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    MEMS DEVICE HAVING A GETTER
    1.
    发明公开
    MEMS DEVICE HAVING A GETTER 有权
    MEMS-VORRICHTUNG MIT EINEM GETTER

    公开(公告)号：EP2973685A4

    公开(公告)日：2016-10-12

    申请号：EP14774321

    申请日：2014-03-13

    申请人： BOSCH GMBH ROBERT

    发明人： SAMARAO ASHWIN ,  O'BRIEN GARY ,  FEYH ANDO ,  YAMA GARY ,  GRAHAM ANDREW ,  KIM BONGSANG ,  PURKL FABIAN

    IPC分类号： H01L23/12 ,  B81B7/02 ,  H01L21/322

    CPC分类号： B81C1/00285 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3225 ,  H01L23/28

    摘要： A microelectromechanical system (MEMS) device includes a high density getter. The high density getter includes a silicon surface area formed by porosification or by the formation of trenches within a sealed cavity of the device. The silicon surface area includes a deposition of titanium or other gettering material to reduce the amount of gas present in the sealed chamber such that a low pressure chamber is formed. The high density getter is used in bolometers and gyroscopes but is not limited to those devices.

    摘要翻译： 微机电系统（MEMS）装置包括高密度吸气剂。 高密度吸气剂包括通过孔化形成的硅表面积或者通过在器件的密封空腔内形成沟槽。 硅表面积包括钛或其它吸气材料的沉积物以减少存在于密封室中的气体的量，从而形成低压室。 高密度吸气剂用于测辐射热计和陀螺仪，但不限于这些设备。

    METHOD FOR OBTAINING A THIN LAYER BY IMPLEMENTING CO-IMPLANTATION AND SUBSEQUENT IMPLANTATION
    2.
    发明公开
    METHOD FOR OBTAINING A THIN LAYER BY IMPLEMENTING CO-IMPLANTATION AND SUBSEQUENT IMPLANTATION 审中-公开
    程序，用于获得由IMPLEMENIEREN COIMPLANTATION和随后植入薄层

    公开(公告)号：EP1792339A1

    公开(公告)日：2007-06-06

    申请号：EP04787559.6

    申请日：2004-09-21

    申请人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies

    发明人： AKATSU, Takeshi

    IPC分类号： H01L21/762

    CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3223

    摘要： The invention proposes a method for transferring a thin layer of semiconductor material on a substrate by the SMARTCUTTM type process, the method being characterized in that the implantation step comprises: a first implantation operation consisting in carrying out an implantation of species so as to create said embrittlement zone at a first depth in the thickness of the donor substrate; a second implantation operation consisting in carrying out an implantation of species according to second implantation conditions chosen to create: - at a second depth different from said first depth so as not to affect the detachment that has to take place at the level of the embrittlement zone at said first depth, gettering region preventing the diffusion of species implanted during said first implantation operation towards said face of the donor substrate under which implantation is carried out, thus limiting blisters formation.

    Méthode de protection d'une puce de circuit intégré contre une analyse par attaques laser
    6.
    发明公开
    Méthode de protection d'une puce de circuit intégré contre une analyse par attaques laser 有权
    对于通过激光照射在分析之前保护的集成电路芯片的方法。

    公开(公告)号：EP2306518A1

    公开(公告)日：2011-04-06

    申请号：EP10186459.3

    申请日：2010-10-04

    申请人： STMicroelectronics (Rousset) SAS

    发明人： Fornara, Pascal ,  Marinet, Fabrice

    IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L27/02

    CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/3223 ,  H01L23/573 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： L'invention concerne un procédé de protection contre des attaques laser d'une puce de circuit intégré (21) formée dans et sur un substrat semiconducteur (3) et comprenant dans la partie supérieure du substrat une partie active (5) dans laquelle sont formés des composants, ce procédé comportant les étapes suivantes : former dans le substrat une zone (23) de piégeage d'impuretés s'étendant sous la partie active (5), la limite supérieure de ladite zone étant à une profondeur comprise entre 5 et 50 µm de la face supérieure du substrat ; et introduire dans le substrat des impuretés métalliques diffusantes.

    摘要翻译： 基板的方法包括在形成杂质通过引入惰性气体中的半导体（3）捕获区域（23）延伸到下面活性部分（5），即 氦，在半导体，其中在截留区的上限是在一个深度范围从5至50微米，从在所述半导体衬底的上表面上的衬底。 杂质扩散金属与浓度10power17和每立方厘米之间10power18原子测距，被引入在半导体衬底，其中所述的杂质被保留在截留区。 截留区被氧沉淀形成的。 金属杂质包含铁原子。 因此独立claimsoft被包括用于在集成电路芯片，包括有源部分。

    SOI-Scheibe
    7.
    发明公开
    SOI-Scheibe 有权
    SOI-沙伊贝

    公开(公告)号：EP1626440A1

    公开(公告)日：2006-02-15

    申请号：EP05021844.5

    申请日：2002-06-27

    申请人： Siltronic AG

    发明人： Murphy, Brian ,  Wahlich, Reinhold ,  Schmolke, Rüdiger, Dr. ,  Ammon von, Wilfried, Dr. ,  Moreland, James, Dr.

    IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/3223 ,  H01L21/76251

    摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine SOI-Scheibe, bestehend aus einer Trägerscheibe und einer dünnen Siliciumschicht, dadurch gekennzeichnet, dass die dünne Siliciumschicht eine Dicke von 50 nm oder weniger, eine Dickenvariation von 5 % oder weniger und eine HF-Defekt-Dichte von weniger als 0,1/cm 2 aufweist.

    摘要翻译： 半导体膜或层通过以下方式制造：在半导体材料表面上产生具有规定几何形状的重复凹部（2）的结构; 热处理直到具有周期性重复的中空室（3）的层形成在材料表面上的封闭层（4）下方; 以及沿着所述中空室的层与所述材料的其余部分分离所述表面上的所述封闭层。 优选特征：半导体材料由硅，硅锗，砷化镓，碳化硅或磷化铟制成，优选用异物掺杂。 半导体材料是单晶的。