公开(公告)号：EP1717341B1

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：EP05709393.2

申请日：2005-01-27

申请人： Kaneka Corporation

发明人： MEGURO, Tomomi ,  FUKUDA, Susumu ,  YAMAMOTO, Kenji

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L31/18 ,  C23C16/18

CPC分类号： C23C16/407 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/548

公开(公告)号：EP2708542B1

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：EP12306118.6

申请日：2012-09-17

申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE

发明人： Lachaud, Christophe ,  Lahootun, Vanina ,  Zauner, Andreas

IPC分类号： C07F3/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/18

CPC分类号： C23C16/409 ,  C07F3/003 ,  C23C16/18

公开(公告)号：EP2810947A1

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：EP14165141.4

申请日：2010-08-13

申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  American Air Liquide Inc

发明人： Dussarrat, Christian ,  Omarjee, Vincent ,  Pallem, Venkateswara

IPC分类号： C07F7/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30

CPC分类号： C07F17/00 ,  C23C16/18

摘要： Disclosed are hafnium- and zirconium-containing precursors and methods of providing the same. The disclosed precursors include a ligand and at least one aliphatic group as substituent selected to have greater degrees of freedom than the usual substituents. The disclosed precursors may be used to deposit hafnium- or zirconium-containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.

摘要翻译： 公开了含铪和锆的前体及其提供方法。 所公开的前体包括配体和至少一个选自具有比通常取代基更大的自由度的取代基的脂族基团。 所公开的前体可用于使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积方法沉积含铪层或含锆层。

公开(公告)号：EP2142682B1

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：EP08870410.1

申请日：2008-04-09

申请人： President and Fellows of Harvard College

发明人： GORDON, Roy Gerald ,  BHANDARI, Harish ,  KIM, Hoon

IPC分类号： C23C16/18 ,  C07C211/65 ,  H01L23/532 ,  C23C16/34 ,  H01L21/768 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  C23C16/04

CPC分类号： C23C16/34 ,  C07C211/65 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP2556181A4

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：EP11766624

申请日：2011-04-06

申请人： L AIR LIQUIDE SOCIÉTÉ ANONYME POUR L ETUDE ET L EXPL DES PROCÉDÉS GEORGES CLAUDE

发明人： PALLEM VENKATESWARA R ,  DUSSARRAT CHRISTIAN

IPC分类号： C23C16/30 ,  C07F7/28 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/22 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C07F7/006 ,  C07F7/28 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28229

公开(公告)号：EP2399923B1

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：EP11171137.0

申请日：2011-06-23

申请人： Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K.

发明人： Saito, Masayuki ,  Suzuki, Kazuharu ,  Nabeya, Shunichi

IPC分类号： C07F15/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

CPC分类号： C07F15/0053 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45553

公开(公告)号：EP2636674A1

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：EP11838078.1

申请日：2011-11-02

申请人： Ube Industries, Ltd.

发明人： FUJIMURA, Osamu ,  KANATO, Hiroki ,  SHIRAI, Masashi ,  NIHEI, Hiroshi

IPC分类号： C07F3/02 ,  C07F1/02 ,  C07F1/04 ,  C07F3/06 ,  C07F5/00 ,  C07F13/00 ,  C07F15/02 ,  C07F15/04 ,  C07F15/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L51/0083 ,  C07C211/65 ,  C07F3/02 ,  C07F3/06 ,  C07F5/003 ,  C07F13/005 ,  C07F15/025 ,  C07F15/045 ,  C07F15/065 ,  C23C16/18 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/0089 ,  H01L51/0092

摘要： The present invention relates to an (amide amino alkane) metal compound represented by the formula (1):

wherein
M represents a metal atom;
R 1 represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;
R 2 and R 3 may be the same as, or different from each other, and each independently represents a linear or branched alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or R 2 and R 3 may form a substituted or unsubstituted 5- or 6-membered ring together with the nitrogen atom to which they are bound;
Z represents a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms (a part of which may optionally form a ring); and
n represents a number of the ligands, which is equal to the valence of the metal (M), and represents an integer of from 1 to 3; with the proviso that
the metal compounds in which M is Li (Lithium), Be (Beryllium), Ge (Germanium) or Nd (Neodymium) are excluded;
the metal compounds in which M is Mg (Magnesium) and R 1 is methyl group are excluded;
the metal compounds in which M is Zn (Zinc) and R 1 is methyl group are excluded;
the metal compounds in which M is Bi (Bismuth) and R 1 is t-butyl group are excluded; and
in cases where n is two or greater, two or more ligands may be the same as, or different from each other; and a method of producing a metal-containing thin film using the metal compound.

