由第二反射镜接收的光;以及第二光学装置，来自第二波导的光入射到该第二光学装置。