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    Integrated circuit with moisture sensor and method of manufacturing such an integrated circuit
    2.
    发明授权
    Integrated circuit with moisture sensor and method of manufacturing such an integrated circuit 有权
    集成电路与水分传感器以及制造这种集成电路的方法

    公开(公告)号：EP2527824B1

    公开(公告)日：2016-05-04

    申请号：EP11167866.0

    申请日：2011-05-27

    申请人： ams international AG

    发明人： Daamen, Roel ,  Juffermans, Casper ,  Guelen, Josephus Franciscus Antonius Maria ,  Wolters, Robertus

    IPC分类号： G01N27/22 ,  G01R31/28

    CPC分类号： G01N27/223 ,  G01R31/2881 ,  G01R31/2884

    摘要： Disclosed is an integrated circuit (IC) comprising a substrate (10) carrying a plurality of circuit elements; a metallization stack (12, 14, 16) interconnecting said circuit elements, said metallization stack comprising a patterned upper metallization layer comprising at least one sensor electrode portion (20) and a bond pad portion (22), at least the at least one sensor electrode portion of said patterned upper metallization layer being covered by a moisture barrier film (23); a passivation stack (24, 26, 28) covering the metallization stack, said passivation stack comprising a first trench (32) exposing the at least one sensor electrode portion and a second trench (34) exposing the bond pad portion; said first trench being filled with a sensor active material (36). A method of manufacturing such an IC is also disclosed.

    摘要翻译： 公开的是包括承载的电路元件的多个A基片（10）的集成电路（IC）; 互连上述电路元件的金属化叠层（12，14，16），所述金属化叠层包括图案化的上金属化层，其包括至少一个传感器电极部分（20）和一个键合焊盘部（22），至少所述至少一个传感器 所述覆盖由湿气阻挡膜（23）图案化的上金属化层的电极部分; 覆盖所述金属化叠层钝化叠层（24，26，28），所述钝化叠层包括第一沟槽（32）露出所述至少一个传感器电极部分和暴露所述键合焊盘部分上的第二沟槽（34）; 所述第一沟槽被填充有传感器活性材料（36）。 制造在IC IST盘检验的方法，游离缺失。

    CHIP HAVING STRUCTURES THEREON
    4.
    发明公开
    CHIP HAVING STRUCTURES THEREON 审中-公开
    CHIP MIT AUFGESETZTEN STRUKTUREN

    公开(公告)号：EP3095757A1

    公开(公告)日：2016-11-23

    申请号：EP16169401.3

    申请日：2016-05-12

    申请人： ams International AG

    发明人： Daamen, Roel ,  Bouman, Hendrik ,  Vijayakumar, Kailash

    IPC分类号： B81C1/00 ,  H01L23/64

    CPC分类号： B81C1/00825 ,  B81B7/0016 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/03 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0146 ,  B81C2203/0735 ,  H01L23/642

    摘要： One example discloses a chip, comprising: a substrate (102, 202, 302, 602, 802); a first side of a passivation layer (206, 604, 804) coupled to the substrate (102, 202, 302, 602, 802); a device, having a device height and a cavity, wherein a first device surface is coupled to a second side of the passivation layer (206, 604, 804) which is opposite to the first side of the passivation layer (206, 604, 804); and a set of structures (108, 110, 214, 306, 410, 502, 504, 612, 614, 702, 812) coupled to the second side of the passivation layer (206, 604, 804) and configured to have a structure height greater than or equal to the device height.

    摘要翻译： 一个例子公开了一种芯片，包括：衬底（102,202,302,602,802）; 耦合到所述衬底（102,202,302,602,802）的钝化层（206,604,804）的第一侧; 具有器件高度和空腔的器件，其中第一器件表面耦合到钝化层（206,604,804）的与钝化层（206,604,804）的第一侧相对的第二侧 ）; 以及耦合到钝化层（206,604,804）的第二侧的一组结构（108,110,214,306,410,502,504,612,614,702,812），并且被配置为具有结构 高度大于或等于设备高度。

    GAS SENSOR
    10.
    发明公开
    GAS SENSOR 审中-公开
    气体传感器

    公开(公告)号：EP2930502A1

    公开(公告)日：2015-10-14

    申请号：EP15161506.9

    申请日：2015-03-27

    申请人： ams international AG

    发明人： Humbert, Aurelie ,  Soccol, Dimitri ,  Daamen, Roel ,  Falepin, Annelies

    IPC分类号： G01N27/18 ,  G01N25/18 ,  G01N33/00

    摘要： A thermal conductivity gas sensor includes a sensing element and an amplification material coupled to the sensing element. The amplification material has a target gas dependent thermal diffusivity. The sensing element measures the thermal diffusivity of the amplification material to determine a target gas concentration.

    摘要翻译： 导热性气体传感器包括感测元件和耦合到感测元件的放大材料。 放大材料具有目标气体依赖性热扩散率。 感测元件测量放大材料的热扩散率以确定目标气体浓度。