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    PATTERN FORMING METHOD AND RESIST COMPOSITION
    3.
    发明公开
    PATTERN FORMING METHOD AND RESIST COMPOSITION 审中-公开
    STRUKTURFORMUNGSVERFAHREN UND RESISTZUSAMMENSETZUNG

    公开(公告)号：EP2539769A4

    公开(公告)日：2013-11-20

    申请号：EP11747578

    申请日：2011-02-24

    申请人： FUJIFILM CORP

    发明人： IWATO KAORU ,  KATAOKA SHOHEI ,  TARUTANI SHINJI ,  KAMIMURA SOU ,  KATO KEITA ,  ENOMOTO YUICHIRO ,  MIZUTANI KAZUYOSHI ,  TSUCHIHASHI TORU ,  FUJII KANA

    IPC分类号： G03F7/038 ,  C08F220/28 ,  C08F232/00 ,  G03F7/039 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  Y10T428/24479

    摘要： Provided is a method of forming a pattern, ensuring excellent sensitivity, limiting resolving power, roughness characteristic, exposure latitude (EL), dependence on post-exposure bake (PEB) temperature and focus latitude (depth of focus DOF), and a resist composition for use in the method. The method comprises (A) forming a film from a resist composition comprising a resin containing a repeating unit containing a group that is decomposed when acted on by an acid to thereby produce an alcoholic hydroxyl group, which resin thus when acted on by an acid decreases its solubility in a developer containing an organic solvent, (B) exposing the film to light, and (C) developing the exposed film using a developer containing an organic solvent.

    摘要翻译： 提供一种形成图案的方法，其确保极好的灵敏度，限制分辨率，粗糙度特性，曝光宽容度（EL），曝光后烘焙（PEB）温度和焦点宽容度（焦深DOF）的依赖性，以及抗蚀剂组合物 用于该方法中。 该方法包括：（A）由抗蚀剂组合物形成膜，所述抗蚀剂组合物包含含有重复单元的树脂，所述重复单元含有在被酸作用时分解从而产生醇羟基的基团，因此该树脂因此当被酸作用时降低 其在含有有机溶剂的显影液中的溶解性，（B）将该膜曝光，以及（C）使用含有有机溶剂的显影液使曝光的显影液显影。

    PATTERN FORMING METHOD AND RESIST COMPOSITION
    7.
    发明公开
    PATTERN FORMING METHOD AND RESIST COMPOSITION 审中-公开
    STRUKTURFORMUNGSVERFAHREN UND RESISTZUSAMMENSETZUNG

    公开(公告)号：EP2550562A4

    公开(公告)日：2013-11-20

    申请号：EP11759653

    申请日：2011-03-25

    申请人： FUJIFILM CORP

    发明人： KATO KEITA ,  TARUTANI SHINJI ,  TSUCHIHASHI TORU ,  KAMIMURA SOU ,  ENOMOTO YUICHIRO ,  FUJII KANA ,  IWATO KAORU ,  KATAOKA SHOHEI ,  MIZUTANI KAZUYOSHI

    IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/325 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/2041 ,  Y10T428/24

    摘要： Provided is a method of forming a pattern, ensuring excellent exposure latitude (EL) and focus latitude (depth of focus DOF). The method of forming a pattern includes (A) forming a film from a resist composition, the resist composition, (B) exposing the film to light, and (C) developing the exposed film using a developer containing an organic solvent, thereby forming a negative pattern. The resist composition contains (a) a resin that is configured to decompose when acted on by an acid and &Dgr;SP thereof represented by formula (1) below is 2.5 (MPa)1/2 or above, (b) a compound that is composed to generate an acid when exposed to actinic rays or radiation, and (c) a solvent. &Dgr;SP=SPF−SPI  (1)

    摘要翻译： 提供了一种形成图案的方法，确保优异的曝光宽容度（EL）和聚焦纬度（焦深DOF）。 形成图案的方法包括（A）从抗蚀剂组合物形成膜，抗蚀剂组合物，（B）将膜曝光，和（C）使用含有有机溶剂的显影剂显影曝光膜，从而形成 负模式。 抗蚀剂组合物含有（a）在被酸作用时被分解的树脂，下式（1）表示的＆Dgr; SP为2.5（MPa）1/2以上，（b） 被组合以在暴露于光化射线或辐射时产生酸，和（c）溶剂。 ＆DGR; SP = SPF-SPI（1）