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    SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
    2.
    发明公开
    SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME 审中-公开
    HERSBLEITERLASERELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHRENDAFÜR

    公开(公告)号：EP2642621A1

    公开(公告)日：2013-09-25

    申请号：EP11840902.8

    申请日：2011-11-11

    申请人： Sony Corporation

    发明人： TANGE, Takashi ,  TOMIYA, Shigetaka

    IPC分类号： H01S5/028 ,  H01S5/323

    CPC分类号： H01S5/0282 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/028 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343

    摘要： The present invention relates to a semiconductor laser device capable of reliably suppressing degradation of an end face due to interface oxidation and distortion application, and to a manufacturing method of the same.
    The semiconductor laser device has a laser structure portion 107 having opposite resonator faces 108 and 109, and protecting films 110 and 120 formed on at least one of the opposite resonator end faces, wherein the protecting films 110 and 120 are formed of nitride dielectric films having a multistage structure including amorphous layers 111 and 121 and polycrystal layers 112 and 122 in crystal structure, respectively, from a side in contact with the resonator faces.

    摘要翻译： 本发明涉及能够可靠地抑制由于界面氧化和变形应用引起的端面劣化的半导体激光器件及其制造方法。 半导体激光器件具有激光结构部分107，其具有相对的谐振器面108和109，以及形成在至少一个相对的谐振器端面上的保护膜110和120，其中保护膜110和120由氮化物绝缘膜形成， 分别从与谐振器面接触的一侧分别包括晶体结构的非晶层111和121以及多晶层112和122的多级结构。

    Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing same
    6.
    发明公开
    Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing same 审中-公开
    氮化物半导体激光元件及其制造方法

    公开(公告)号：EP2416460A2

    公开(公告)日：2012-02-08

    申请号：EP11176617.6

    申请日：2011-08-04

    申请人： Nichia Corporation

    发明人： Morizumi, Tomonori

    IPC分类号： H01S5/028 ,  H01S5/323

    CPC分类号： H01S5/32341 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/0282 ,  H01S2301/176

    摘要： A nitride semiconductor laser element has a ridge (24) formed on the top face (20) of a nitride semiconductor layer (20). Cavity planes (25a,25b) are formed at the ends of a waveguide region (26) provided beneath the ridge. Insulating film (30) is formed on the side faces of the ridge (24) an on the top face of the nitride semiconductor layer (20) such that its ends on the cavity plane side are spaced from cavity planes. End face protective films (70a,70b) made of AIGaN are formed on the cavity planes, a part of the upper face of the nitride semiconductor layer (20) and a part of the surface of insulating film (30), whereby a first region contacting the insulating film has a crystallinity different from a second region contacting semiconductor layer (20). Degradation of the cavity plane can be suppressed.

    摘要翻译： 氮化物半导体激光器元件具有形成在氮化物半导体层（20）的顶面（20）上的脊（24）。 空腔平面（25a，25b）形成在脊下方的波导区（26）的端部。 在氮化物半导体层（20）的顶面上的脊（24）和侧面上形成绝缘膜（30），使得其在腔平面侧的端部与腔平面隔开。 在空腔平面上，氮化物半导体层（20）的上表面的一部分和绝缘膜（30）的表面的一部分上形成由AlGaN制成的端面保护膜（70a，70b），由此形成第一区域 接触绝缘膜具有与接触半导体层（20）的第二区域不同的结晶度。 可以抑制腔平面的退化。

    Hochleistungs-Diodenlaser und Verfahren zum Herstellen eines Hochleistung-Diodenlasers
    7.
    发明公开
    Hochleistungs-Diodenlaser und Verfahren zum Herstellen eines Hochleistung-Diodenlasers 审中-公开

    公开(公告)号：EP2290766A2

    公开(公告)日：2011-03-02

    申请号：EP10173278.2

    申请日：2010-08-18

    申请人： m2k-laser GmbH

    发明人： Kelemen, Marc ,  Moritz, Rudolf ,  Gilly, Jürgen ,  Friedmann, Patrick

    IPC分类号： H01S5/028 ,  H01S5/02 ,  H01S5/00

    CPC分类号： H01S5/0021 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0283

    摘要： Bei einem Hochleistungs-Diodenlaser enthalten einander gegenüberliegenden Facetten (26,28) jeweils ein aus Silicium und Kohlenstoff zusammengesetztes amorphes Schichtsystem, das die Funktion sowohl einer Passivierungsschicht (22) als auch der die Reflexion bestimmenden Funktionsschichten (24) übernimmt. Durch diese Maßnahme ist es möglich, einen Hochleistungs-Diodenlaser mit hoher COD-Schwelle bei zugleich hoher Standzeit mit einem vereinfachten Verfahren herzustellen.

