公开(公告)号：JP6210800B2

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：JP2013180900

申请日：2013-09-02

Applicant: エルジー イノテック カンパニー リミテッド

Inventor： ジョン,ホワンヒ

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L27/153 ,  H01L2224/48091 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/385 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62

公开(公告)号：JP2017108129A

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：JP2016231083

申请日：2016-11-29

Applicant: 隆達電子股▲ふん▼有限公司

Inventor： 林 欣穎 ,  王 宏嘉 ,  湯 安慈 ,  劉 如熹 ,  蔡 宗良 ,  李 育群 ,  陳 靜儀 ,  童 鴻鈞

IPC: C09K11/66 ,  C09K11/08 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/502 ,  C09K11/665 ,  H01L33/38 ,  H01L33/507 ,  H01L33/60 ,  B82Y20/00 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L27/153 ,  H01L2933/0083 ,  H01L33/44 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/62 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/95

Abstract: 【課題】波長変換材料およびその用途を提供する。 【解決手段】発光ダイオードパッケージ構造体318は、発光ダイオードチップ302、基部320、波長変換層324および反射壁326を含む。波長変換層324は、発光ダイオードチップ302の発光側にある。波長変換層324に用いる波長変換材料は、CsPb(Cl a Br 1-a-b I b ) 3 の化学式を有する全無機ペロブスカイト量子ドットを含み、式中、0≦a≦1、0≦b≦1である。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2017513225A

公开(公告)日：2017-05-25

申请号：JP2016560409

申请日：2015-03-27

Applicant: サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィク ,  サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィク

Inventor： ダミラノ，バンジャマン ,  デュボ，ジャン−イブ

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L27/153 ,  H01L33/32 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0066

Abstract: 半導体層のそれぞれの積層により形成される3つの隣接副画素(P1、P2、P3)を含む画素であって、前記画素は、−それぞれの前記副画素は、電流が通されると第1の波長(λ1)の光を発射するように構成された第1の活性層(32)を含み、−別の副画素(P2)はまた、前記第1の波長より長い第2の波長(λ2)の光を発射するように構成された第2の活性層(52、52’)を含み、−前記副画素(P3)の別の副画素はまた、前記第1の波長より長くかつ前記第2の波長と異なる第3の波長(λ3)の光を発射するように構成された第3の活性層(22、6)を含み、前記第2と第3の活性層の少なくとも1つは、同じ副画素の前記第1の活性層により発射された前記第1の波長の光により励起されると前記光を発射するように構成されたことを特徴とする。このような画素の半導体構造とその製作のための方法が提供される。

公开(公告)号：JP6106672B2

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：JP2014526046

申请日：2012-07-30

Applicant: マイクロン テクノロジー, インク.

Inventor： シューバート,マーティン エフ.

IPC: H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L27/153 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/03048 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002

公开(公告)号：JP6030611B2

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：JP2014191688

申请日：2014-09-19

Applicant: 弘凱光電(深セン)有限公司 ,  弘凱光電股フン有限公司

Inventor： 黄 建中 ,  呉 志明 ,  黄 同伯

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/50 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091 ,  H01L33/505 ,  H01L33/60

公开(公告)号：JP5993896B2

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：JP2014125814

申请日：2014-06-18

Applicant: ソウル バイオシス カンパニー リミテッド ,  SEOUL VIOSYS CO.,LTD.

Inventor： リ,ジョン フン ,  スペック,ジェームス,エス. ,  キム,ホン サン ,  キム,ゼ ゾ ,  キム,ソン ハン ,  リ,ゼ ホ

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H05B33/0827 ,  H01L27/156 ,  H05B33/02 ,  H05B33/08 ,  H05B33/0806 ,  H05B33/0815 ,  H05B33/0821 ,  H05B33/0824 ,  H05B33/083 ,  H05B33/0848 ,  H05B37/029 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L27/153

公开(公告)号：JP2016157922A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：JP2015252635

