摘要:
A microelectromechanical system (MEMS) device includes a high density getter. The high density getter includes a silicon surface area formed by porosification or by the formation of trenches within a sealed cavity of the device. The silicon surface area includes a deposition of titanium or other gettering material to reduce the amount of gas present in the sealed chamber such that a low pressure chamber is formed. The high density getter is used in bolometers and gyroscopes but is not limited to those devices.
摘要:
Die Erfindung betrifft Vorrichtung (100) zum Reduzieren eines (Partial-)Drucks (p) zumindest einer chemischen Spezies in einer abgeschlossenen Kavität (102). Die Vorrichtung (100) weist einen Getter (106) und einen Heizer (108) auf. Der Getter (106) ist dazu ausgebildet, zumindest einen Anteil der Spezies aus der Kavität (102) aufzunehmen, wenn der Getter (106) innerhalb der Kavität (102) auf eine Temperatur größer einer Aufnahmetemperatur erhitzt wird. Der Heizer (108) ist als chemischer Heizer (108) ausgebildet und thermisch mit dem Getter (106) gekoppelt. Der Heizer (108) ist dazu ausgebildet, durch eine selbsterhaltende exotherme Reaktion den Getter (106) über die Aufnahmetemperatur zu erhitzen, wenn der Heizer (108) mit einer Aktivierungsenergie aktiviert wird.
摘要:
Structure d'encapsulation comportant au moins : - une cavité fermée hermétiquement dans laquelle un micro-dispositif est encapsulé, - un substrat (102) dont une face (115) délimite un côté de la cavité, - au moins deux tranchées (116) formées à travers ladite face du substrat, des volumes intérieurs de chacune des tranchées communiquant entre eux, - des premières portions de matériau getter (112) recouvrant au moins en partie des parois latérales des tranchées sans remplir entièrement les tranchées, et recouvrant complètement les tranchées au niveau de ladite face du substrat, - une ouverture (130) réalisée à travers l'une des premières portions de matériau getter ou à travers le substrat et faisant communiquer les volumes intérieurs des tranchées avec un volume intérieur de la cavité.
摘要:
Procédé d'encapsulation d'au moins un dispositif microélectronique (100), comportant au moins les étapes de : - encapsulation du dispositif microélectronique dans une cavité (104) hermétique vis-à-vis de l'air et dont un capot comporte au moins une paroi (109) perméable à au moins un gaz noble (110), - injection du gaz noble dans la cavité à travers la paroi perméable au gaz noble, - fermeture hermétique de la cavité vis-à-vis de l'air et du gaz noble injecté dans la cavité.
摘要:
A movable device (11) of acceleration sensors (11, 21) and a vibration device (12) of a gyroscope (12, 22) are formed on the same sensor wafer (10) spaced apart from each other by a wall (16). A cap wafer (20) having gaps (21, 22) corresponding to the movable mechanical components (11, 12) of the acceleration sensors and gyroscope is provided for the wafer (10) and an adsorbent (24) divided into a plurality of divisional portions is disposed in the gap (22) for the gyroscope (12, 22). After the sensor wafer (10) and the cap wafer (20) have been bonded together at a temperature of inactivation of the adsorbent (24) and in an atmospheric pressure ambience of noble gas and activated gas, the adsorbent divisional portions are activated in sequence to adsorb the activated gas so as to adjust the pressure inside the gyroscope (12, 22), thus manufacturing a combined sensor wafer (10, 20).
摘要:
Procédé de traitement d'un matériau getter (104), comportant au moins une étape d'oxydation et/ou de nitruration du matériau getter mise en oeuvre sous atmosphère sèche de dioxygène et/ou de diazote à une pression supérieure à environ 10 -2 mbar et à une température comprise entre environ 50°C et 120°C et pendant une durée comprise entre environ 1 minute et 10 minutes, formant une couche de protection (106) à base d'oxyde et/ou de nitrure du matériau getter.