公开(公告)号：EP1933388A1

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：EP06810890.1

申请日：2006-09-29

申请人： Sharp Kabushiki Kaisha

发明人： KISHIMOTO, Katsushi

IPC分类号： H01L31/04 ,  C23C16/24 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/24 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A present method of manufacturing a silicon-based thin-film photoelectric conversion device is characterized in that a double pin structure stack body (30) is formed by successively forming, in an identical plasma CVD film deposition chamber, a first p-type semiconductor layer (11), an i-type amorphous silicon-based photoelectric conversion layer (12), a first n-type semiconductor layer (13), a second p-type semiconductor layer (21), an i-type microcrystalline silicon-based photoelectric conversion layer (22), and a second n-type semiconductor layer (23) on a transparent conductive film (2) formed on a substrate (1), and the first p-type semiconductor layer (11), the i-type amorphous silicon-based photoelectric conversion layer (12) and the first n-type semiconductor layer (13) are formed under such conditions that a film deposition pressure in the plasma CVD film deposition chamber is not lower than 200Pa and not higher than 3000Pa and power density per unit electrode area is not lower than 0.01W/cm 2 and not higher than 0.3 W/cm 2 . Thus, the silicon-based thin-film photoelectric conversion device attaining excellent quality and high photoelectric conversion efficiency can be manufactured at-low cost and high efficiency using a simplified manufacturing apparatus.

摘要翻译： 一种制造硅基薄膜光电转换装置的本发明的方法是dadurch gekennzeichnet，DASS一个双pin结构堆叠体（30）是由依次形成，在同一等离子体CVD膜沉积室，一个第一p型半导体层而形成 （11），i型微晶硅基光电的i型非晶硅基光电转换层（12），第一n型半导体层（13），第二p型半导体层（21） 转换层（22），和在透明导电膜的第二n型半导体层（23）（2）形成的基板（1），并且所述第一p型半导体层（11），所述i型非晶硅上 硅基光电转换层（12）和所述第一n型半导体层（13）调查的条件下形成的确在等离子体CVD膜沉积室中的膜沉积压力不大于为200Pa大于3000Pa的和功率密度下和不高于 单位电极面积不洛韦 r除0.01W / cm 2并且不高于0.3W / cm 2以下。 因此，获得优异的质量和高光电转换效率的硅基薄膜光电转换装置可以以低成本和高效率使用，简化的制造设备来制造。

公开(公告)号：EP1256977A4

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：EP00964741

申请日：2000-10-06

申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP ,  SEIKO EPSON CORP

发明人： OGAWA TETSUYA ,  TOKIOKA HIDETADA ,  NISHIMAE JUNICHI ,  OKAMOTO TATSUKI ,  SATO YUKIO ,  INOUE MITSUO ,  MIYASAKA MITSUTOSHI ,  JIROKU HIROAKI

IPC分类号： H01L21/20 ,  B23K26/00 ,  C23C14/58 ,  C23C16/24 ,  H01L21/336

CPC分类号： C23C14/5813 ,  B23K26/0066 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0838 ,  B23K26/352 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/52 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02691 ,  H01L29/66757 ,  Y10S438/969

摘要： A method of manufacturing polysilicon film comprises the steps of forming amorphous silicon film (33) on a glass substrate (31), the silicon film including a first area (33a) and a second area (33b) in contact with the first area (33b); irradiating the first area (33a) of the amorphous silicon film (33) with laser (35) having a wavelength of 390 nm to 640 nm to form a first polycrystalline area (34a); and irradiating the second area (33b) of the amorphous silicon film (33) and part of the first polycrystalline area (34a) in contact with the second area (33b) with laser (35) having a wavelength of 390 nm to 640 nm to form a second polycrystalline area (34b) in contact with the first polycrystalline area (34a).

公开(公告)号：EP1146569B1

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：EP01108979.4

申请日：2001-04-11

申请人： National Institute of Advanced Industrial Science and Technology ,  IHI Corporation ,  Matsuda, Akihisa ,  Kondo, Michio

发明人： Ito, Norikazu ,  Watabe, Yoshimi ,  Matsuda, Akihisa ,  Kondo, Michio

IPC分类号： H01L31/20 ,  C23C16/509 ,  C23C16/24

CPC分类号： H01J37/321 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  C23C16/515 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：EP1854907A2

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：EP07008718.4

申请日：2007-04-28

申请人： Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden

发明人： Stahr, Frank, Dr. ,  Steinke, Olaff, Dr. ,  Stephan, Ulf, Dr. ,  Schade, Klaus, Prof.