申请日：2015-12-24

Applicant: 隆達電子股▲ふん▼有限公司

Inventor： 陳 怡君 ,  林 志豪 ,  蘇 信綸 ,  薛 芳昌

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L27/153 ,  H01L33/44 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091

Abstract: 【課題】 生産コストが低く、且つ、より簡易化した製造ステップで製造されることができる発光ダイオードチップパッケージを提供する。 【解決手段】 基板202と、前記基板202上に設置され、且つ、複数の発光ダイオードチップ206A,206B,206C,206Dで一体成形された発光ダイオードチップセット214と、前記基板202上に設置され、且つ、発光ダイオードチップセット214に電気的接続された少なくとも2つの電極204A,204Bを含む発光ダイオードチップパッケージ200。 【選択図】 図2A

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够通过更简化的制造步骤和低生产成本制造的发光二极管芯片封装。解决方案：发光二极管芯片封装200包括：衬底202; 安装在基板202上并与多个发光二极管芯片206A，206B，206C和206D整体模制的发光二极管芯片组214; 以及安装在基板202上并电连接到发光二极管芯片组214的至少两个电极204A和204B。选择的图示：图2A

公开(公告)号：JP5983157B2

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：JP2012170654

申请日：2012-07-31

Applicant: 日亜化学工業株式会社

Inventor： 丸谷 幸利 ,  宮田 忠明

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  F21K9/90 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/153 ,  H01L2924/0002 ,  H01L33/52

公开(公告)号：JP2016122849A

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：JP2016015562

申请日：2016-01-29

Applicant: 晶元光電股▲ふん▼有限公司

Inventor： チャオ シン チェン ,  チェン−フ シェン ,  ツン カイ コ ,  シャン ジン ホン ,  シン−マオ リュウ

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/38 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L33/62 ,  H05B33/089 ,  H01L27/153 ,  H01L2924/0002 ,  Y02B20/341

Abstract: 【課題】静電気放電(ESD)保護の能力を有する発光装置を提供する。 【解決手段】発光装置は、基板上に複数のLEDセル11を有する直列接続されたLEDアレイと、第1LEDセルA、第2LEDセルB、及び第1LEDセルAと第2LEDセルBとの間に挿入された少なくとも3つのLEDセルを有する直列接続LEDサブアレイであって、第1及び第2LEDセルA、Bの各々は、第1LEDセルA及び/又は第2LEDセルBの第1側面A1、B1がLEDサブアレイに隣接し、第1LEDセルAの第2側面A2が第2LEDセルBの第2側面B2と隣接している、第1側面A1、B1及び第2側面A2、B2を有する、第1LEDセルA、第2LEDセルB及びLEDサブアレイと、第1及び第2LEDセルA、Bの第2側面A2、B2間のトレンチTと、トレンチTに近接して形成された保護構造を有する。 【選択図】図3

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有静电放电（ESD）保护能力的发光器件。解决方案：一种发光器件，包括：串联连接的LED阵列，其在衬底上具有多个LED单元11; 第一LED电池A，第二LED电池B和串联LED子阵列，其具有插入在第一LED电池A和第二LED电池B之间的至少三个LED电池，其具有第一侧面A1和B1以及第二侧面 在第一LED A单元和/或第二LED单元B的第一侧面A1和B1与LED子阵列相邻的第一和第二LED单元A和B中的每一个中的面A2和B2，以及 第一LED电池A的第二侧面A2与第二LED电池B的第二侧面B2相邻; 设置在第一和第二LED电池A和B的第二侧面A2和B2之间的沟槽T; 以及与沟槽T相邻形成的保护结构

公开(公告)号：JP5941044B2

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：JP2013518005

申请日：2012-05-24

Applicant: シャープ株式会社

Inventor： 中野 貴之 ,  宮島 泰 ,  吉岡 宏和 ,  片寄 敬太

IPC: G02F1/1335 ,  G02B5/20

CPC classification number: H01L33/50 ,  G02B5/201 ,  G02B5/223 ,  G02F1/133516 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/153