公开(公告)号：JP2018160531A

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：JP2017056412

申请日：2017-03-22

申请人： 東芝メモリ株式会社

发明人： 押木 祐介

IPC分类号： H01L27/11563 ,  H01L27/11575 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

摘要： 【課題】信頼性の高い半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】実施形態に係る半導体記憶装置は、基板と、絶縁膜と、複数の導電膜と、複数の積層体と、を備える。前記絶縁膜は、前記基板上に設けられる。前記複数の導電膜は、前記絶縁膜上に設けられる。前記複数の積層体は、前記複数の導電膜上に設けられ、それぞれ離れて積層された複数の電極膜を有する。前記複数の導電膜は、空隙を介して前記基板に沿った第1方向に配置される。前記複数の積層体は、空隙を介して前記第1方向に配置される。前記導電膜間に位置する前記空隙の前記第1方向の幅は、前記積層体間に位置する前記空隙の前記第1方向の幅より大きい。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018064042A

公开(公告)日：2018-04-19

申请号：JP2016201843

申请日：2016-10-13

申请人： イビデン株式会社

发明人： 古谷 俊樹 ,  足立 武馬 ,  野口 英俊 ,  立花 翔太

IPC分类号： H05K9/00

CPC分类号： H05K9/0073 ,  H01L23/552 ,  H01L23/60 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1679 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3512 ,  H05K3/4697 ,  H05K9/003 ,  H05K9/0088

摘要： 【課題】電子部品の誤動作を抑えるためのシールドキャップ及びその製造方法の提供。 【解決手段】本実施形態の電子部品92を保護するためのシールドキャップ10は、側壁部13と天井部12とからなるキャップ部材11と、キャップ部材11上に形成されている導電膜30とからなる。側壁部13は空間11A側に位置している第5面11Fと第5面11Fと反対側の第6面11Gと天井部と側壁部との間に位置する第3面11Dと、第3面11Dと反対側の第4面11Eとを有している。第6面11Gは第3面11Dから第4面11Eに向かって、空間11Aと第6面11Gとの間の距離が大きくなるように傾いている第1傾斜面131Gと、第4面11Eから第3面11Dに向かって、空間11Aと第6面11Gとの間の距離が大きくなるように傾いている第2傾斜面132Gで形成されている。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2018046213A

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：JP2016181093

申请日：2016-09-16

申请人： 株式会社村田製作所

发明人： 上田 英樹

IPC分类号： H01L23/12 ,  H05K1/14 ,  H01L25/00

CPC分类号： H05K1/0218 ,  H01L23/552 ,  H01L23/60 ,  H01L23/66 ,  H01L24/16 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19031 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01P3/08 ,  H01Q1/12 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/48 ,  H01Q21/06 ,  H05K1/11

摘要： 【課題】2つの高周波部品の間の伝送特性の低下を抑制することができる高周波モジュールを提供する。 【解決手段】第1の基板が、第1のグランドプレーン、第1のグランド用ランド、第1の伝送線路、及び第1の伝送線路に接続された第1の信号用ランドを含み、第1のグランド用ランドと第1の信号用ランドとが同一の面に形成されている。第2の基板が、第2のグランドプレーン、第2のグランド用ランド、第2の伝送線路、及び第2の伝送線路に接続された第2の信号用ランドを含み、第2のグランド用ランドと第2の信号用ランドとが第1の基板に対向する面に形成されている。第2のグランド用ランド及び第2の信号用ランドが、それぞれ第1のグランド用ランド及び第1の信号用ランドに対向する。導電部材が、第1のグランド用ランドと第2のグランド用ランドとを接続する。第1の信号用ランドと第2の信号用ランドとは、導体を介すること無く容量結合している。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018037461A

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：JP2016167227

申请日：2016-08-29

申请人： 新光電気工業株式会社

发明人： 郷津 雄資 ,  坂口 勇太 ,  中村 紀和 ,  清水 規良

IPC分类号： H05K3/46

CPC分类号： H01L23/5384 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/60 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/074 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0665

摘要： 【課題】接続信頼性を向上させることのできる配線基板を提供する。 【解決手段】配線構造12は、配線構造11内の絶縁層31の上面31Aに形成され、上面の一部が平滑面54Cに形成され、残りの上面が粗化面54Aに形成された配線パターン50Bを有する配線層50と、配線層50よりもマイグレーション耐性に優れた導電材料からなり、平滑面54Cを被覆し、平滑面55Aである上面を有する保護膜55と、配線層50及び保護膜55を被覆する絶縁層61とを有する。配線構造12は、絶縁層61を厚さ方向に貫通して保護膜55の上面を露出する貫通孔61Xと、貫通孔61Xを充填するビア配線70Vとを有する。粗化面54Aは、平滑面54Cと連続して形成され、且つ保護膜55の外周部の下面を露出させるように平滑面54Cよりも下方に凹んで形成され、絶縁層61は、保護膜55の外周部の上下両面及び側面を被覆する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2017517884A

