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    METHOD FOR HERMETICALLY SEALING WITH REDUCED STRESS
    3.
    发明授权
    METHOD FOR HERMETICALLY SEALING WITH REDUCED STRESS 有权
    用降低应力密封的方法

    公开(公告)号：EP3019440B1

    公开(公告)日：2017-08-30

    申请号：EP14736410.3

    申请日：2014-07-09

    申请人： Melexis Technologies NV

    发明人： VAN DER WIEL, Appolonius Jacobus

    IPC分类号： B81B7/00

    CPC分类号： B81B7/0038 ,  B81B7/0051 ,  B81C1/00285 ,  B81C2203/0145 ,  H01L2924/16235

    摘要： An electronic device comprising a first substrate having a device area, a first sealing element comprising an anelastic material and a second sealing element being a metal. The first sealing means and the second sealing means are arranged such that the inner side or the outer side of the sealing is completely formed by the second sealing element providing hermiticity and the other side is substantially formed by the first sealing element providing a flexible sealing.

    摘要翻译： 一种电子器件，包括具有器件区域的第一衬底，包含非弹性材料的第一密封元件和为金属的第二密封元件。 第一密封装置和第二密封装置布置成使得密封件的内侧或外侧完全由提供密封性的第二密封元件形成，并且另一侧基本由提供柔性密封的第一密封元件形成。

    Structure d'encapsulation de dispositif électronique et procédé de réalisation d'une telle structure
    8.
    发明公开
    Structure d'encapsulation de dispositif électronique et procédé de réalisation d'une telle structure 有权
    Einkapselungsstruktur einer elektronischen Vorrichtung und Herstellungsverfahren einer solchen Struktur

    公开(公告)号：EP2581339A2

    公开(公告)日：2013-04-17

    申请号：EP12187748.4

    申请日：2012-10-09

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： Pronin, Jean-Louis ,  Dumont, Geoffroy

    IPC分类号： B81C1/00

    CPC分类号： B81C1/00285 ,  B81C2203/0145

    摘要： Structure d'encapsulation (100) d'au moins un dispositif électronique (102), comportant au moins une première cavité (106) délimitée par un support (104) et au moins un capot (108) disposé sur le support et dans laquelle est encapsulé le dispositif électronique, le capot étant traversé par au moins une ouverture (110) faisant communiquer l'intérieur de la première cavité avec au moins une portion de matériau getter (112) disposée dans au moins une deuxième cavité (115), la deuxième cavité étant disposée sur le support et adjacente à la première cavité, au moins une partie de ladite portion de matériau getter étant disposée sur le support et/ou contre au moins une paroi latérale extérieure de la première cavité, la première cavité et la deuxième cavité formant ensemble un volume fermé hermétiquement.

    摘要翻译： 结构（200）具有由支撑件（104）（即半导体晶片）和盖（208）限定的第一空腔（206）。 孔（210）穿过盖并将第一腔体的内部与设置在第二空腔（215）中的吸气剂材料（218d）的一部分连通。 第二腔被布置在支撑件上并与第一腔相邻放置。 吸气材料部分的一部分设置在支撑件上或者抵靠第一腔体的外侧壁上。 第一腔和第二腔一起形成密封的体积。 还包括用于制造用于封装电子设备的结构的方法的独立权利要求。

    Procédé d'hybridation flip-chip pour la formation de cavites hermétiques et systèmes obtenus par un tel procédé
    9.
    发明公开
    Procédé d'hybridation flip-chip pour la formation de cavites hermétiques et systèmes obtenus par un tel procédé 有权
    倒装芯片杂交方法用于气密密封的空腔的形成，和由该方法实现的系统

    公开(公告)号：EP2571045A2

    公开(公告)日：2013-03-20

    申请号：EP12173326.5

    申请日：2012-06-25

    申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

    发明人： Marion, François

    IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/24 ,  H01L23/043 ,  H01L23/053 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98 ,  H01L25/065

