公开(公告)号：EP2657962A1

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：EP13275090.2

申请日：2013-04-16

申请人： Napra Co., Ltd.

发明人： Sekine, Shigenobu ,  Sekine, Yurina

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/485 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/40 ,  H01L33/62 ,  H01B1/22

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01B1/22 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/563 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49883 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0682 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0341 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05205 ,  H01L2224/05209 ,  H01L2224/05211 ,  H01L2224/05213 ,  H01L2224/05318 ,  H01L2224/05324 ,  H01L2224/05338 ,  H01L2224/05339 ,  H01L2224/05344 ,  H01L2224/05347 ,  H01L2224/05355 ,  H01L2224/0536 ,  H01L2224/05366 ,  H01L2224/05369 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81375 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81505 ,  H01L2224/81509 ,  H01L2224/81511 ,  H01L2224/81513 ,  H01L2224/81618 ,  H01L2224/81624 ,  H01L2224/81638 ,  H01L2224/81639 ,  H01L2224/81644 ,  H01L2224/81647 ,  H01L2224/81655 ,  H01L2224/8166 ,  H01L2224/81666 ,  H01L2224/81669 ,  H01L2224/831 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0066 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： An electronic device includes a substrate (11, 14B) and an electronic component (141-146, 14A, 14C, 140). The substrate (11, 14B) has a metallization trace (12, 12n, 12p). The metallization trace (12, 12n, 12p) has a metallization layer (121, 121n, 121p) and a synthetic resin layer (122, 122n, 122p). The metallization layer (121, 121n, 121p) has a high-melting-point metallic component (124) and a low-melting-point metallic component (123). The high-melting-point metallic component (124) and the low-melting-point metallic component (123) are diffusion bonded together and adhered to a surface of the substrate (11, 14B). The synthetic resin layer (122, 122n, 122p) is formed simultaneously with the metallization layer (121, 121n, 121p) to cover a surface of the metallization layer (121, 121n, 121p) with a thickness in the range of 5 nm to 1000 nm, preferably 5 nm to 500 nm. The electronic component (141-146, 14A, 14C, 140) is electrically connected to the metallization layer (121, 121n, 121p). The high-melting-point metallic particles (124) and the low-melting-point metallic particles (123) may have a nanocomposite structure.

摘要翻译： 一种电子装置，包括：基板（11，14B）和电子部件（141-146，14A，14C，140）。 基板（11，14B）具有金属化迹线（12，12N，12P）。 金属化迹线（12，12N，12P）具有的金属化层（121，121N，121P）和合成树脂层（122，122n的，122P）。 金属化层（121，121N，121P）具有高融点金属成分（124）和低融点金属成分（123）。 高融点金属成分（124）和低融点金属成分（123）是扩散粘合在一起并且粘附到基片的一个表面（11，14B）。 的合成树脂层（122，122n的，122P）与金属化层（121，121N，121P）同时形成以覆盖所述金属化层（121，121N，121P）的表面，其厚度为5nm到范围 1000nm，优选为5nm至500nm。所述的电子组件（141-146，14A，14C，140）电连接至所述金属化层（121，121N，121P）。 高融点金属颗粒（124）和低融点金属颗粒（123）可具有纳米复合结构。