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：JP2016566262

申请日：2015-05-04

申请人： 無錫華潤上華半導体有限公司

发明人： 廣勝 張 ,  廣勝 張 ,  森 張 ,  森 張

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L27/027 ,  H01L23/535 ,  H01L23/60 ,  H01L27/0266 ,  H01L29/7393 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本発明はESD保護構造付き半導体デバイスに関するものである。前記半導体デバイスは耐高電圧パワーデバイス101を含み、前記ESD保護構造はNMOSトランジスタ102であり、前記NMOSトランジスタのドレインと前記パワーデバイスのソースは共用化されソース・ドレイン共用構造107を構成する。前記パワーデバイス101の基板の引出し区域と、NMOSトランジスタの基板の引出し区域と、NMOSトランジスタのソース106とは一体に接続されるとともに接地線として引き出される。本発明において、NMOSトランジスタのドレインとパワーデバイスのソースとが共用化されるので、ESD保護構造が追加されてもデバイスの面積が多く増加しない。かつ高電圧パワーデバイスのソースの低いholding電圧を獲得することができるので、ゲートの酸化を保護し、ソースの安定性を向上させることができる。【選択図】図2

公开(公告)号：JP2017505993A

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：JP2016548238

申请日：2015-04-15

申请人： ジェノセム インコーポレーテッドGenesem Inc.

发明人： ウ ハン、ボク ,  ドン イ、ヒ

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L23/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】半導体パッケージのEMIシールド処理工法を提供すること。【解決手段】本発明に係る半導体パッケージのEMIシールド処理工法は、フレームの下面にテープの縁部を付着させて前記フレームの内周に前記テープを形成するテープ付着段階と、前記テープにホールを一定の間隔で形成するテープカッティング段階と、半導体パッケージの下面に形成されたバンプが前記テープのホールに挿入されるように、前記半導体パッケージの下面縁部を前記テープの上面に配置して前記半導体パッケージを前記テープの上面に一定の間隔で接着設置する半導体パッケージ接着設置段階と、前記テープの上部でコーティング作業を施して、前記テープの上面に接着された前記半導体パッケージおよび前記テープの上面をコーティング処理するコーティング段階とを含んでなり、前記半導体パッケージの下面を除いた5面のコーティングがなされることを特徴とする。【選択図】図1

摘要翻译： 本发明的一个目的是提供一种半导体封装的EMI屏蔽处理方法。 根据本发明的半导体封装的电磁干扰屏蔽的方法包括磁带由磁带的边缘附着到形成所述磁带上的框架的内周上，在带中的孔安装工序到所述框架的下表面 带切断以规则的间隔形成，所形成的半导体封装件的下表面上突起被插入到磁带，这个地方的孔在带半导体的上表面的半导体封装的下表面的边缘 涂布用于粘结所述包等间隔配置于带的上表面上的半导体封装接合安装相位在带的上部经受涂布操作中，半导体封装件的上表面和胶带粘结到带的上表面 它包括治疗，五个表面除了半导体封装的下表面的涂布工序 其中，所述涂层由。 点域1

公开(公告)号：JP5972473B2

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：JP2015535786

申请日：2013-10-03

申请人： クアルコム,インコーポレイテッド

发明人： ブライアン・エム・ヘンダーソン ,  チュウ−グアン・タン ,  グレゴリー・エー・ウヴィエガーラ ,  レザ・ジャリリゼインアリ

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L23/60 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481

公开(公告)号：JP5969224B2

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：JP2012053203

申请日：2012-03-09

申请人： アルテラ・コ—ポレ—シヨン

发明人： チョーイ ペイ リム ,  ジョーダン プロフスキー ,  イー リャン タン ,  ティク チョン トゥーン

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L25/00 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/60 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L24/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107

公开(公告)号：JP5954447B2

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：JP2015018613

申请日：2015-02-02

申请人： 株式会社村田製作所

发明人： 築澤 孝之 ,  足立 淳 ,  今田 貴之 ,  鷲見 高弘

IPC分类号： H01T1/20 ,  H01T4/10 ,  H01T4/12

CPC分类号： H01L23/60 ,  H01B1/14 ,  H01B1/16 ,  H01B1/18 ,  H01T1/22 ,  H01T4/10 ,  H05F3/04 ,  H05K1/026 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49866 ,  H01L2924/0002 ,  H05K2201/09063 ,  H05K2201/0919 ,  H05K3/4697

公开(公告)号：JP5863574B2

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：JP2012139012

申请日：2012-06-20

申请人： 株式会社東芝

发明人： 小野 昇太郎 ,  泉沢 優 ,  大田 浩史 ,  山下 浩明

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/58 ,  H01L23/60 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/405 ,  H01L2924/0002