    CPC分类号： H01L21/563 ,  B81C1/00293 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0145 ,  H01L21/56 ,  H01L23/043 ,  H01L23/053 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

    摘要： Ce procédé pour la fabrication d'un ensemble microélectronique comprenant au moins un premier et un second composants reportés l'un sur l'autre et entre lesquels est réalisée au moins une cavité hermétique noyée dans un matériau de remplissage, consiste :
    à définir ladite cavité au moyen d'une paroi latérale (14) constituant un cadre fermé s'étendant autour d'une zone déterminée du premier composant à l'exception d'une ouverture faisant fonction d'évent (18) ;
    à ménager au sein du cadre fermé et en regard de l'évent un obstacle (16) apte à constituer en coopération avec la paroi latérale une canalisation ou conduite de dérivation (22) du matériau de remplissage ;
    à hybrider face contre face les premier et second composants, une face du second composant reposant sur l'extrémité ou bord supérieur de la paroi latérale formée sur le premier composant de manière à former ladite au moins une cavité ;
    à injecter le matériau de remplissage sous forme liquide entre les deux composants hybridés de manière à noyer ladite au moins une cavité et à rendre celle-ci hermétique par obstruction de l'évent (18) en suite de la solidification dudit matériau de remplissage.
    La longueur de la canalisation ou conduite de dérivation (22) est supérieure à la distance parcourue par le matériau de remplissage entre le moment de la présentation de ce dernier au niveau de l'évent (18) et le moment de la solidification du matériau de remplissage.

    摘要翻译： 该方法涉及在另一个组件上的顶部放置两个微电子元件（10，24）。 执行部件的倒装芯片杂交。 液体形式的填充材料（28）杂交的部件之间注入嵌入一个空腔（26），并通过通风孔的阻塞（18，20），以使所述腔中紧密作为填充材料固化，旁路的其中长度 管道（22）比当填充材料固化由呈现之间的材料在通风口和扭矩的水平移动的距离越大。 因此独立claimsoft包括用于微电子组件。

    Process for manufacturing a membrane microelectromechanical device and membrane microelectromechanical device
    10.
    发明公开
    Process for manufacturing a membrane microelectromechanical device and membrane microelectromechanical device 有权
    Verfahren zur Herstellung einer mikroelektromechanischen Membranvorrichtung und mikroelektromechanische Membranvorrichtung

    公开(公告)号：EP2500313A1

    公开(公告)日：2012-09-19

    申请号：EP12160022.5

    申请日：2012-03-17

    申请人： STMicroelectronics Srl

    发明人： Corona, Pietro ,  Ferrera, Marco ,  Varisco, Igor ,  Campedelli, Roberto

    IPC分类号： B81C1/00 ,  G01L9/00

    CPC分类号： B81C1/00158 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00293 ,  B81C2203/0145 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073

    摘要： A process for manufacturing a microelectromechanical device envisages: forming a semiconductor structural layer (3) separated from a substrate (2) by a dielectric layer (4), and opening trenches (10) through the structural layer (3), as far as the dielectric layer (4). Sacrificial portion (4a) of the dielectric layer (4) are selectively removed through the trenches (10) in membrane regions (M) so as to free a corresponding portion of the structural layer (3) that forms a membrane (11). To close the trenches (10), the wafer (1) is brought to an annealing temperature for a time interval in such a way as to cause migration of the atoms of the membrane (11) so as to reach a minimum energy configuration.

    摘要翻译： 微机电装置的制造方法设想：通过介电层（4）形成与基板（2）分离的半导体结构层（3），通过结构层（3）形成开口沟槽（10），只要 电介质层（4）。 电介质层（4）的牺牲部分（4a）通过膜区域（M）中的沟槽（10）被选择性地去除，以便释放形成膜（11）的结构层（3）的相应部分。 为了封闭沟槽（10），使得晶片（1）以使得膜（11）的原子迁移以达到最小能量构型的方式达到退火温度一段时间间隔。