摘要翻译： 本发明涉及由下式表示（烷烃酰胺氨基）与金属化合物（1）：M worin darstellt金属原子; R 1表示具有1至6个碳原子的直链，支链或环状烷基; R 2和R 3可以是相同的，或从海誓山盟不同，并且各自unabhängigdarstellt的直链或具有1至3个碳原子，或R 2和R 3可以形成一个5元或6 substituiertem奥德unsubstituiertem支链烷基 - 元与氮原子一起环它们所约束; Z代表具有1至10个碳原子（它的一部分可以任选形成环）的直链或支链亚烷基; 和n darstellt一些配体，所有这一切是等于金属（M）的化合价，并且在从1至3的整数darstellt; 其条件所做的金属化合物，其中M是Li（锂），BE（铍），Ge（锗），或Nd（钕）被排除在外; 其中，M为Mg（镁）和R 1中的金属化合物是甲基被排除; 其中，M的金属化合物是Zn（锌）和R 1是甲基基团排除在外; 其中M为Bi（铋）和R 1中的金属化合物是叔丁基被排除; 和在其中n是2或更大时，两个或更多个配体可以是相同的，或从不同的海誓山盟例; 和使用了该金属化合物的含有金属的薄膜的方法。

公开(公告)号：EP2611947A1

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：EP11770712.5

申请日：2011-09-01

申请人： TEL Solar AG

发明人： KLUTH, Oliver ,  CAGLAR, Onur ,  PAOLO, Losio ,  GOLDBACH-ASCHEMANN, Stephanie

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/54 ,  C23C16/455 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236

CPC分类号： H01L31/1884 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/54 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02366 ,  Y02E10/50

摘要： The invention relates to a method of coating a substrate for manufacturing a solar cell in a deposition environment, the method comprising the steps of: a) Depositing a first zinc oxide layer onto a substrate. Reducing a zinc precursor content in the deposition environment, c) Treating the first zinc oxide layer with a mixture of diborane and water to form a plurality of coating seeds on the surface of the first zinc oxide layer, and d) Depositing a second zinc oxide layer onto the first zinc oxide layer. The method according to the invention allows improving the material quality of silicon layers which may later be grown on such a substrate. Additionally, the light scattering and subsequent light trapping in a respective solar cell may be enhanced by a method according to the invention. The present invention further relates to a solar cell being manufactured according to the invention.

公开(公告)号：EP2520690A1

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：EP10840837.8

申请日：2010-11-29

申请人： Tosoh Corporation

发明人： MANIWA, Atsushi ,  OSHIMA, Noriaki ,  KAWANO, Kazuhisa ,  FURUKAWA, Taishi ,  CHIBA, Hirokazu ,  YAMAMOTO, Toshiki

IPC分类号： C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C07F15/00

CPC分类号： C07F17/02 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/32051 ,  H01L29/4966

摘要： For forming a thin ruthenium film of good quality by CVD method, it is necessary to form the thin film at low temperature. There hence is a desire for a ruthenium compound having a high reactivity to heat. This invention relates to a method of producing a ruthenium-containing film by CVD or the like using, as a raw material, a ruthenium complex mixture containing (2,4-dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium and bis(2,4-dimethylpentadienyl)ruthenium, the amount of the latter compound being 0.1 to 100% by weight based on the weight of (2,4-dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium, and the like.

摘要翻译： 为了通过CVD法形成质量好的薄钌膜，需要在低温下形成薄膜。 因此，需要具有高热反应性的钌化合物。 本发明涉及以含有（2,4-二甲基戊二烯基）（乙基环戊二烯基）钌和双（2,4-二甲基戊二烯基）钌）的钌络合物混合物作为原料的CVD等制造含钌膜的方法， 钌，相对于（2,4-二甲基戊二烯基）（乙基环戊二烯基）钌的重量，后者化合物的量为0.1〜100重量％。

公开(公告)号：EP2499274A2

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：EP10829175.8

申请日：2010-11-05

申请人： L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

发明人： DUSSARRAT, Christian ,  OMARJEE, Vincent M. ,  PALLEM, Venkateswara

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02181 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0228

摘要： Disclosed are hafnium- or zirconium-containing compounds. The compounds may be used to deposit hafnium- or zirconium-containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition. The hafnium- or zirconium-containing compounds include a ligand and at least one aliphatic group as substituents selected to have greater degrees of freedom than the substituents disclosed in the prior art.