IPC分类号： C23C16/509 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  C23C16/24

CPC分类号： C23C16/5096 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633

摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur plasmagestützten chemischen Oberflächenmodifizierung von Substraten im Vakuum. Dabei können mindestens eine Schicht auf eine Oberfläche von Substraten ausgebildet aber auch ein Abtrag von einer solchen Oberfläche vorgenommen werden. Es ist dabei Aufgabe der Erfindung eine Möglichkeit zu schaffen, um günstigere elektrische Verhältnisse bei der Modifizierung von Substratoberflächen im Vakuum durch einen verbesserten elektrischen Stromfluss, zu erreichen. Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung sind innerhalb einer Vakuumkammer ein Substrat auf einem aus einem elektrisch leitenden Werkstoff gebildeten Substratträger sowie zumindest ein Teil einer Elektrodeneinheit angeordnet. Die Elektrodeneinheit ist parallel zur zu modifizierenden Oberfläche des Substrates ausgerichtet und an eine HF/VHF-Spannungsquelle elektrisch leitend angeschlossen. Außerdem soll über die Elektrodeneinheit ein Reaktionsgas zur Plasmabildung und Oberflächenmodifizierung in einen zwischen Elektrodeneinheit und Substrat angeordneten Plasmareaktionsraum eingeführt werden. Der Plasmareaktionsraum ist von einer elektrischen Abschirmung an seinem radial äußeren Rand umschlossen, an Erdpotential angeschlossen und elektrisch leitend über die Elektrodeneinheit mit der HF/VHF-Spannungsquelle verbunden. Außerdem ist ein Kontaktrahmen vorhanden, der elektrisch leitend mit der Abschirmung verbunden ist. Der Kontaktrahmen kann dabei bewegt werden. Durch eine Bewegung des Kontaktrahmens in Richtung auf Substrat und Substratträger kann beim Betrieb der Vorrichtung eine elektrische leitende Verbindung von Kontaktrahmen und Substratträger hergestellt werden.

摘要翻译： 在导电载体（9）上的基板（8）面向连接到HF / VHF电压源（6）的平行电极单元（3,4,5）。 将反应气体送入中间等离子体空间（10），用于等离子体形成和表面改性。 该空间的径向外缘由与电压源共用公共地的电屏蔽（11）包围。 接触框架（12）电连接到屏蔽件; 它也可以移动。 在操作期间，在框架和基板载体之间形成导电连接。 面向等离子体的框架的侧面具有非导电涂层或包层。 通入等离子体空间的抽吸通道（13）去除反应产物。 抽吸通道位于屏蔽件和真空室的壁（1）之间。 电极单元由彼此平面接触并连接在一起的单个板部件（3,4,5）形成。 它形成真空室的外壁的一部分。 外部板（3）连接到电压源并与墙壁电绝缘。 连接的板组件（4,5）形成气体分配器，气体出口通向等离子体空间。 它们连接到抛光的外板（3）上。 这些板连接到在其表面上均匀分布的热导体。 外板（3）由真空室外的设备和大气压力进行温度控制。 外板上有一个或多个外部电触点，用于连接电压源。 板或热接触部件由具有高导热性的材料制成。 这些是与板材相同材料制成的铆钉和/或螺钉。 在板上，紧固导体和反应气体出口进入等离子体反应空间是相等的。

公开(公告)号：EP1846595A1

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：EP06719933.1

申请日：2006-01-31

申请人： ASM America, Inc.

发明人： BAUER, Matthias ,  ARENA, Chantal ,  BERTRAM, Ronald ,  TOMASINI, Pierre ,  CODY, Nyles ,  BRABANT, Paul ,  ITALIANO, Joseph ,  JACOBSON, Paul ,  WEEKS, Keith, Doran

IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B25/02 ,  C23C16/24 ,  H01L29/10 ,  H01L21/205 ,  C23C16/448

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Chemical vapor deposition methods use trisilane and a halogen-containing etchant source (such as chlorine) to selectively deposit Si-containing films over selected regions of mixed substrates. Dopant sources may be intermixed with the trisilane and the etchant source to selectively deposit doped Si-containing films. The selective deposition methods are useful in a variety of applications, such as semiconductor manufacturing.

公开(公告)号：EP1778890A1

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：EP05774994.7

申请日：2005-07-26

申请人： Joint Solar Silicon GmbH & Co. KG

发明人： MÜLLER, Armin ,  SILL, Torsten

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/24 ,  C23C16/04 ,  C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  C01B33/027

CPC分类号： C01B33/027 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4401

摘要： The invention relates to a method for production of a reactor (12) for the decomposition of a silicon-containing gas (7), comprising the following steps: production of an essentially tubular reactor blank (2), comprising an inner wall (3) and an outer wall (4), application of a separating layer (11), comprising a powder separating agent at least to the inner wall (3) of the reactor blank (2). The reactor (12), provided with a separating layer (11), provides a simple and effective protection of the inner wall (3) from precipitating silicon powder. The separating layer (11) and the silicon powder deposited thereon can easily be removed mechanically without damaging the inner wall (3).

