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公开(公告)号：EP0894285B1
公开(公告)日：2001-06-13
申请号：EP97916555.2
申请日：1997-04-14
IPC分类号： G02F1/139 , G02F1/1337
CPC分类号： G02F1/1396 , G02F1/133753 , G02F1/13725 , G02F2001/133742
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公开(公告)号：EP0891388A1
公开(公告)日：1999-01-20
申请号：EP97907224.0
申请日：1997-03-19
发明人： MEHL, Georg, Hans, Rudolf , GOODBY, John, William , TUFFIN, Rachel, Patricia , TOYNE, Kenneth, Johnson
CPC分类号： C09K19/406 , C08G77/38 , C09K19/408
摘要： Materials of formula (I) are provided wherein E=0 indicates a non-cyclic system, E=1 indicates a cyclic system; when E=0 then G is R3SiR1R2(O)k; R1, R2, R3 are independently selected from C1-16 alkyl which may be partly or fully halogenated, H and formula (IA) wherein Y is a propyl group which may be partially halogenated with fluorine or chlorine and Y1 is independently selected from COO, OCO, O, S, CHOH, CHF, CO, CH2; Q and Q1 are independently selected from (CH2)n wherein one or more non-adjacent methylenes may be replaced by O and N=0-20; Z and Z1 are independently selected from O, S, single covalent bond, COO, OCO; when Y and/or Y1 is CH2 then n may also be 0; Figure (2) represents any mesogenic group; and MACROCYCLE represents any macrocycle; provided that at least one of R1, R2, R3 is selected from formula (IA); k=0 or 1; g=4 or 6 or 8 or 10 or 12; l=3 or 8 provided that: if k=l, l=3 and x is selected from 6, 8, 10, 12 then g=x; if k=0, l=8 and g=4 then x=1; and further provided that G may have up to g different structures for any single compound.
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公开(公告)号：EP0573424B1
公开(公告)日：1996-02-07
申请号：EP91913549.1
申请日：1991-07-18
CPC分类号： C04B35/62227 , C23C16/46 , C23C16/545 , C30B11/12 , C30B25/005
摘要： A coreless refractory fibre is made introducing a filament (16) of a former material into a chemical vapour deposition (CVD) enclosure (10) and then heating the end (21) of the filament by means of a contactless heating source. The source comprises a conducting coil connected to an AC source in the frequency range HF to UHF and with a linear or strip conducting element (110) connected to it such that the end of the element is adjacent to the end (21) of the filament. The filament (16) is then withdrawn such that refractory material is continuously built up on its end from the chemical vapours in the enclosure to form a coreless refractory fibre. Whiskers of a coreless refractory material may be made by introducing fine particles of a catalyst material on to a platform (22) inside a CVD enclosure (25), melting the catalyst material to form droplets and then feeding CVD gases to the droplets (30) to thereby promote crystal growth by precipitation from the supersaturated liquid. The end of the precipitated material within the enclosure is heated by means of a linear conducting element vertically mounted and provided at its free end with a perpendicular conducting disc (111) adjacent and parallel to the platform (22). The platform is then moved vertically from the heat source such that the separation of the droplets (30) from the heating source (111) is maintained constant as chemical vapour is continuously deposited under the droplets (30) from the chemical vapours in the enclosure to form whiskers.
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公开(公告)号：EP0471723B1
公开(公告)日：1996-01-31
申请号：EP90907199.5
申请日：1990-05-02
CPC分类号： G06F15/8046 , G06F7/5443 , G06F17/16 , G06F2207/3892
摘要： A digital processor (10) for two's complement computations incorporates an array (12*) of multiplier cells (12) each having the one-bit gated full adder logic function. The array (12*) has nearest-neighbour connections (16, 18, 20) containing clock-activated latches (42, 44, 50) for bit propagation. On each clock cycle, the cells (12) receive input data, carry and cumulative sum bits. Each cell (12) adds the carry and cumulative sum bits to the product of the data bit and a respective coefficient digit associated with the relevant cell (12). Data bits pass along array rows and sum bits accumulate in cascade down array columns. Carry bits are recirculated. Each coefficient digit is expressed as a sign bit and at least one magnitude bit consisting of or including a level bit. Each cell (12) includes multiplicative gating means (58, 62) responsive to the sign and level bits, and carry feedback means (60, 66) responsive to a least significant data bit flag to substitute the sign bit for a carry feedback bit. Each coefficient digit may include an additional magnitude bit expressed as a shift bit and employed to select multiplicand data bit significance, the gating means (58, 62) being responsive to flag bits to eliminate unwanted sign extension bit products. The processor (10 or 200) may include accumulating means (14 or 214) incorporating gates (90, 98 or 292, 298, 336) responsive to flag bits and arranged to eliminate unwanted result sign extension bits.