    摘要翻译： 二极管激光器具有彼此相对布置的刻面，其中小面由由硅和碳组成的非晶层系统（26,28）制成。 非晶层系统执行钝化层（22）的功能和反射确定功能层（24）的功能。 通过等离子体增强化学气相沉积工艺或使用诸如甲烷和硅烷的工艺气体的热化学气相沉积工艺沉积非晶层系统。 钝化层用作扩散阻挡层。 还包括用于制造大功率二极管激光器的方法的独立权利要求。

    LASER FACET PASSIVATION
    8.
    发明公开
    LASER FACET PASSIVATION 审中-公开
    激光表面钝化

    公开(公告)号：EP1866955A2

    公开(公告)日：2007-12-19

    申请号：EP06739683.8

    申请日：2006-03-27

    申请人： Trumpf Photonics, Inc.

    发明人： CHARACHE, Greg ,  HOSTETLER, John ,  JIANG, Ching-Long ,  MENNA, Raymond, J. ,  RADIONOVA, Radosveta ,  ROFF, Robert, W. ,  SCHLÜTER, Holger

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/16 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/4031

    摘要： Methods of preparing front and back facets of a diode laser include controlling an atmosphere within a first chamber, such that an oxygen content and a water vapor content are controlled to within predetermined levels and cleaving the diode laser from a wafer within the controlled atmosphere of the first chamber to form a native oxide layer having a predetermined thickness on the front and back facets of the diode laser. After cleavage, the diode laser is transported from the first chamber to a second chamber within a controlled atmosphere, the native oxide layer on the front and back facets of the diode laser is partially removed, an amorphous surface layer is formed on the front and back facets of the diode laser, and the front and back facets of the diode laser are passivated.

    摘要翻译： 准备二极管激光器的前面和后面的方法包括控制第一腔室内的气氛，使得氧气含量和水蒸汽含量被控制在预定水平内并且在第二腔室的受控气氛内将晶体管切割成二极管激光器 第一室以在二极管激光器的前面和后面上形成具有预定厚度的原生氧化物层。 在分裂之后，二极管激光器从受控气氛中的第一腔室被输送到第二腔室，二极管激光器的前后刻面上的自然氧化物层被部分去除，非晶表面层形成在前面和后面 二极管激光器的小面以及二极管激光器的前面和后面被钝化。

    VERFAHREN ZUR PASSIVIERUNG DER SPIEGELFLÄCHEN VON OPTISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN
    10.
    发明授权
    VERFAHREN ZUR PASSIVIERUNG DER SPIEGELFLÄCHEN VON OPTISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN 有权
    光学半导体元件的方法钝化镜面

    公开(公告)号：EP1514335B1

    公开(公告)日：2006-09-13

    申请号：EP03727457.8

    申请日：2003-05-08

    申请人： Forschungsverbund Berlin e.V.

    发明人： RESSEL, Peter ,  Dr. ERBERT, Götz

    IPC分类号： H01S5/028

    CPC分类号： H01S5/028 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/0282

    摘要： The aim of the invention is to simplify known passivation methods. According to said method, the semi-conductor elements are heated and cleaned in a high vacuum with a gaseous, reactive low-energy medium. A closed, insulating or slightly conductive, transparent protective layer is applied in-situ, said layer being inert in relation to the material on the mirror-type surface and the remaining components of a natural oxide. In a preferred embodiment, the optical semi-conductor element is a GaAs-based semi-conductor laser, the reactive and low-energy medium is an atomic hydrogen and the protective layer is made of ZnSe.