摘要:
Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der Herstellung, Identifizierung und Selektion von biologischen Bindemolekülen wie Antikörpern oder Fragmenten derselben, sowie deren Verwendung im Rahmen der Therapie und Prophylaxe von Krebserkrankungen wie insbesondere malignen B-Zell Neoplasien. Die Bindemoleküle sind in der Lage, selektiv an autonom aktive oder autonom aktivierte B-Zell Rezeptoren zu binden, wobei die autonom aktiven oder autonom aktivierten B-Zell Rezeptoren durch das Vorhandensein von strukturellen Domänen charakterisiert sind, an die das Bindemolekül selektiv bindet und die für den autonom aktiven oder autonom aktivierten Zustand der B-Zell Rezeptoren ursächlich sind.
摘要:
Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der Herstellung, Identifizierung und Selektion von biologischen Bindemolekülen wie Antikörpern oder Fragmenten derselben, sowie diagnostische Verfahren unter Verwendung derselben im Rahmen der Diagnose von Krebserkrankungen wie insbesondere malignen B-Zell Neoplasien. Die Bindemoleküle sind in der Lage, selektiv an autonom aktive oder autonom aktivierte B-Zell Rezeptoren zu binden, wobei die autonom aktiven oder autonom aktivierten B-Zell Rezeptoren durch das Vorhandensein von strukturellen Domänen charakterisiert sind, an die das Bindemolekül selektiv bindet und die für den autonom aktiven oder autonom aktivierten Zustand der B-Zell Rezeptoren ursächlich sind.
摘要:
The invention relates to the wet-chemical or electrolytic treatment of flat material, for example a wafer, which according to the prior art is treated by means of technically complex frames or grippers in treatment chambers. Particularly in the case of fracture-sensitive material such as silicon solar cells, the handling is very time-consuming, especially when the underside of the material must not be wetted. According to the invention, the material (1) is placed without frames, grippers or holders above a vertically arranged treatment chamber (3) so that only the underside is wetted by the treatment liquid. As a result of a rotationally symmetric flow (4) on the underside (7) of the material placed on the surface of a treatment liquid, the adhesion forces acting horizontally on the material (1) cancel one another out. A lateral shift of the material does not occur. The limiters or lateral end stops which are usually used can therefore be dispensed with.
摘要:
Die Erfindung betrifft allgemein das Gebiet der Wasseraufbereitung. Insbesondere betrifft die Erfindung ein System und ein Verfahren zur Leitung von Flüssigkeiten wie insbesondere von Wasser, mit dem unerwünschte Bestandteile in einer zumindest vorübergehend ruhenden oder strömungsfrei gestellten Flüssigkeit wirksam reduziert oder eliminiert werden können. Das erfindungsgemäße System zur Leitung von Flüssigkeiten umfasst in Strömungsrichtung (S) einen ersten Abschnitt (1) mit einer Einspeisestelle (11), einen zweiten Abschnitt (2) in Form einer Einrichtung zur mechanischen Abscheidung (21) von unerwünschten Bestandteilen, und einen dritten Abschnitt (3) mit mindestens einer Entnahmestelle (31), wobei der dritte Abschnitt (3) eine Verbindung (32) zu einem vierten Abschnitt (4) aufweist, über den das Flüssigkeitsvolumen des dritten Abschnittes zumindest teilweise der Einrichtung zur mechanischen Abscheidung (21) zuführbar ist. Das erfindungsgemäße Verfahren betrifft die Reduzierung der Belastung das im dritten Abschnitt (3) vorübergehend stillstehenden Flüssigkeitsvolumens unter bevorzugter Verwendung des erfindungsgemäßen Systems.
摘要:
The present invention relates to a method for the exclusively one-sided wet chemical removal of passivating and/or dielectric oxide layers present on flat substrates, such as in particular silicon wafers, by means of one-sided etching of the underside of a substrate transported horizontally through a tank filled with an etching liquid. When said method is used, there is no need for any protection in the form of a coating or mechanical aid for the face of the substrate that is not to be treated. According to the invention, the etching liquid contains water, hydrofluoric acid and at least one further component selected from the group consisting of sulphuric and phosphoric acid and the alkali, ammonium and organoammonium acid salts and salts thereof, hexafluorosilicic acid, and silicon tetrafluoride.