摘要翻译： 用于二进制补码计算的数字处理器（10）包括每个具有一位门控全加器逻辑功能的乘法器单元（12）的阵列（12 *）。 阵列（12 *）具有包含用于比特传播的时钟激活锁存器（42,44,50）的最近邻居连接（16,18,20）。 在每个时钟周期中，单元（12）接收输入数据，进位和累加和位。 每个单元（12）将进位和累加和位添加到数据位和与相关单元（12）相关联的相应系数位的乘积。 数据位沿阵列行传递，总和位在级联向下阵列列中累加。 进位是循环的。 每个系数数字被表示为一个符号位和至少一个由一个电平位组成或包括一个电平位的幅度位。 每个单元（12）包括响应于符号和电平位的乘法门控装置（58,62），并且携带响应于最低有效数据位标志的反馈装置（60,66）以将符号位替换为进位反馈位。 每个系数数字可以包括表示为移位位并用于选择被乘数据位重要性的附加幅度位，门控装置（58,62）响应于标志位来消除不想要的符号扩展位产品。 处理器（10或200）可以包括累加装置（14或214），该装置响应于标志位而并入门（90,98或292,298,336）并且被安排成消除不想要的结果符号扩展位。
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公开(公告)号：EP0599952A1
公开(公告)日：1994-06-08
申请号：EP92917970.0
申请日：1992-08-21
CPC分类号： A61K9/0014 , A61K47/12 , A61K47/14 , Y10S514/947
摘要： Composition améliorée pour l'administration transdermique comprenant un acide gras de faible masse moléculaire, qui se caractérise par le fait qu'elle comprend également un acide gras à chaîne longue ou un ester d'alkyle inférieur d'acide gras à chaîne longue, la chaîne longue étant une chaîne C13 à C21 et contenant de préférence au moins une liaison cis-oléfinique. Les composants préférés de la chaîne longue sont l'acide oléique et l'oléate d'éthyle, et l'acide gras de faible masse moléculaire préféré est l'acide propionique. Ces compositions sont particulièrement efficaces pour administrer par voie transdermique de la physostigmine et ses analogues, selon une posologie régulée.
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公开(公告)号：EP0594668A1
公开(公告)日：1994-05-04
申请号：EP92914231.0
申请日：1992-06-29
CPC分类号： G01P3/36 , G01C9/00 , G01J3/42 , G01J3/453 , G01N2021/3188
摘要： Un système de détection optique, composé d'un dispositif de transformation modulant le rayonnement reçu de façon à sensibiliser le système à des caractéristiques sélectionnées dépendant du profil de la fonction de cohérence dans le champ optique reçu, comprend un processeur spectral. Le processeur spectral possède un filtre limiteur de bande (BLF) et un filtre modificateur (MF) ayant une bande passante recouvrant au moins partiellement la bande passante du BLF (103). Le BLF et le MF sont sélectionnés de manière à concentrer l'information clé sur le rayonnement cible dans une petite région du profil de la fonction de cohérence. De préférence, le BLF a un profil de transmission rectangulaire et le MF a un profil gaussien, correpondant à celui de la ligne d'absorption du gaz à détecter. Le centre du profil d'absorption du MF est décalé par rapport au centre du profil du BLF. Dans d'autres configurations, le MF peut être tel qu'il produit deux ou plusieurs profils d'absorption (122, 123) dans le profil du BLF. La fonction de transmission d'un des filtres peut être dépendante du temps de manière à améliorer la détection du champ optique transformé. Cette dépendance est obtenue grâce au mouvement périodique du filtre produit par la variation de l'angle d'inclinaison d'un filtre d'interférence pour moduler la fréquence centrale du profil de transmission du filtre par un système faisant en sorte que la surface du filtre périodiquement déplacé, inséré dans le chemin optique du système, varie de manière à moduler périodiquement la profondeur d'absorption du filtre.
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公开(公告)号：EP0592495A1
公开(公告)日：1994-04-20
申请号：EP92913476.0
申请日：1992-07-02
CPC分类号： B21D26/055 , B23K20/2336
摘要： Les faibles résistances au décollement de joints assemblés par diffusion dans des structures en alliage d'aluminium ont constitué un obstacle à leur utilisation dans un façonnage superplastique. L'invention apporte une solution à cet inconvénient par la création d'une pièce d'usinage conçue pour un façonnage superplastique ultérieur, au moyen de l'assemblage par diffusion d'un ensemble de tôle en alliage (30-32) dans des zones d'assemblage selon une configuration prédéterminée ainsi qu'au moyen d'un renforcement (33) placé dans la pièce d'usinage dans la région des zones assemblées par diffusion. Le matériau de renforcement sert à empêcher les contraintes de traction exercées pendant le façonnage superplastique ultérieur, de provoquer une rupture de décollement des zones assemblées par diffusion. Au contraire, les contraintes de tractions servent à provoquer une déformation superplastique dans les régions de la pièce à usiner situées entre les zones assemblées par diffusion.
