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    Nonvolatile storage
    91.
    发明专利
    Nonvolatile storage 有权

    公开(公告)号：JP5000027B1

    公开(公告)日：2012-08-15

    申请号：JP2012507758

    申请日：2011-12-15

    Applicant: パナソニック株式会社

    Inventor： 巧 三河 ,  晴之 空田 ,  覚 藤井

    IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

    CPC classification number: H01L45/145 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683

    Abstract: 帯状に形成されている第１電極配線（１５１）と、第３層間絶縁層（１６）と、メモリセルホール（２９）の底部および側面を覆う領域に形成され、酸素不足型遷移金属酸化物で構成される第１抵抗変化層（１８ａ）と、酸素含有率が前記第１抵抗変化層（１８ａ）と異なる酸窒素不足型遷移金属酸窒化物で構成される第２抵抗変化層（１８ｂ）との積層構造体である抵抗変化層と、メモリセルホール（２９）の内部に形成された第１電極（１９）と、少なくともメモリセルホール（２９）の開口を覆う領域に、第１電極配線（１５１）と交差する方向に帯状に形成されている第１配線（２２）と、を備え、前記遷移金属をＭ、第１抵抗変化層（１８ａ）の組成をＭＯ
    ｚ 、第２抵抗変化層（１８ｂ）の組成をＭＯ
    ｘ Ｎ
    ｙ と表した場合に、ｚ＞（ｘ＋ｙ）なる関係を満たしている。
    【選択図】図１

    Information recording/reproducing apparatus
    92.
    发明专利
    Information recording/reproducing apparatus 审中-公开
    信息记录/再现设备

    公开(公告)号：JP2012138512A

    公开(公告)日：2012-07-19

    申请号：JP2010290992

    申请日：2010-12-27

    Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

    Inventor： KUBO KOICHI

    IPC: H01L27/105 ,  G11B9/04 ,  G11C13/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

    CPC classification number: G11C16/0483 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/066 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C16/0466 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/08 ,  H01L45/145 ,  Y10T428/21

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an information recording/reproducing apparatus of high recording density and low power consumption.SOLUTION: An information recording/reproducing apparatus according to the embodiments includes a recording layer 12 and a recording circuit recording information by applying voltage to the recording layer 12 to create a phase change in the recording layer 12. The recording layer 12 is composed of a compound having at least one kind of positive ion element and at least one kind of negative ion element. The at least one kind of positive ion element is a transition element having a d orbit incompletely filled by electrons. An average shortest distance between neighboring positive ion elements is 0.32 nm or less. The recording layer 12 includes a material selected from (i) AMX(0≤x≤2.2, 1.8≤y≤3), (ii) AMX(0≤x≤1.1, 0.9≤y≤3) and (iii) AMX(0≤x≤1.1, 0.9≤y≤3).

    Abstract translation: 解决的问题：提供高记录密度和低功耗的信息记录/再现装置。 解决方案：根据实施例的信息记录/再现装置包括记录层12和记录电路，通过向记录层12施加电压以在记录层12中产生相变。记录层12是 由具有至少一种正离子元素和至少一种负离子元素的化合物组成。 至少一种正离子元素是具有未被电子填充的d轨道的过渡元素。 相邻正离子元素之间的平均最短距离为0.32nm以下。 记录层12包括选自以下的材料：（i）A x X 4 （0≤x≤2.2,1.8≤y≤3），（ii）A x X 3 （0≤x≤1.1,0.9≤y≤3）和（iii）A M y X 4 （0≤x≤1.1,0.9≤y≤3）。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

    Method of manufacturing semiconductor device, substrate treatment method and substrate treatment device
    96.
    发明专利
    Method of manufacturing semiconductor device, substrate treatment method and substrate treatment device 有权
    制造半导体器件的方法，衬底处理方法和衬底处理器件

