DISPOSITIF DE FONCTION PHYSIQUEMENT NON-CLONABLE À TRANSISTORS, ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION

    公开(公告)号:EP3700125A1

    公开(公告)日:2020-08-26

    申请号:EP20156555.3

    申请日:2020-02-11

    IPC分类号: H04L9/08

    摘要: Le dispositif (DIS) de fonction physiquement non-clonable, comporte un ensemble (ENS) de paires (P) de transistors (OTP1, OTP2) destinés à avoir une même tension de seuil mais présentant chacun une tension de seuil effective (Vteff) appartenant à une distribution aléatoire commune (DST), un moyen de lecture différentielle (LECT) configuré pour mesurer la différence entre les tensions de seuil effectives (Vteff) des paires (P) de transistors (OTP1, OTP2) et pour identifier des paires de transistors dites non fiables (NF) dont la différence entre les tensions de seuil effectives est inférieure à une valeur de marge (MRG), et un moyen d'écriture (ECR) configuré pour décaler la tension de seuil effective (C2, El) d'un transistor de chaque paire non fiable (NF), de façon contrôlée et limitée de sorte que la tension de seuil décalée reste à l'intérieur de ladite distribution aléatoire commune (DST).