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公开(公告)号：EP0585237A1
公开(公告)日：1994-03-09
申请号：EP92906383.0
申请日：1992-03-03
发明人： BROOMHEAD, David, Sidney 3 Assarts Road , JONES, Robin 35 Sandpiper Crescent , JOHNSON, Martin 11 Fruitlands
CPC分类号： A61B5/0476 , G05B23/0221 , G06N99/005 , Y10S706/902 , Y10S706/903
摘要： Un analyseur de systèmes dynamiques (10) comprend un ordinateur (22) qui effectue une décomposition de valeurs singulières d'une série temporelle de signaux provenant d'un système dynamique non linéaire (éventuellement chaotique) (14). On introduit dans un filtre à réponses d'impulsions finies (34) des vecteurs singuliers à bruit relativement faible provenant de ladite décomposition. La série temporelle est transformée en vecteurs de Takens, dont chacun est projeté par le filtre (34) sur chacun des vecteurs singuliers. Ainsi, chaque vecteur de Takens donne les coordonnées d'un point correspondant sur une trajectoire du système (14) dans un espace de phase. Un processeur heuristique (44) est utilisé pour transformer les coordonnées temporisées par décomposition QR et par ajustage aux moindres carrés de manière à s'adapter à des coordonnées non temporisées. Le processeur heuristique (44) génère un modèle mathématique pour mettre en oeuvre cette transformation qui prédit les états futurs du système sur la base d'états actuels respectifs. Un système d'essai est utilisé pour générer des coordonnées analogues en vue de leur transformation dans le processeur heuristique (44). On obtient ainsi des estimations des états futurs du système d'essai, tels que prédits par le modèle du système de comparaison. Une autre possibilité consiste à obtenir des divergences entre de telles estimations et le comportement réel. Encore une autre possibilité concerne la comparaison de modèles mathématiques dérivés par l'analyseur (10) et provenant de différents systèmes dynamiques.
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公开(公告)号：EP0558554A1
公开(公告)日：1993-09-08
申请号：EP91920076.0
申请日：1991-11-18
CPC分类号： H01L21/2022 , H01L21/26506 , H01L21/321 , H01L21/76245 , Y10S118/01 , Y10S118/03 , Y10S438/96
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un matériau de silicium sur silicium poreux, qui consiste à: (i) fabriquer une couche de silicium poreux sur une plaquette appropriée de silicium, de sorte que ladite plaquette de silicium comporte une surface de silicium poreux et une surface de silicium non poreux, (ii) appliquer une dose d'ions implantés sur au moins une partie de la surface de silicium poreux, ladite dose étant suffisante pour rendre amorphe le silicium poreux. Le matériau produit grâce au procédé de l'invention peut ensuite servir pour la production de matériau de silicium sur isolant par oxydation du restant de silicium poreux et recristallisation du silicium rendu amorphe. Un tel matériau peut typiquement être utilisé dans la fabrication, par exemple, de dispositifs de type SOI C-MOS et de transistors bipolaires. Le procédé de l'invention peut également servir dans la fabrication de dispositifs pyroélectriques par exemple.
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公开(公告)号：EP0553228A1
公开(公告)日：1993-08-04
申请号：EP91919320.0
申请日：1991-10-11
IPC分类号： C23C14
CPC分类号： C23C14/243
摘要： Un appareil de dépôt physique en phase gazeuse d'un alliage, dont les éléments constitutifs présentent des pressions de vapeur très différentes, comprend un creuset d'évaporation interne (1) entouré par un second creuset d'évaporation (2) pourvu d'un alignement de tuyères (9) orientées vers un collecteur (5). Lors de l'utilisation de l'appareil, une charge (3) de volatilité relativement faible est évaporée dans le creuset interne (1) par l'intermédiaire d'un faisceau d'électrons (7) focalisé par un aimant (8). La charge (4) se trouvant dans le second creuset (2) présente une volatilité beaucoup plus élevée et est évaporée par chauffage rayonnant. Les tuyères (9) dirigent la vapeur provenant de la charge (4) le long de trajectoires qui entrecoupent la vapeur s'élevant de la charge (3) de sorte que le flux de vapeurs combinées parvenant au collecteur (5) est un mélange étroit de constituants. Les tuyères (9) peuvent aussi être utilisées pour réguler la vitesse d'écoulement de la vapeur provenant du second creuset (2).
摘要翻译： 一种合金的物理气相沉积设备，其组成元件具有非常不同的蒸汽压力，包括由设置有第二蒸发坩埚（2）的第二蒸发坩埚（2）围绕的内部蒸发坩埚（1） 对齐指向歧管（5）的喷嘴（9）。 当使用该装置时，挥发度较低的电荷（3）通过由磁体（8）聚焦的电子束（7）在内坩埚（1）中蒸发。 第二坩埚（2）中的装料（4）具有高得多的挥发性并且通过辐射加热而蒸发。 喷嘴（9）从所述负载（4）沿其交叉的蒸气从所述负载上升路径引导所述蒸汽（3），使得合并的蒸气到达收集器（5）的流是一个狭长的混合 的成分。 喷嘴（9）也可用于调节来自第二坩埚（2）的蒸气的流速。
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