公开(公告)号：EP4033526A3

公开(公告)日：2023-05-10

申请号：EP22152742.7

申请日：2022-01-21

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： LOURO, Mélanie ,  CAPLET, Stéphane

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L33/62

摘要： L'invention concerne un composant formant au moins connexion mécanique comportant un substrat (32), muni, sur une de ses faces (32a), d'au moins un micro-élément (20a-20e, 20b', 20 1 -20 4 ) de connexion en silicium, s'étendant selon une direction perpendiculaire à ladite face, entre un pied, proche du substrat, et un sommet, le sommet ayant une largeur (e t ), mesurée dans un plan parallèle au substrat, supérieure à la largeur (e p ) d'une partie de l'élément située entre la sommet et le pied et/ou le composant ayant une paroi latérale comportant une surface au moins en partie festonnée.

公开(公告)号：EP2207748A1

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：EP08846382.3

申请日：2008-11-06

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： CAPLET, Stéphane

IPC分类号： B81B7/00 ,  H05K1/02

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81B2207/07 ,  B81C2203/035 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/10122 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1461 ,  H05K3/3436 ,  H01L2924/00

摘要： Electronic component comprising at least one chip and/or one support, the chip being intended to be transferred onto the support and linked, at the level of at least one connection site (102) of the chip, formed by at least one portion (108) of a layer (104) of the chip, to at least one connection site of the support formed by at least one portion of a layer of the support, by at least one ball, the chip and/or the support comprising means for mechanical decoupling of the connection site (102) of the chip and/or of the support with respect to the chip and/or to the support, which means are formed by at least one cavity (110) made in the layer of the chip and/or of the support, under the connection site of the chip and/or of the support, and at least one trench (114), made in the layer of the chip and/or of the support, communicating with said cavity.

公开(公告)号：EP4033526A2

公开(公告)日：2022-07-27

申请号：EP22152742.7

申请日：2022-01-21

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： LOURO, Mélanie ,  CAPLET, Stéphane

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L33/62

摘要： L'invention concerne un composant formant au moins connexion mécanique comportant un substrat (32), muni, sur une de ses faces (32a), d'au moins un micro-élément (20a-20e, 20b', 20 1 -20 4 ) de connexion en silicium, s'étendant selon une direction perpendiculaire à ladite face, entre un pied, proche du substrat, et un sommet, le sommet ayant une largeur (e t ), mesurée dans un plan parallèle au substrat, supérieure à la largeur (e p ) d'une partie de l'élément située entre la sommet et le pied et/ou le composant ayant une paroi latérale comportant une surface au moins en partie festonnée.

公开(公告)号：EP4020600A1

公开(公告)日：2022-06-29

申请号：EP21215893.5

申请日：2021-12-20

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： ROCHAS, Alexis ,  HENRY, David ,  CAPLET, Stéphane

IPC分类号： H01L31/0203 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L27/146

摘要： L'invention porte sur un procédé de mise en courbure collective de composants microélectroniques comportant le report et la mise en courbure de composants microélectroniques (10) sur des surfaces courbées (21) d'un support de mise en forme (20), une couche adhésive (6) assurant l'adhésion des composants microélectroniques (10), et comportant une réalisation de vias conducteurs (22) s'étendant au travers du support de mise en forme (20) et de la couche inférieure adhésive (6), à partir de la face inférieure (20i) du support de mise en forme (20), pour déboucher sur les plots conducteurs inférieurs (12) des composants microélectroniques (10).

公开(公告)号：EP2260336B1

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：EP09728513.4

申请日：2009-04-03

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： CAPLET, Stéphane ,  VENIN, Claude

IPC分类号： G02B1/06 ,  G03F7/00 ,  G02F1/167 ,  G02F1/133

CPC分类号： G03F7/0007 ,  G02F1/133377 ,  G03F1/14 ,  G03F7/0005 ,  G03F7/2014

公开(公告)号：EP3480850A1

公开(公告)日：2019-05-08

申请号：EP18204634.2

申请日：2018-11-06

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： CHAMBION, Bertrand ,  CAPLET, Stéphane

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/52

摘要： Procédé de réalisation collective de plusieurs circuits électroniques courbés, comprenant :
- mise en place de plusieurs éléments adhésifs (124) entre plusieurs puces électroniques (116) et plusieurs surfaces d'appui courbées (122), et avec les puces disposée entre les surfaces d'appui courbées et un film souple (102), et tel que les puces, les éléments adhésifs et les surfaces d'appui courbées soient disposés dans un seul volume (128) apte à être mis en dépression vis-à-vis de l'environnement extérieur au volume et incluant des espaces vides (129) présents entre les puces électroniques et les surfaces d'appui courbées ;
- établissement d'une différence de pression entre l'intérieur et l'extérieur du volume telle que le film souple applique sur les puces une pression les déformant conformément aux surfaces d'appui courbées ;
- arrêt de l'application de la différence de pression, les puces courbées étant maintenues contre les surfaces d'appui courbées par les éléments adhésifs.

公开(公告)号：EP2207748B1

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：EP08846382.3

申请日：2008-11-06

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： CAPLET, Stéphane

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81B2207/07 ,  B81C2203/035 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/10122 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1461 ,  H05K3/3436 ,  H01L2924/00

摘要： Electronic component comprising at least one chip and/or one support, the chip being intended to be transferred onto the support and linked, at the level of at least one connection site (102) of the chip, formed by at least one portion (108) of a layer (104) of the chip, to at least one connection site of the support formed by at least one portion of a layer of the support, by at least one ball, the chip and/or the support comprising means for mechanical decoupling of the connection site (102) of the chip and/or of the support with respect to the chip and/or to the support, which means are formed by at least one cavity (110) made in the layer of the chip and/or of the support, under the connection site of the chip and/or of the support, and at least one trench (114), made in the layer of the chip and/or of the support, communicating with said cavity.

公开(公告)号：EP3679604A1

公开(公告)日：2020-07-15

申请号：EP18773806.7

申请日：2018-09-03

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： ROBIN, Ivan-Christophe ,  CAPLET, Stéphane ,  ROSSINI, Umberto

IPC分类号： H01L25/075 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62

公开(公告)号：EP1467947B1

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：EP02806329.5

申请日：2002-12-17

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： DIEM, Bernard ,  CAPLET, Stéphane ,  DELAYE, Marie-Thérèse

IPC分类号： B81B7/00

CPC分类号： B81B7/0077

公开(公告)号：EP2260336A1

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：EP09728513.4

申请日：2009-04-03

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： CAPLET, Stéphane ,  VENIN, Claude

IPC分类号： G02B1/06 ,  G03F7/00 ,  G02F1/167 ,  G02F1/133

CPC分类号： G03F7/0007 ,  G02F1/133377 ,  G03F1/14 ,  G03F7/0005 ,  G03F7/2014

摘要： The invention relates to a method of forming micron or submicron cavity walls, comprising: - the formation, on a transparent support (10, 12, 14) of a photolithoetching mask, - the deposition of a layer of resin (18) of photosensitive material on the face, termed the front face, of the support which supports the mask, - the irradiation of the photo­sensitive material layer through the rear face (10') of the support, - the development of the photosensitive material to obtain said walls.