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    HIGH DENSITY PLASMA DEPOSITION AND ETCHING APPARATUS
    71.
    发明公开
    HIGH DENSITY PLASMA DEPOSITION AND ETCHING APPARATUS 失效
    高密度等离子体沉积和蚀刻设备

    公开(公告)号：EP0570484A1

    公开(公告)日：1993-11-24

    申请号：EP92905727.0

    申请日：1992-02-04

    申请人： PLASMA & MATERIALS TECHNOLOGIES, INC.

    发明人： CAMPBELL, Gregor, A. ,  CONN, Robert, W. ,  PEARSON, David, C. ,  DECHAMBRIER, Alexis, P. ,  SHOJI, Tatsuo Yomei-Ryo Yomei-cho 1-5

    IPC分类号： C23C14 ,  C23C16 ,  C23F4 ,  H01J37 ,  H01L21 ,  H05H1

    CPC分类号： H01J37/3222 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32688 ,  H05H1/46

    摘要： Dans l'appareil décrit, un plasma ionisé de forte densité est généré dans une chambre source (10') grâce à l'utilisation d'une antenne à boucle simple (12') disposée dans un plan qui coupe l'axe central de la chambre source selon un angle perpendiculaire ou selon un angle plus petit par rapport à l'extrémité fermé de ladite chambre et à distance de ladite extrémité. Conjointement à un champ magnétique longitudinal et à un gaz inerte ou réactif injecté dans la chambre source, on utilise l'excitation de l'antenne au moyen d'une énergie à haute fréquence comprise entre 5 et 30 MHz pour établir le mode d'excitation M=0 ou des composantes des deux modes M=0 et M=1. Sont alors créées des ondes du type siffleurs à fréquence basse, qui génèrent un plasma uniforme et de forte densité ainsi qu'un fort courant de plasma. La source de plasma ainsi définie est utilisée combinée à des configurations de chambre de traitement dans lesquelles des champs magnétiques de forme statique ou modulés dans le temps favorisent la répartition et l'uniformité du plasma sur un substrat devant être attaqué ou enduit par dépôt ou pulvérisation.

    摘要翻译： 在所描述的装置中，通过使用设置在平面中的单个环形天线（12'）在源室（10'）中产生高密度电离等离子体，所述平面与 源腔室相对于所述腔室的封闭端以垂直角度或以较小角度并与所述端部隔开一定距离。 结合纵向磁场和注入源腔的惰性或反应气体，利用5至30MHz之间的高频能量来激励天线以建立激励模式。 M = 0或两种模式M = 0和M = 1的分量。 然后产生低频波动型波，产生均匀的高密度等离子体和强等离子体电流。 如此定义的等离子体源与处理室配置结合使用，其中静态或时间调制磁场促进等离子体在要蚀刻或喷涂的衬底上的分布和均匀性。 。

    Dry-etching method and apparatus
    73.
    发明公开
    Dry-etching method and apparatus 失效
    Verfahren undGerätzurTrockenätzung。

    公开(公告)号：EP0528655A2

    公开(公告)日：1993-02-24

    申请号：EP92307440.5

    申请日：1992-08-13

    申请人： HITACHI, LTD.

    发明人： Kumihashi, Takao ,  Tsujimoto, Kazunori, Sakuragaokadanchi 5-305 ,  Tachi, Shinichi

    IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/321 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  C23F4/00

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F7/36 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139

    摘要： In microwave dry etching, the substrate/resist etching selectivity is controlled by adding a material, such as an additional gas, to the reaction gas plasma that heats the substrate with greater energy transfer efficiency than the resist. For example, a W substrate having a resist is etched with an SF₆ reaction gas to which is added an Xe gas for generating incident ions that impinge the substrate with greater energy transfer than with respect to the resist. This produces a greater hot spot temperature for the substrate than the resist to increase the substrate/resist etching selectivity. The hot spot temperature difference can be further effected by applying a bias potential to the substrate during the etching with an RF power supply.

    摘要翻译： 在微波干蚀刻中，通过向反应气体等离子体中添加诸如附加气体的材料来控制衬底/抗蚀剂蚀刻选择性，该反应气体等离子体以比抗蚀剂更高的能量转移效率加热衬底。 例如，用SF6反应气体蚀刻具有抗蚀剂的W衬底，向其中加入Xe气体，用于产生入射离子，该入射离子以比抗蚀剂更大的能量转移来冲击衬底。 这使得衬底的热点温度比抗蚀剂产生更大的热点温度，以增加衬底/抗蚀刻蚀刻选择性。 通过在用RF电源进行蚀刻期间，通过在衬底上施加偏置电位，可以进一步实现热点温度差。

    CASE TOUGHENING OF ALUMINUM-LITHIUM FORGINGS
    74.
    发明公开
    CASE TOUGHENING OF ALUMINUM-LITHIUM FORGINGS 失效
    铝 - 锂锻件表面强度增加。

    公开(公告)号：EP0523077A1

    公开(公告)日：1993-01-20

    申请号：EP91906102.0

    申请日：1991-03-06

    申请人： AlliedSignal Inc.

    发明人： LASALLE, Jerry, C.

    IPC分类号： C22C21 ,  C22F1 ,  C23F4

    CPC分类号： C22F1/02 ,  C22F1/04 ,  C23F4/02

    摘要： On soumet un constituant composé d'un alliage d'aluminium-lithium rapidement solidifié à un traitement thermique à une température supérieure à 500 °C pendant une durée supérieure à 5 heures en atmosphère protectrice. Le constituant ainsi durci par cémentation présente une résilience de 40 à 250 % supérieure à celle existant avant le traitement thermique.

    Method and apparatus for processing substrate
    77.
    发明公开
    Method and apparatus for processing substrate 失效
    Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln eines Substrats。

    公开(公告)号：EP0452773A2

    公开(公告)日：1991-10-23

    申请号：EP91105571.3

    申请日：1991-04-09

    申请人： ANELVA CORPORATION

    发明人： Nashimoto, Kiyoshi, c/o ANELVA Corporation

    IPC分类号： C23C14/54 ,  C23F4/00 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/67103 ,  C23C14/541 ,  Y10T156/1015

    摘要： A substrate (3) such as a semiconductor wafer processing method and a substrate processing apparatus may be used in conjunction with the processing of a substrate (3) that involves the sputtering, etching, depositing, and like processes. According to the method and apparatus, the processing of a substrate (3) can proceed under the accurately controlled temperature environment. This may be achieved by measuring the temperature and emissivity of heat from the surface of the substrate (3) being processed, remotely as well as on the real-time basis, and correcting the temperature to reflect the actual temperature according to the emissivity as measured.

    摘要翻译： 可以与涉及溅射，蚀刻，沉积等工序的基板（3）的加工一起使用诸如半导体晶片处理方法的基板（3）和基板处理装置。 根据该方法和装置，可以在精确控制的温度环境下进行基板（3）的处理。 这可以通过远程地和实时地测量来自被处理的基板（3）的表面的温度和发射率来实现，并且根据测量的发射率校正温度以反映实际温度 。