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公开(公告)号:EP4195207B1
公开(公告)日:2024-08-28
申请号:EP22211794.7
申请日:2022-12-06
CPC分类号: G11C11/221 , G11C13/0007 , G11C11/2275 , G11C11/2273 , G11C2013/004520130101 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/7920130101 , G11C2213/8220130101 , G11C2013/005420130101 , G11C13/0061 , G11C11/2293 , G11C13/0026 , G11C11/005 , H10N70/24 , H10N70/8833 , H10N70/826
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公开(公告)号:EP3936878B1
公开(公告)日:2024-08-28
申请号:EP21184387.5
申请日:2021-07-07
IPC分类号: G01R31/392 , G01R31/367
CPC分类号: G01R31/392 , G01R31/389 , G01R31/367 , Y02E60/10
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公开(公告)号:EP4175014B1
公开(公告)日:2024-08-21
申请号:EP22202940.7
申请日:2022-10-21
IPC分类号: H01M10/48 , H01M50/536 , H01M50/569 , H01M4/66 , H01M50/414 , H01M50/417 , H01M50/423 , H01M50/103 , H01M50/105 , H01M10/0525 , H01M10/054
CPC分类号: H01M50/569 , H01M10/48 , H01M50/103 , H01M50/105 , H01M10/0525 , H01M10/054 , H01M50/417 , H01M50/423 , H01M50/414 , H01M4/661
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公开(公告)号:EP4412438A1
公开(公告)日:2024-08-07
申请号:EP23305137.4
申请日:2023-02-02
CPC分类号: H10N60/0912 , H10N60/128
摘要: Method for producing a superconducting transistor (100), comprising:
- producing a dummy gate on a first part (124) of a semiconducting layer;
- producing superconducting electrodes such that the first part of the semiconducting layer comprises sides edges arranged against parts of the superconducting electrodes, and comprising a deposition of a superconducting material layer having first parts arranged against side edges of the dummy gate and second parts (140) forming parts of the superconducting electrodes;
- producing lateral spacers (144) next to the first parts of the superconducting material layer and on the second parts of the superconducting material layer;
- removing the dummy gate and the first parts of the superconducting material layer, creating a gate location arranged between the lateral spacers and above the first part of the semiconducting layer and above said parts of the superconducting electrodes;
- producing a gate (154, 156) in the gate location.-
25.
公开(公告)号:EP4411395A1
公开(公告)日:2024-08-07
申请号:EP24155132.4
申请日:2024-01-31
发明人: COHEN, Josy , REVAULT, Louise
CPC分类号: G01R31/11 , G01R31/081 , H02H7/001 , H01F6/02
摘要: Méthode de détection d'une transition fortuite dans une ligne conductrice, comprenant les étapes de :
Réaliser (201) une première mesure de réflectométrie de référence sur la ligne conductrice pour en déduire un réflectogramme temporel de référence,
Identifier (203) au moins une caractéristique du réflectogramme temporel de référence
Réaliser (204) une seconde mesure de réflectométrie sur la ligne conductrice pour obtenir un second réflectogramme temporel,
Identifier (205) la même au moins une caractéristique dans le second réflectogramme temporel et,
Pour chaque pic d'amplitude identifié, déterminer (206) une différence entre l'au moins une caractéristique mesurée sur le réflectogramme temporel de référence et la même caractéristique mesurée sur le second réflectogramme temporel,
Evaluer (206), sur plusieurs mesures successives si ladite différence augmente en valeur absolue et si c'est le cas, déclencher (207) une alerte correspondant à l'apparition d'une transition fortuite.-
26.
公开(公告)号:EP4369387A3
公开(公告)日:2024-08-07
申请号:EP23208356.8
申请日:2023-11-07
发明人: BARRAUD, Sylvain , REBOH, Shay
IPC分类号: H01L21/822 , H01L29/06 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/06 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L29/775 , H01L29/786 , H01L27/12 , B82Y10/00
CPC分类号: H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L29/0673 , H01L29/775 , H01L29/78696 , H01L29/66439 , H01L29/42392 , H01L27/1203 , B82Y10/00
摘要: Empilement (100) de couches de matériaux monocristallins adapté à la réalisation de dispositifs microélectroniques à architecture 3D comprenant des transistors, incluant plusieurs premières couches (104) de matériau monocristallin, plusieurs deuxièmes couches (106) de matériau monocristallin différent de celui des premières couches, et au moins une troisième couche (108) de matériau monocristallin différent de ceux des premières et deuxièmes couches, dans lequel :
- un premier des matériaux monocristallins des premières, deuxièmes et troisième couches correspond à du silicium intrinsèque ;
- un deuxième des matériaux monocristallins des premières, deuxièmes et troisième couches correspond à du SiGe intrinsèque ;
- un troisième des matériaux monocristallins des premières, deuxièmes et troisième couches correspond à du silicium dopé p ou du SiGe dopé p.-
27.
公开(公告)号:EP4206162B1
公开(公告)日:2024-08-07
申请号:EP22215699.4
申请日:2022-12-21
IPC分类号: C04B35/51 , C01F15/00 , C04B35/624 , C04B35/626
CPC分类号: C04B35/51 , C04B35/624 , C04B35/62655 , C04B2235/44320130101 , C01F15/00
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公开(公告)号:EP2909146B1
公开(公告)日:2024-08-07
申请号:EP13776840.4
申请日:2013-09-12
IPC分类号: C01G33/00 , H01M4/485 , H01M10/052 , B82Y30/00
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公开(公告)号:EP4405897A1
公开(公告)日:2024-07-31
申请号:EP22786797.5
申请日:2022-09-20
发明人: JALOUSTRE, Lucas
IPC分类号: G06T7/60
CPC分类号: G06T7/60 , G06T2207/1006120130101 , G06T2207/3014820130101
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