公开(公告)号：EP0709887A2

公开(公告)日：1996-05-01

申请号：EP95115902.9

申请日：1995-10-09

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Colgan, Evan George ,  Rodbell, Kenneth Parker ,  Totta, Paul Anthony ,  White, James Francis

IPC分类号： H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53219 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/927 ,  H01L2924/00

摘要： An interconnect structure and method for an integrated circuit chip for resisting electromigration is described incorporating patterned interconnect layers of Al or Al-Cu and interlayer contact regions or studs of Al₂Cu between patterned interconnect layers. The invention overcomes the problem of electromigration at high current density in the interconnect structure by providing a continuous path for Cu and/or Al atoms to move in the interconnect structure.

公开(公告)号：EP0024572B1

公开(公告)日：1987-06-10

申请号：EP80104532.9

申请日：1980-07-31

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Howard, James Kent ,  White, James Francis

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/53252 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53247 ,  H01L29/47 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP0002731A1

公开(公告)日：1979-07-11

申请号：EP78101669.6

申请日：1978-12-13

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Chu, Wei-Kan ,  Howard, James Kent ,  White, James Francis

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L29/47 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53223 ,  H01L29/66848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

摘要： Bei einer Dünnfilmstruktur für eine Kontaktanordnung, vorzugsweise einen Halbleiterkontakt, wird unterhalb einer aus Aluminium bestehenden Deckschicht (32) eine schädliche Einflüsse vom Aluminium auf die unteren Schichten der Kontaktanordnung verhindernde Zwischenschicht (30) aus Aluminium mit einem hohen Anteil Aluminiumoxid vorgesehen. Unterhalb dieser Zwischenschicht (30) kann je nach Ausführung direkt eine auf dem zugehörigen Substrat liegende Übergangsmetallschicht (28), z. B. aus Tantal, liegen. Vorteilhafterweise wird jedoch unter der genannten Zwischenschicht (30) aus Aluminium mit einem hohen Anteil Aluminiumoxid noch eine weitere Zwischenschicht aus dem jeweiligen Übergangsmetall mit einem hohen Anteil des zugehörigen Oxids gebildet. Je nach der vorherigen Substratbehandlung lassen sich damit in gleich ausgestalteten Verfahrensschritten wahlweise ohmsche und Schottky-Kontakte mit unterschiedlich hohen Schottky-Barrieren erhalten. Ferner ist ein zugehöriges Herstellungsverfahren angegeben.

摘要翻译： 在薄膜结构的接触结构中，优选半导体接触，防止在与氧化铝的比例高由铝制成的接触组件的中间层（30）的较低层的铝制成的有害影响是一个现有的铝层（32）下面。 低于该中间层（30）可以是通过直接关联的基板过渡金属层（28）中，z。B.在躺在是钽。 有利的是，然而，下面所述形成有氧化铝的高比例由铝制成的中间层（30），但各过渡金属的另一中间层具有相关联的氧化物的含量较高。 取决于前面基板处理任选地在欧姆等于设计的方法步骤和肖特基接触因此可以与不同的高的肖特基势垒而获得。 另外，其制造方法被指定。

公开(公告)号：EP0395560A3

公开(公告)日：1991-01-02

申请号：EP90480044.8

申请日：1990-03-13

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Rodbell, Kenneth Parker ,  Totta, Paul Anthony ,  White, James Francis

IPC分类号： H01L23/532

CPC分类号： H01L23/49866 ,  H01L21/4846 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/09 ,  H05K3/16 ,  H05K3/388 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12743 ,  H01L2924/00

摘要： A sputtered low copper concentration multilayered device interconnect metallurgy structure is disclosed herein. The interconnect metallurgy is seen to comprise a four-­layer structure over an interplanar stud connection (10) surrounded by an insulator (8) to make connection to a device substrate (6). The four-layer structure consists of an intermetallic bottom layer (12′) typically 700Å thick and, in a preferred embodiment would comprise TiAl₃. Above is a low percent (

公开(公告)号：EP0395560A2

公开(公告)日：1990-10-31

申请号：EP90480044.8

申请日：1990-03-13

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Rodbell, Kenneth Parker ,  Totta, Paul Anthony ,  White, James Francis

IPC分类号： H01L23/532

CPC分类号： H01L23/49866 ,  H01L21/4846 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/09 ,  H05K3/16 ,  H05K3/388 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12743 ,  H01L2924/00

