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    PHOTOMULTIPLIER TUBE, IMAGE SENSOR, AND AN INSPECTION SYSTEM USING A PMT OR IMAGE SENSOR
    12.
    发明公开
    PHOTOMULTIPLIER TUBE, IMAGE SENSOR, AND AN INSPECTION SYSTEM USING A PMT OR IMAGE SENSOR 有权
    带有PMT或PICTOR传感器的照片视频管，图像传感器和检查系统

    公开(公告)号：EP2973713A4

    公开(公告)日：2016-10-05

    申请号：EP14779717

    申请日：2014-04-01

    申请人： KLA TENCOR CORP

    发明人： CHUANG YUNG-HO ALEX ,  BROWN DAVID L ,  FIELDEN JOHN

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01J40/06 ,  H01J43/08 ,  H01L31/103

    CPC分类号： H01J40/06 ,  H01J43/08 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/103

    摘要： A photomultiplier tube includes a semiconductor photocathode and a photodiode. Notably, the photodiode includes a p-doped semiconductor layer, an n-doped semiconductor layer formed on a first surface of the p-doped semiconductor layer to form a diode, and a pure boron layer formed on a second surface of the p-doped semiconductor layer. A gap between the semiconductor photocathode and the photodiode may be less than about 1 mm or less than about 500 μm. The semiconductor photocathode may include gallium nitride, e.g. one or more p-doped gallium nitride layers. In other embodiments, the semiconductor photocathode may include silicon. This semiconductor photocathode can further include a pure boron coating on at least one surface.

    摘要翻译： 光电倍增管包括半导体光电阴极和光电二极管。 值得注意的是，光电二极管包括p掺杂半导体层，形成在p掺杂半导体层的第一表面上以形成二极管的n掺杂半导体层，以及在p掺杂的第二表面上形成的纯硼层 半导体层。 半导体光电阴极和光电二极管之间的间隙可以小于约1mm或小于约500μm。 半导体光电阴极可以包括例如氮化镓。 一个或多个p掺杂氮化镓层。 在其它实施例中，半导体光电阴极可以包括硅。 该半导体光电阴极还可以在至少一个表面上包括纯硼涂层。