公开(公告)号：JP2021081393A

公开(公告)日：2021-05-27

申请号：JP2019211702

申请日：2019-11-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 長江 智毅 ,  近藤 好正 ,  小木曽 裕佑 ,  上西 克尚 ,  渡辺 篤 ,  小泉 文人

IPC: G01N27/416 ,  G01N27/407

Abstract: 【課題】センサ素子の素子本体の耐被水性を向上させる。 【解決手段】センサ素子は、被測定ガス流通部9が内部に設けられた長尺な直方体形状の素子本体102と、被測定ガス流通部9の内周面上に配設された測定電極と、素子本体102の第1〜第5面102a〜102eを覆う多孔質の保護層84と、を備える。素子本体102の一部であり被測定ガス流通部9から第1〜第5面102a〜102eの各々までの部分に存在する外壁105の中で最も薄い第5外壁105eを最薄外壁とし、最薄外壁に対応する第5面102eを最接近面として、保護層84のうち最接近面を覆う第5保護層84eは、最接近面に垂直な方向から見たときに最薄外壁全体と重複している。第5保護層84eは、最接近面に垂直な方向から見たときに最薄外壁の80%以上と重複している第5内部空間90eを有している。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP6876635B2

公开(公告)日：2021-05-26

申请号：JP2018002151

申请日：2018-01-10

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  エヌジーケイ・アドレック株式会社

Inventor： 古宮山 常夫 ,  水野 貴博 ,  松葉 浩臣

IPC: F27D3/12 ,  C04B35/64 ,  C04B41/89 ,  C04B35/565

公开(公告)号：JP6873220B2

公开(公告)日：2021-05-19

申请号：JP2019227945

申请日：2019-12-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡邉 悠介 ,  村瀬 隆生 ,  安居 将司

IPC: G01N27/41 ,  G01N27/416 ,  G01N27/409

公开(公告)号：JP6873178B2

公开(公告)日：2021-05-19

申请号：JP2019058056

申请日：2019-03-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： ▲のぼり▼ 和宏 ,  木村 拓二

IPC: H05B3/74 ,  H05B3/03 ,  H01L21/02

公开(公告)号：JP2021073477A

公开(公告)日：2021-05-13

申请号：JP2021023313

申请日：2021-02-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 中山 裕葵 ,  蔭山 翔太 ,  藤井 雄介 ,  小坂 圭

IPC: G01N27/416 ,  G01N27/409

Abstract: 【課題】水分が多孔質層を介してコネクタ電極に到達するのを抑制する。 【解決手段】センサ素子20は、素子本体60と、検出部と、上側コネクタ電極71と、上側コネクタ電極71が配設された第1面60aのうち少なくとも前端側を被覆し且つ気孔率が10%以上の多孔質層80と、第1水侵入抑制部91と、を備えている。第1水侵入抑制部91は、多孔質層80を素子本体60の長手方向に沿って分割するか又は多孔質層80よりも後端側に位置するように第1面60aに配設され、上側コネクタ電極71よりも前端側に位置し、長手方向の長さLが0.5mm以上である。第1水侵入抑制部91は、第1面60aを被覆し且つ気孔率が10%未満の第1緻密層92と第1緻密層92に隣接し且つ多孔質層80が存在しない第1隙間領域93とのうち少なくとも第1緻密層92を有し、長手方向に沿った水の毛細管現象を抑制する。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP6868737B2

公开(公告)日：2021-05-12

申请号：JP2020150300

申请日：2020-09-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 水木 一博 ,  藤崎 真司 ,  大森 誠

IPC: B28B7/10 ,  B28B7/16

公开(公告)号：JP6868002B2

公开(公告)日：2021-05-12

申请号：JP2018508809

申请日：2017-02-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 萩尾 健史 ,  宮原 誠 ,  柴田 宏之 ,  市川 真紀子

IPC: C01B39/02 ,  C01B39/04 ,  C01B39/48

公开(公告)号：JPWO2020217564A1

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：JP2019035514

申请日：2019-09-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡邊 守道 ,  福井 宏史

IPC: C30B25/14 ,  C23C16/40 ,  C30B29/16

Abstract: 結晶欠陥が著しく少ないα−Ga 2 O 3 系半導体膜が提供される。この半導体膜は、α−Ga 2 O 3 、又はα−Ga 2 O 3 系固溶体で構成されるコランダム型結晶構造を有し、半導体膜の少なくとも一方の表面における(104)面のX線ロッキングカーブ半値幅が500arcsec以下である。

公开(公告)号：JPWO2019207958A1

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：JP2019008338

申请日：2019-03-04

Applicant: 国立大学法人東海国立大学機構 ,  日本碍子株式会社

Inventor： 秦 誠一 ,  櫻井 淳平 ,  平井 友喜 ,  辻 裕之 ,  赤尾 隆嘉 ,  長江 智毅 ,  高橋 知典

IPC: H05H1/24 ,  H05H3/02

Abstract: 原子線発生装置10は、原子線を放出可能な照射口23が設けられた放出面22を有する筐体である陰極20と、陰極20の内部に配設され、陰極20との間でプラズマを発生させる陽極40と、第1磁場B1を発生させる第1磁場発生部61と第2磁場B2を発生させる第2磁場発生部62とを有し、放出面22側から第1磁場を第2磁場よりも上にして見たときの磁場の向きが第1磁場では左向きで第2磁場では右向きとなるように放出面22に平行な第1磁場及び第2磁場を陰極20内に発生させて、陰極20内で生成した陽イオンを放出面に導く磁場発生部61,62と、を備えている。

公开(公告)号：JP2021068639A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：JP2019194209

申请日：2019-10-25

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 池戸 佑衣 ,  田中 裕己 ,  龍 崇 ,  大森 誠

IPC: H01M8/2484 ,  C04B37/02 ,  H01M8/2485

Abstract: 【課題】金属部材に対する接合材の剥離を抑制する。 【解決手段】接合体は、電気化学セル10と、金属部材231と、接合材12とを備える。金属部材231は、酸化被膜25を有する。接合材12は、電気化学セル10と金属部材231とを接合する。接合材12は、第1接合部121と第2接合部122とを有する。第1接合部121は、電気化学セル10に接合する。第2接合部122は、金属部材231に接合する。第2接合部122は、酸化被膜25内に拡散可能な拡散元素を含む。第1接合部121における拡散元素の含有率は、第2接合部122における拡散元素の含有率よりも低い。 【選択図】図9