公开(公告)号：EP3026721B1

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：EP15196561.3

申请日：2015-11-26

申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS- ,  Université Joseph Fourier - Grenoble ,  Université Paris-Sud

发明人： DIENY, Bernard ,  SOUSA, Ricardo ,  LACOSTE, Bertrand ,  DEVOLDER, Thibaut

IPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC分类号： G11C11/165 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08

公开(公告)号：EP3026721A1

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：EP15196561.3

申请日：2015-11-26

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS- ,  Université Joseph Fourier - Grenoble ,  Université Paris-Sud

发明人： DIENY, Bernard ,  SOUSA, Ricardo ,  LACOSTE, Bertrand ,  DEVOLDER, Thibaut

IPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC分类号： G11C11/165 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08

摘要： La présente invention concerne un dispositif magnétique (200) comportant une première couche magnétique (201), dite couche de stockage, présentant une anisotropie uniaxiale avec un axe facile d'aimantation dans le plan de ladite couche de stockage et ayant une aimantation de direction variable possédant deux positions d'équilibre suivant ledit axe facile d'aimantation, une deuxième couche magnétique (203), dite couche de polarisation de spin d'électrons, ayant une aimantation perpendiculaire à celle de ladite couche de stockage et située hors du plan de la couche de polarisation de spin d'électrons, des moyens (204) pour faire circuler dans les couches, et perpendiculairement à celles-ci, un courant pour commuter d'une position d'équilibre de la direction d'aimantation de la couche de stockage à l'autre. Le dispositif (200) comporte en outre des moyens (205) pour appliquer un champ magnétique, dit champ transverse, dont la direction est sensiblement parallèle au plan de la couche de stockage et sensiblement perpendiculaire à l'axe facile d'aimantation de la couche de stockage.

公开(公告)号：EP2218072A1

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：EP08864600.5

申请日：2008-12-04

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： PREJBEANU, Lucian ,  MAUNOURY, Cécile ,  DIENY, Bernard ,  DUCRUET, Clarisse ,  SOUSA, Ricardo

IPC分类号： G11C11/16

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10

摘要： This magnetic writing element, writing by thermally-assisted spin field or transfer, comprises: a reference magnetic layer, called the "trapped layer", the magnetization of which is of fixed direction; a storage magnetic layer (40) called the "free layer", the magnetization direction of which is variable, and formed from a layer (47) made of a ferromagnetic material magnetized in the plane of the layer, and magnetically coupled to a trapping layer (41) made of an antiferromagnetic material; and an insulating or semiconducting or confined-current-path layer (42) interposed between the reference layer and the storage layer. One or more by-layers are interposed within the storage layer, between the ferromagnetic layer (47) in contact with the insulating or semiconducting or confined-current-path layer (42) and the antiferromagnetic layer (41), said by-layers being formed from an amorphous or quasi-amorphous material (45) and from a material (46) having the same structure or the same crystallographic lattice as the antiferromagnetic layer respectively.

公开(公告)号：EP2436035B1

公开(公告)日：2020-05-06

申请号：EP10724050.9

申请日：2010-05-27

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  Institut Polytechnique de Grenoble ,  Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.)

发明人： DIENY, Bernard ,  PAPUSOI, Cristian ,  EBELS, Ursula ,  HOUSSAMEDDINE, Dimitri ,  BUDA-PREJBEANU, Liliana ,  SOUSA, Ricardo

IPC分类号： H01L27/22 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G01R33/09 ,  G01R33/12 ,  B82Y25/00

公开(公告)号：EP1671330B1

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：EP04791472.6

申请日：2004-10-06

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  Centre National de la Recherche Scientifique

发明人： DIENY, Bernard ,  SOUSA, Ricardo ,  STANESCU, Dana

IPC分类号： B82Y25/00 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254

公开(公告)号：EP4257998A1

公开(公告)日：2023-10-11

申请号：EP22305459.4

申请日：2022-04-05

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ,  Centre national de la recherche scientifique ,  Université Grenoble Alpes

发明人： PALOMINO, Alvaro ,  DIENY, Bernard ,  SOUSA, Ricardo ,  PREJBEANU, Ioan-Lucian

IPC分类号： G01R33/12

摘要： The invention has for object a magnetoresistive sensor (100) sensitive to an out-of-plane applied magnetic field comprising:
- a sensing layer (106);
- a reference layer (104) with a fixed magnetization, the direction of said fixed magnetization being perpendicular to the plane of said reference layer;
- a non-magnetic spacer layer (105) separating said sensing layer (106) and said reference layer (104);
said sensing layer (106) having spontaneously a magnetization vortex configuration in the absence of an applied magnetic field, the vortex core diameter varying in the presence of an applied magnetic field perpendicular to the plane of said reference layer (104).

公开(公告)号：EP2218072B1

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：EP08864600.5

申请日：2008-12-04

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  Centre National de la Recherche Scientifique ,  CROCUS Technology

发明人： PREJBEANU, Lucian ,  MAUNOURY, Cécile ,  DIENY, Bernard ,  DUCRUET, Clarisse ,  SOUSA, Ricardo

IPC分类号： G11C11/16

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10

公开(公告)号：EP2622605B1

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：EP11779760.5

申请日：2011-09-29

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： DIENY, Bernard ,  MORITZ, Jérôme ,  SOUSA, Ricardo

IPC分类号： G11C11/16 ,  H01L43/08

CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08

公开(公告)号：EP2436035A1

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：EP10724050.9

申请日：2010-05-27

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： DIENY, Bernard ,  PAPUSOI, Cristian ,  EBELS, Ursula ,  HOUSSAMEDDINE, Dimitri ,  BUDA-PREJBEANU, Liliana ,  SOUSA, Ricardo

IPC分类号： H01L27/22 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32 ,  H01L29/66 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： The present invention relates to a magnetic device (200) comprising a reference magnetic layer (201) with a fixed magnetisation direction either aligned with the plane of the layer (201) or perpendicular to the plane of the layer (201), a second magnetic storage layer (203), having a variable magnetisation direction, a nonmagnetic spacer (202) separating the reference layer (201) from the storage layer (203), and a third magnetic layer (205) for the electron spin polarisation with a magnetisation perpendicular to that of the layer (201) and out-of-plane of the layer (205) if the magnetisation direction of the reference layer (201) is in the plane of the layer (201) or in the plane of the layer (205) if the magnetisation direction of the reference layer (201) is perpendicular to the plane of the layer (201). The spin transfer coefficient between the reference layer (201) and the storage layer (203) is higher than the spin transfer coefficient between the spin polarisation layer (205) and the storage layer (203).

公开(公告)号：EP2622605A1

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：EP11779760.5

申请日：2011-09-29

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： DIENY, Bernard ,  MORITZ, Jérôme ,  SOUSA, Ricardo

IPC分类号： G11C11/16 ,  H01L43/08

CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08

摘要： A thermally assisted magnetic writing device including a first magnetic layer known as the "reference layer," a second magnetic layer known as the "storage layer" that presents a variable magnetization direction, a spacer situated between the reference layer and the storage layer and a first antiferromagnetic layer in contact with the storage layer, the first antiferromagnetic layer being able to trap the magnetization direction of the storage layer. The magnetic device also includes a stabilization layer made of a ferromagnetic material, the stabilization layer being in contact with the first antiferromagnetic layer.