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公开(公告)号:EP3745483B1
公开(公告)日:2024-07-31
申请号:EP20175836.4
申请日:2020-05-20
CPC分类号: H10B63/82 , H10B63/30 , H10N70/8413 , H10N70/231 , H10N70/011 , H10N70/826 , H10B63/10
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公开(公告)号:EP3136429B1
公开(公告)日:2022-02-09
申请号:EP16185745.3
申请日:2016-08-25
IPC分类号: H01L21/8258 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/8238
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公开(公告)号:EP3698442B1
公开(公告)日:2021-09-15
申请号:EP17842359.6
申请日:2017-10-19
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公开(公告)号:EP2750179B1
公开(公告)日:2021-06-16
申请号:EP13198069.0
申请日:2013-12-18
IPC分类号: H01L21/84 , H01L27/12 , H01L27/118 , H03K19/17736 , H01L29/786
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公开(公告)号:EP3435411B1
公开(公告)日:2021-03-24
申请号:EP18185059.5
申请日:2018-07-23
IPC分类号: H01L23/58 , H01L21/768 , H01L23/48
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公开(公告)号:EP3700125A1
公开(公告)日:2020-08-26
申请号:EP20156555.3
申请日:2020-02-11
IPC分类号: H04L9/08
摘要: Le dispositif (DIS) de fonction physiquement non-clonable, comporte un ensemble (ENS) de paires (P) de transistors (OTP1, OTP2) destinés à avoir une même tension de seuil mais présentant chacun une tension de seuil effective (Vteff) appartenant à une distribution aléatoire commune (DST), un moyen de lecture différentielle (LECT) configuré pour mesurer la différence entre les tensions de seuil effectives (Vteff) des paires (P) de transistors (OTP1, OTP2) et pour identifier des paires de transistors dites non fiables (NF) dont la différence entre les tensions de seuil effectives est inférieure à une valeur de marge (MRG), et un moyen d'écriture (ECR) configuré pour décaler la tension de seuil effective (C2, El) d'un transistor de chaque paire non fiable (NF), de façon contrôlée et limitée de sorte que la tension de seuil décalée reste à l'intérieur de ladite distribution aléatoire commune (DST).
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公开(公告)号:EP3690456A1
公开(公告)日:2020-08-05
申请号:EP20154712.2
申请日:2020-01-30
发明人: LECAT-MATHIEU DE BOISSAC, Capucine , ABOUZEID, Fady , GASIOT, Gilles , ROCHE, Philippe , MALHERBE, Victor
IPC分类号: G01R29/02
摘要: La présente description concerne un dispositif (1) comprenant : un premier circuit (11) comportant une première chaine d'étages (113a) identiques définissant des première et deuxième lignes à retard ; un deuxième circuit (14) comportant une deuxième chaine d'étages (113b) identiques aux étages de la première chaine, la deuxième chaine définissant des troisième et quatrième lignes à retard ; et un troisième circuit (13) reliant sélectivement la troisième ligne à retard, la quatrième ligne à retard ou une première entrée (133) du troisième circuit à une même entrée (112) du premier circuit (11).
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公开(公告)号:EP2999001B1
公开(公告)日:2019-09-04
申请号:EP15184982.5
申请日:2015-09-14
申请人: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , STmicroelectronics SA , STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
IPC分类号: H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号:EP3291293B1
公开(公告)日:2019-07-03
申请号:EP17172303.4
申请日:2017-05-22
发明人: PETITDIDIER, Sébastien , HOTELLIER, Nicolas , BIANCHI, Raul Andres , FARCY, Alexis , FROMENT, Benoît
IPC分类号: H01L23/00 , H01L23/58 , H01L23/64 , H01L23/498 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/29 , H01L23/31 , H03K3/3565
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公开(公告)号:EP3142152B1
公开(公告)日:2019-02-20
申请号:EP16188202.2
申请日:2016-09-09
申请人: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives , STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
IPC分类号: H01L29/66 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L29/10 , H01L21/84 , H01L21/8234 , H01L29/786 , H01L29/165 , H01L29/78
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