公开(公告)号：EP1257684B1

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：EP00955754.7

申请日：2000-08-17

申请人： GT Solar Incorporated

发明人： CHANDRA, Mohan ,  JAFRI, Ijaz ,  GUPTA, Kedar ,  PRASAD, Vishwanath ,  TALBOTT, Jonathan

IPC分类号： C23C16/24 ,  C01B33/027 ,  C01B33/035

CPC分类号： C01B33/027 ,  C23C16/24

摘要： The production of bulk polysilicon by a chemical vapor deposition process on a tube section. A quartz envelope (31) and a base plate (34) form a CVD reactor enclosure, with external radiant heaters (33) providing heat through the wall of the reactor, and with gas inlet (35) and outlet (36) ports located in base plate (34). A tube section (32), preferably an EFG silicon tube section, vertically emplaced on base plate (34) and capped (43) to close the top is used as the reaction chamber. Deposition occurs on the inside surface of the chamber tube (32), the inner diameter of the deposit layer becoming increasingly smaller as the yield accumulates. In a two tube reactor, vertical middle tube (46) is supported inside the chamber tube for full flow of process gas over and under the middle tube (46) so that deposition occurs on the three exposed tube surfaces.

公开(公告)号：EP1650788A1

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：EP04729522.5

申请日：2004-04-26

申请人： Shin-Etsu Handotai Co., Ltd

发明人： KANAYA, Koichi, c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. ,  OTSUKA, Toru, c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. ,  KANNO, Takao, c/o Shin-Etsu Handotai Co. Ltd.

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/68 ,  C23C16/24 ,  C23C16/458

CPC分类号： H01L21/68735 ,  C30B25/12 ,  C30B29/06

摘要： In a vapor phase growth apparatus for performing a vapor phase growth of a silicon epitaxial layer on a main surface of a silicon single crystal substrate while heating the silicon single crystal substrate placed on a pocket formed on a susceptor, from both sides, the pocket has an outer peripheral side part which supports a rear surface of the silicon single crystal substrate and an inner peripheral side part which is kept in a state of being more recessed than the outer peripheral side part in the inside of the outer peripheral side part, and the susceptor has a warped inverted U-shaped longitudinal sectional shape.

摘要翻译： 在气相生长装置中，在从双面加热形成在基座上的凹穴上的硅单晶衬底的同时，在硅单晶衬底的主表面上进行硅外延层的气相生长， 支撑硅单晶基板的后表面的外周侧部分和保持在外周侧部分的内侧比外周侧凹陷的状态的内周侧部分，并且 基座具有翘曲的倒U形纵截面形状。

公开(公告)号：EP0987341A4

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：EP99939203

申请日：1999-03-05

申请人： JFE STEEL CORP

发明人： NAMIKAWA MISAO ,  TAKADA YOSHIKAZU ,  KASAI SHOJI ,  NINOMIYA HIRONORI ,  YAMAJI TSUNEHIRO ,  HIRATANI TATSUHIKO

IPC分类号： C21D8/12 ,  C22C38/00 ,  C22C38/02 ,  C23C10/08 ,  C23C10/46 ,  C23C10/60 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56

CPC分类号： C23C16/56 ,  C21D8/1255 ,  C22C38/004 ,  C22C38/02 ,  C23C10/08 ,  C23C10/46 ,  C23C10/60 ,  C23C16/24

摘要： A silicon steel sheet having low iron loss of high frequency has a surface layer of the steel sheet which has Si concentration higher than Si concentration of a center portion of the steel sheet. Si concentration of sheet thickness center is 3.4 wt. % or more and Si concentration of the surface layer of the steel sheet is 5 wt. % or more. Si concentration in a surface layer portion is 5 to 8 wt. %. The production method comprises siliconizing treatment and diffusing treatment. Velocity of siliconizing and diffusing are controlled, and Si concentration distribution in the sheet thickness direction of the steel sheet is controlled.

公开(公告)号：EP1601813A1

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：EP04703337.8

申请日：2004-01-20

申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH

发明人： ROSCHEK, Tobias ,  RECH, Bernd

IPC分类号： C23C16/24 ,  H01L31/18 ,  C23C16/505

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： The inventive method for depositing silicon onto a substrate firstly involves the introduction of a reactive silicon-containing gas and hydrogen into the plasma chamber and then the initiation of the plasma. After initiating the plasma, only reactive silicon-containing gas or a gas mixture containing hydrogen is supplied to the plasma chamber in an alternatively continuous manner, and the gas mixture located inside the chamber is, at least in part, simultaneously withdrawn from the chamber. From the start, homogeneous microcrystalline silicon is deposited onto the substrate in the presence of hydrogen.