摘要： A sputtered low copper concentration multilayered device interconnect metallurgy structure is disclosed herein. The interconnect metallurgy is seen to comprise a four-­layer structure over an interplanar stud connection (10) surrounded by an insulator (8) to make connection to a device substrate (6). The four-layer structure consists of an intermetallic bottom layer (12′) typically 700Å thick and, in a preferred embodiment would comprise TiAl₃.
Above is a low percent (

摘要翻译： 本文公开了一种溅射的低铜浓度多层器件互连冶金结构。 互连冶金被认为包括在由绝缘体（8）围绕以便连接到器件衬底（6）的面间螺柱连接（10）上的四层结构。 四层结构由通常为700厚的金属间底层（12分钟）组成，并且在优选实施例中将包括TiAl 3。 以上是低百分比（<2％）重量百分比的铜，铝 - 铜，导体层（14）。 在该方法结束时，该层（14）通常厚度为8500埃，并由99.5％铝和0.5％铜（以下称为铝-0.5％铜）的组合物组成。 在所述导体层（14）之上是与第一金属间层相同的厚度和组成的第二金属间层（16分钟）（12分钟）。 最后，厚度为100埃至500埃的厚度的铝-0.5％铜（或纯铝）的顶层（18）实现了该结构。

公开(公告)号：EP0024572A2

公开(公告)日：1981-03-11

申请号：EP80104532.9

申请日：1980-07-31

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Howard, James Kent ,  White, James Francis

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/53252 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53247 ,  H01L29/47 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Elektrisch leitender Kontakt- oder Metallisierungsaufbau für integrierte Schaltungen unter Verwendung von Sperrschichten (8) aus TiW und ausgewählten Übergangsmetallen zwischen Gold (10) und einem Siliciumsubstrat (1), wobei das Übergangsmetall (9) eine zusätzliche Sperrschicht oder eine Schicht einer aus dem Übergangsmetall und Gold gebildeten intermetallischen Verbindung enthält. Ferner ist die Verwendung einer Platinsilicidschicht (7) zwischen TiW-Schicht (8) und Silicium (1) zur Bildung von Schottky-Sperrschichtkontakten (4) erwähnt.

摘要翻译： 导电接触或金属化结构用于使用的TiW的势垒层（8）和集成电路的金（10）中选择的过渡金属和硅衬底（1），其中所述过渡金属（9）的额外的屏障层或的来自过渡金属的层和 含有由金形成的金属间化合物。 此外，用于形成肖特基势垒接触使用在TiW层（8）和硅（1）之间的硅化铂（7）根据（4）被提及。

公开(公告)号：EP0395560B1

公开(公告)日：1994-11-17

申请号：EP90480044.8

申请日：1990-03-13

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Rodbell, Kenneth Parker ,  Totta, Paul Anthony ,  White, James Francis

IPC分类号： H01L23/532

CPC分类号： H01L23/49866 ,  H01L21/4846 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/09 ,  H05K3/16 ,  H05K3/388 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12743 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP0019781B1

公开(公告)日：1987-01-28

申请号：EP80102577.6

申请日：1980-05-09

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Rothman, Laura Beth ,  Totta, Paul Anthony ,  White, James Francis

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L29/66848 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/4855 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  Y10S438/951 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP0019781A3

公开(公告)日：1983-08-03

申请号：EP80102577

申请日：1980-05-09

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Rothman, Laura Beth ,  Totta, Paul Anthony ,  White, James Francis

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/285 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L29/66848 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/4855 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  Y10S438/951 ,  H01L2924/00

摘要： On a substrate blanket coatings of a metal thin film (5) and an organic polymer (6) are auccessively deposited. A pattern of openings (10) is formed through polymer (6). A blanket layer of matter (11) is deposited in the presence of which thin film (5) and polymer (6) are removable selectively. Polymer (6) is dissolved where the layers thereon are lifted off. The exposed portions of thin film (5) are removed. Owing to being protected by metal thin film (5) during the lift-off process the substrate is not contaminated in the application of the method especially if dry-etching is used. The method is employed effectively in semiconductor processing and can be used to fabricate Schottky barrier diodes and/or the metallization for integrated circuits on silicon wafers (1) containing semiconductor devices.

公开(公告)号：EP0009098B1

公开(公告)日：1983-06-01

申请号：EP79102719.6

申请日：1979-07-31

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Howard, James Kent ,  Turene, Frank Edward ,  White, James Francis

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/28537 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  Y10S148/139