    公开(公告)号：JP2012062569A

    公开(公告)日：2012-03-29

    申请号：JP2011131509

    申请日：2011-06-13

    Applicant: Hitachi Kokusai Electric Inc ,  株式会社日立国際電気

    Inventor： HARADA KAZUHIRO ,  ITAYA HIDEJI

    IPC: C23C16/40 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

    CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/67748 ,  H01L45/04 ,  H01L45/145 ,  H01L45/1616

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To form an oxide tantalum-based film having a favorable step-coating property while suppressing an oxygen concentration in the film.SOLUTION: A conductive oxide and nitride tantalum film lacking in oxygen with respect to tantalum and nitrogen stoichiometrically is formed on a substrate by alternately repeating, a plurality of times: a process in which a raw material gas and a nitriding agent are fed into a treatment chamber accommodated with the substrate under a condition that a CVD reaction is generated, and a nitride tantalum layer is formed on the substrate; and a process in which an oxidizing agent is fed into the treatment chamber to oxidize the nitride tantalum layer under a condition that an oxidization reaction caused by the oxidizing agent of the nitride tantalum layer is unsaturated.

    Abstract translation: 待解决的问题：在抑制膜中的氧浓度的同时，形成具有良好的阶梯涂覆性的氧化物钽基膜。 解决方案：通过交替重复多次，在基板上形成相对于钽和氮化学计量相对于钽和氮缺乏氧的导电氧化物和氮化物钽膜：其中进料原料气体和氮化剂的方法 在产生CVD反应的条件下进入容纳有基板的处理室，并且在基板上形成氮化钽层; 以及在由氮化钽层的氧化剂引起的氧化反应不饱和的条件下，将氧化剂进料到处理室中来氧化氮化钽层的工序。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

    Nonvolatile storage device and driving method thereof
    99.
    发明专利
    Nonvolatile storage device and driving method thereof 有权
    非易失存储器件及其驱动方法

    公开(公告)号：JP2011243265A

    公开(公告)日：2011-12-01

    申请号：JP2010116499

    申请日：2010-05-20

    Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

    Inventor： TSUKAMOTO TAKAYUKI ,  SHIMOTORI TAKAFUMI ,  SUGANO YUJI ,  MINEMURA YOICHI ,  KIKUCHI NATSUKI ,  SATO MITSURU

    IPC: G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

    CPC classification number: H01L45/04 ,  G11C5/147 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L45/145

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nonvolatile storage device for which the controllability of operations is improved, and its driving method.SOLUTION: By an embodiment, the nonvolatile storage device including a memory unit MU and a control unit CU is provided. The memory unit includes first wiring WR1, second wiring WR2, and a memory cell MC which is provided on the crossing part of the first wiring and the second wiring and includes a resistance change layer VR where resistance is changed by at least one of a voltage applied and a current energized through the first wiring and the second wiring. The control unit is connected to the first wiring and the second wiring and supplies at least one of the voltage and the current to the resistance change layer. In the set operation of changing the resistance change layer from the first state of having a first resistance value to the second state of having a second resistance value lower than the first resistance value, the control unit increases the upper limit value of the current to be supplied to the first wiring on the basis of the change of the potential of the first wiring when applying a set operation voltage to the first wiring.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种提高操作可控性的非易失性存储装置及其驱动方法。 解决方案：通过一个实施例，提供了包括存储器单元MU和控制单元CU的非易失性存储设备。 存储单元包括设置在第一布线和第二布线的交叉部分上的第一布线WR1，第二布线WR2和存储单元MC，并且包括电阻改变层VR，其中电阻由电压 并通过第一布线和第二布线使电流通电。 控制单元连接到第一布线和第二布线，并将电压和电流中的至少一个提供给电阻变化层。 在将电阻变化层从具有第一电阻值的第一状态改变为具有低于第一电阻值的第二电阻值的第二状态的设定操作中，控制单元将电流的上限值增加为 基于第一布线的电位的变化，向第一布线施加设定的工作电压到第一布线。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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